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1、 1 附件： 中国科学院部分LED技术成果明细表【编号：01.】 制造LED芯片专用光刻机技技术术来源来源单单位：位：成都光电所技技术简术简介：介：中国科学院光电技术研究所研发光刻机已经近30年的历史，近年来研发成功的URE-2000系列光刻机在集成电路等领域已经获得广泛应用，相对于国内外同类产品具有极高的性价比，已经销售200多台，稍加改进即可满足LED芯片制作和封装要求。技技术术特点及特点及优势优势： ：（1）技术指标曝光面积：150mm150mm；分辨力：0.81m（胶厚2m正胶）；对准精度：0.6m；照明均匀性：3.5%(100mm)；5.5%(150mm) 掩模尺寸：3inch、4i
2、nch、5inch、7inch；样片尺寸：直径15mm-150mm、厚度0.1mm-6mm；（2）技术优势URE-2000系列光刻机已经销售200多台套（其中出口美国、新加坡、越南、朝鲜等10多台），目前占据国内最大市场份额，产 2 品深受国内外用户欢迎，产品2007年获全国创新技术与产品称号，2008年获四川省科技进步奖，产品无论技术指标、性价比、外观、模块化、售后服务相对于国内外同行优势明显。我们光刻机共有八种型号，其中单面有五种:URE-2000A、URE-2000B、URE-2000/35、URE-2000/25、URE-2000/17，双面有三种:URE-2000S/A、URE-20
3、00S/B、URE-2000S/25。相关相关图图片：片：图 1 不同型号的光刻机【编号：02.】 半导体深紫外LED光源技技术术来源来源单单位：位：中国科学院半导体研究所技技术简术简介：介：半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。 3 本项目为“863”计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家科技进步二等奖。技技术术特点及特点及优势优势： ：通过详
4、细研究铝镓氮材料生长的预反应问题，解决了外延晶体质量差、容易在表面形成由于应力而产生的裂纹等问题。获得了无裂纹的高结晶质量铝镓氮材料，大幅度改善了铝镓氮材料的晶体质量，其（0002）面的X射线双晶衍射半高宽小于200弧秒，表面AFM测试表明其粗糙度小于1nm，并获得了Al组分高达85的AlGaN材料；铝镓氮材料的CL发光波长为260nm。实现了深紫外UVLED器件的300nm以下室温荧光发光，并在国内首次制备成功了300nm以下的深紫外LED器件，波长为280nm的深紫外器件在20mA连续驱动电流下输出功率大于0.6mW。相关相关图图片：片： 4 图 2 半导体深紫外 LED 光源应用于所区路
5、灯进行示范验证【编号：03.】 大功率白光LED器件技技术术来源来源单单位：位：中国科学院半导体研究所技技术简术简介：介：LED作为照明光源与现有的照明光源相比具有节约能源、寿命长、体积小、发光效率高、无污染以及色彩丰富等优点。虽然GaN基功率型LED的发光效率迅速提高，但量子效率、电流分布均匀性和器件散热能力仍是制约功率型LED性能提高的技术瓶颈。本课题重点研究了不同正装LED结构对散热与光提取效率的影响以及光学增透膜、高反膜与N电极对提取效率的影响，通过优化正装芯片结构设计和光学膜系设计，研制出高性能大功率蓝光和白光LED。本项目为“863”计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家
6、科技进步二等奖。技技术术特点及特点及优势优势： ：采用新型外延结构及条形结构有利于提高 5 器件提取效率，降低热阻。研制出的白光LED在350mA工作电流下，工作电压3.2V，突破了130lm/W技术，实现光效产业化100lm/W以上，封装后热阻小于7K/W。相关相关图图片：片：【编号：04.】 第三代宽禁带半导体材料氮化镓衬底晶 片及相关产品技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所图 3 在 20mA 电流下，室温连续输 出功率大于 0.65mW(281nm)图 4 白光 LED 发光照片 6 技技术简术简介：介：氮化镓（GaN）是第三代半导体材料，产品可广泛应用于氮化镓高亮度发光二极管、蓝绿
7、光激光器二极管、射频器件、电力电子器件等。苏州纳米所在GaN晶片中具有雄厚实力和丰富成果。技技术术特点及特点及优势优势： ：（1）小尺寸氮化镓自支撑晶片产品图片（Photo）:性能参数（Specification）:尺寸尺寸 Dimensions10.011.5mm晶体取向晶体取向OrientationC-axis (0001)1.0o厚度厚度 Thickness300 50m位位错错密度密度 Dislocation DensityLess than 5 x 107cm-2导电类导电类型型Conduction TypeN-typeSemi-insulating 7 电电阻率阻率 Resisti
8、vity (300K)105 cm抛光抛光 PolishingStandard: Double Side PolishedOption: Single Side Polished有效面有效面积积 Usable Surface Area90%（2）氮化镓厚膜晶片产品图片（Photo）:性能参数（Specification）: 尺寸尺寸Dimensions2晶体取向晶体取向OrientationC-axis (0001)1.0o厚度厚度 GaN thicknessTypical 30 m位位错错密度密度 Dislocation DensityLess than 3 x 108cm-2 8 导电类导
9、电类型型Conduction TypeN-typeSemi-insulating电电阻率阻率 Resistivity (300K)105 cm衬衬底底 Substrate2 sapphire (0001)（3）2英寸直径自支撑氮化镓晶片产品图片（Photo）:性能参数（Specification）: 尺寸尺寸 Dimensions2” 晶体取向晶体取向OrientationC-axis (0001)1.0o厚度厚度 Thickness30050m位位错错密度密度 Dislocation DensityLess than 5 x 107cm-2电电阻率阻率 Resistivity (300K)9
10、0%【编号：05.】 基于同质外延技术的超大功率单芯片LED 产业化技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：该项目是中科院创新项目，拥有独立自主知识产权，技术已达国际先进水平。应用于高端半导体照明领域。技术成熟度：目前处于小批量生产阶段。投资规模：6000万可建成相应生产线。合作方式：技术合作、技术服务等。已获得相关发明专利近10项。技技术术特点及特点及优势优势： ：技术指标：1w白光LED光通量100120lm，光效100120lm/w；3w白光LED光通量180200lm，光效6070lm/w。 10 创新内容：采用自主研发的同质氮化镓衬底，实现垂直结构LED，提高了材料
11、质量，减小了器件发热；自主开发的同质外延在位监控系统及纳米图形化设计，大大提高了产品质量。【编号：06.】 平板显示关键技术及产业化开发技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：该项目是苏州市人才孵化项目，研发并进行产业化大尺寸液晶显示所需的LED背光模组，可应用于平板显示器领域，拥有中外专利23项。已完成42寸样机研制。可通过专利许可等方式开展产业化合作，投资规模约7000万元。技技术术特点：特点：本项目技术指标：亮度提升300%、成本降低30%；动态对比度达到10000：1；使用寿命大于5万小时；功耗低于同尺寸、同亮度CCFL背光模组30%；制造成本控制在CCFL背光模组的
12、1.3倍以内。创新内容 (A) LED光源极化及保极化导光板；(B) LED光源COB封装；(C)双通道图像动态驱动；（D）LED差异老化控制。相关相关图图片：片： 11 图 5 LED 背光在手提电脑中的应用图 6 CCFL 背光液晶电视的显示效果（左） ，LED 背光液晶电视的显示效果（右） 12 图 7 LED 背光模组时空调制实现高对比度和低功耗【编号：07.】 高效率高光通量LED关键技术及3W级LED 芯片开发技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：本项目主要研究高效率、高光通量LED的一些关键技术，针对3W级LED芯片产品进行开发研究。研究高效率、高光通量LED
13、芯片制作的关键技术问题，采用自支撑同质GaN衬底实现垂直结构的条形高效率、大通量LED芯片，解决LED倒装焊接散热技术难题，开发出3W级100lm/W的高效率大功率LED芯片产品。在3W级的LED芯片产品方面，国际上还处于开发阶段，只有少数几家刚刚开发出产品，推向市场的就只有Osram 公司，其技术瓶颈就是散热问题，热量如不能有效地散发出去，导致器件无法在大电流条件下工作，就无法实现高光通量LED照明。因此， 13 解决3W级LED芯片的散热问题，就相当于打开了半导体照明的一扇门，里面就是无限的市场。所以，各国LED大企业都全力开发3W或以上级别的芯片，以获得高额的利润及广阔的市场空间。【编号
14、：08.】 OLED有机太阳能电池产业的关键材料技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：本项目主要是设计合成并提供各种有机发光二极管（OLED）材料，有机光伏材料。OLED可广泛用于平板显示、白光照明、有机太阳能电池等。据产业分析公司NanoMarkets报告显示，OLED产业在过去10年总计获得了数以10亿美元计的投资，OLED材料市场到2015年将达到27亿美元。该公司还预测，在实验室测试中OLED照明的效率已经超过荧光灯，有望开创节能固体照明新时代。全球范围内的节能趋势将推动OLED照明产业迅速发展，并刺激市场对OLED材料的需求，到2015年将有90%的OLED材料被
15、用于照明应用。DisplaySearch公司预测OLED面板市场在2015年将突破60亿美元。有机光电子产业（OLED显示、OLED白光照明、柔性有机太阳能电池）的兴起，为有机光电材料的研究开发提供了新的机遇。相关相关图图片：片： 14 图 8 单个相素的 OLED 发光样品图 9 各种发光金属配合物光致荧光图【编号：09.】 新型LED光源-量子点的制备及量产放大技 术技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：量子点作为一种新型的半导体纳米材料，具有低启亮电压、高色纯度、发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优点，是理想的LED光源。量子点-LED作为一种新型绿色环保新能源，
16、具有节能、安全、长寿命等优点，将有利于缓解我国的能源和环境压力。本项目负责人在最近几年成功研发了一种温 15 和条件下制备高质量量子点的技术，所制备得到的量子点荧光发射光谱窄、量子产率高、稳定性好。拟结合纳米所在LED上的优势，通过技术成果转化，系统研究量产放大过程中，不同工艺参数的影响规律，成功开发出高质量量子点的量产技术路线并在LED光源和显示上进行应用。可广泛应用于LED光源、显示屏、太阳能、生物成像和标记。拥有1项美国专利。 【编号：10.】 紫外LED-纳米光催化空气净化技术与产品 开发技技术术来源来源单单位：位：苏州纳米所技技术简术简介：介：紫外LED纳米光催化空气净化技术是将新型纳米功能材料与紫外LED相结合的低温深度催化反应技术，能够将有机物分解为CO2、H2O及无机物小分子，达到彻底清除有机污染物和细菌的目的。与传统空气净化器相比，LED光催化产品具有小型、节能、长效、环保、杀菌除污效率高、集成度高、应用广泛等优点。可广
