《闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍》由会员分享，可在线阅读，更多相关《闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍（5页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍目前 NAND Flash 封装方式多采取 TSOP、FBGA 与LGA 等方式,由于受到终端电子产品转向轻薄短小的趋势影响,因而缩小体积与低成本的封装方式成为 NAND Flash 封装发展的主流趋势TSOP(Thin smaller outline package)封装技术,为目前最广泛使用于 NAND Flash 的封装技术,首先先在芯片的周围做出引脚,采用 SMT 技术（表面安装技术）直接附着在 PCB板的表面.TSOP 封装时,寄生参数减小,因而适合高频的相关应用,操作方便,可靠性与成品率高,同时具有价格便宜等优点,
2、因此于目前得到了极为广泛的应用.FBGA(Ball Grid Array,也称为锡球数组封装或锡脚封装体)封装方式,主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域,FBGA 封装技术的特点在于虽然导线数增多,但导线间距并不小,因而提升了组装良率,虽然功率增加,但 FBGA 能够大幅改善电热性能,使重量减少,信号传输顺利,提升了可靠性.采用 FBGA 新技术封装的内存,可以使所有计算机中的内存在体积不变的情况下容量提升数倍,与 TSOP 相比,具有更小的体积与更好的散热性能,FBGA 封装技术使每平方英寸的储存量有很大的提升,体积却只有 TSOP 封装的三分之一,与传统 TSOP
3、 封装模式相比,FBGA 封装方式有加快传输速度并提供有效的散热途径,FBGA 封装除了具备极佳的电气性能与散热效果外,也提供内存极佳的稳定性与更多未来应用的扩充性.LGA(land grid array) 触点陈列封装,亦即在底面制作有数组状态坦电极触点的封装,装配时插入插座即可,现有227触点(1.27mm 中心距)和44触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑 LSI 电路,由于引线的阻电抗小,对高速LSI 相当适用的,但由于插座制作复杂,成本较高,普及率较低,但未来需求可望逐渐增加.目前 NAND Flash 一般封装大多采用 TSOP、FBGA 与LGA 的方式,而记
4、忆卡则多采用 COB 方式进行封装手机应用领域则多用 MCP 的封装形式,随着终端产品的变化,未来WLP 与3D TSV 的封装方式也将逐渐为业界广为应用.U 盘的一个大特点便是它的写入速度远不如读取速度快,但这并不不是所有 U 盘的共同问题,只是较大范围内存在这样的问题,其根源在于受于成本和体积的限制,大多数大容量USB 闪存盘均采用 MLC 的闪存颗粒,只有极少数采用 SLC的闪存颗粒,那么究竟 MLC 和 SLC 有什么本质的区别呢？SLC 和 MLC 均是 NAND Flash 的存储原理级技术,也可以理解为目前 NAND Flash 在存储数据原理方面分道扬镳的一个表现.SLC 全称
5、单层式储存 (Single Level Cell）,是指一个Block（块,Flash 的基本存储单元,也可称为 Cell）只有两种电荷值,高低不同的电荷值表明0或者1,因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号,所以 SLC 最大的驱动电压可以做到很低,传统的双电压卡或者低电压版本卡片肯定采用SLC 类型的 NAND Flash 芯片.SLC 因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的 SLC Flash 可以经受10万次的读写,因此出现坏 Block 的几率较小,因为存储结构非常简单,一组电压即可驱动,所以其速度表现更好,目前所有的超高速卡都采用SLC 类型的 F
6、lash 芯片.不过这种一个 Block 只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度,所以只能在工艺制程方面努力进步,才能满足用户在容量方面的要求.MLC（多层式储存Multi Leveled Cell）是那种充分利用 Block 的技术,它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个 Block 中记录两组位信息（00、01、11、10）,这样就可以将原本 SLC 的记录密度理论提升一倍,这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的 NAND Flash 而言,是非常好的消息.不过 MLC 除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外,存在一些先天的弊端,比如说电压区间更小,Flash
7、就需要更多的 CRC 校验空间,这会大概占据 Block 中10%的空间,因此实际使用中同制程同晶圆面积的 MLC 的容量不到 SLC的一倍.因为电压变化更频繁,所以 MLC 技术的 Flash 在寿命方面远劣于 SLC,官方给出的可擦写次数仅为1万次,也就是说一张512MB 的 USB 闪存盘,你写入512MB 的数据1万次（理想状态）,它就完蛋了,这可能是 MLC 最要命的一个缺点.MLC 技术的 Flash 还有一个缺点,它的读写速度先天不如 SLC,一个 Block 存储两组位数据,自然需要更长的时间,这里面还有电压控制、CRC 写入方式等因素需要考虑.综合而言,SLC 在寿命和性能方
8、面拥有独特的优势,不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量.而 MLC 虽然在容量方面有先天的优势,但在速度和寿命方面存在先天的不足.具体到一款经常在不同的电脑中交换数据的 USB 闪存盘,我们就不得不关注它的寿命,如果是一款采用 MLC 技术的 USB 闪存盘,在重复写入1万次数据之后,他的寿命就结束了,并且你无法预测它什么时候结束生命,这对于你的重要数据来说,实在是让人胆战心惊的尝试,所以我们不太推荐用户购买采用 MLC 技术的 USB 闪存盘.关于如何分辨 MLC 和 SLC 技术的 USB 闪存盘,这真是个非常难的问题,因为目前没有测试软件能够测试,也没有几个厂商愿意声明自己的闪存盘究竟使用什么技术,但是有一点可以肯定,那便是写入速度超过25MB/s 的,基本上都是SLC 技术的产品,高速的闪存盘可以兼顾寿命和读写效率,唯一的不足是它的售价同比略高
