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1、N 型高效单晶光伏电池技术目前 P 型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N 型单晶硅较常规的 P 型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N 型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N 型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。根据国际光伏技术路线图（ITRPV2015）预测：随着电池新技术和工艺的引入，N 型单晶电池的效率优势会越来越明显，且 N 型单晶电池市场份额将从 2014 年的 5%左右提高到 2025 年的 35%左右。本文论述了 N 型单晶硅及电池组件的优势，并介绍了各种 N型单晶
2、高效电池结构和特点，及相关技术发展现状和产业化前景。1.引言由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达 25 年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约 90%份额。理论上讲，不管是掺硼的 P 型硅片还是掺磷的N 型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池是基于空间航天器应用发展而来的，较好的抗宇宙射线辐照能力使得 P 型晶硅电池得到了充分的研究和空间应用。技术的延续性使目前地面用太阳能电池 90%是掺硼 P 型晶硅电池。而且，研究还发现 N 型晶硅电池由于 p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2
3、O3 的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。所以与在 N 型硅片上形成掺硼 p+发射结在工业生产中比较困难。然而，地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题，而且随着技术的发展，原来困扰 N型晶硅电池的发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高，P 型电池的效率瓶颈已越发明显。N 型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和稳定性，成为行业关注和研究的热点。根据图 1 和 2 国际光伏技术路线图 ITRPV2015 的预测，随
4、着背接触（BC）、异质结（HIT）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，N 型单晶电池的效率优势会越来越明显，且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加，到 2025 年将超过多晶硅，占据光伏市场份额首位，其中 80%以上为 N 型单晶。表 1 列举了Panasonic，SunPower，Sharp 不同电池结构实验室的电池转化效率记录，大面积 HBC电池最高效率已达到 25.6%，展现了强大的发展潜力。图 1 ITRPV2015 晶硅电池效率预测图 2 ITRPV2015 不同类型硅片市场份额预测表 1 部分机构 N 型单晶电池的最高转换效率本文论述了 n 型单晶硅及电池组件的优势，并介
5、绍了各种 N 型单晶高效电池结构和特点，相关技术发展现状及产业化前景。2.N 型单晶硅材料及电池组件的优势与 P 型单晶硅相比，n 单晶硅的生产制备没有本质的区别，是非常成熟的工艺技术，随着 N 型单晶硅生产规模的扩大和技术的进步，两者之间的生产成本将会越来越接近。磷掺杂的 N 型单晶硅及电池组件较硼掺杂的 P 型单晶硅及电池组件有许多明显的优势。首先，N 型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于 P 型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的 N 型 CZ 硅片的少子寿命比 P 型硅片的高出 12 个数量级，达到毫秒级。且 N 型材料的少子空穴的表面复合速率低于 P 型材料中电子的表面复
6、合速率，因此采用 N 型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于 P 型的少子电子的复合。其次，N 型硅片对金属污染的容忍度要高于 P 型硅片。如图 3 所示，Fe，Cr，Co，W，Cu，Ni 等金属对 P 型硅片少子寿命的影响均比 N 型硅片大，由于带正电荷的金属元素具有很强的捕获少子电子的能力，而对于少子空穴的捕获能力比较弱，所以对于少子为电子的 P 型硅片的影响比少子为空穴的 N 型硅片影响要大，即在相同金属污染的情况下，N 型硅片的少子寿命要明显高于 P 型硅片。但对于 Au 却是相反地，但对于现代工艺技术而言，Au 污染已不再是问题。图 3 金属杂质在硅中的复合行为1973 年 H.Fisc
7、her 等发现 P 型掺硼 CZ 晶硅电池在光照下会发生明显的电性能衰减。1997 年 J.Schmidt 等证实硼掺杂 Cz 晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年 A.Herguth 等人发现在一定的温度和光照条件下，可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态，在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。而掺磷的 N 型晶体硅中硼含量极低，本质上消除了硼氧对的影响，所以几乎没有光致衰减效应的存在。最后，由于 N 型基体材料高的少子寿命，N 型晶硅组件在弱光下表现出比常规 P 型晶硅组件更优异的发
8、电特性。如图 4 所示，N 型晶硅组件在光强小于 600W/m2 的弱光情况下，相对发电效率明显高于 P 型晶硅组件。图 4 N 型和 P 型晶硅组件相对效率随入射光强度的变化曲线3.N 型单晶电池结构和特点目前研究的 N 型单晶高效电池主要有：PERT 电池，PERL 电池，HIT 电池，IBC 电池，HBC 电池等。PERT 电池根据其发射结的位置可分为正结型（p+nn+）和背结型（n+np+），根据其受光面不同分为单面受光型和双面受光型。PERL 电池根据其受光面不同，也可分为单面受光型和双面受光型。如图 5 所示。本文将就几种典型电池的结构和工艺特点进行重点介绍。图 5 N 型单晶硅太
9、阳能电池的分类3.1 N-PERL 电池PERL 电池是发射结钝化背面局部扩散电池（PassivatedEmitterRearLocally-diffused），其结构特点是背面局部接触处重掺杂以降低电池背面局部接触区域的接触电阻和复合速率。背面局部重掺可以通过不同的工艺方式实现，比较常用的是激光掺杂和离子注入等。另外，PERL 电池根据其受光面不同，可分为单面受光型和双面受光型。单面受光型电池背面一般为全金属背电极覆盖，而双面受光型一般为丝网印刷正反面对称结构，背面可接收反射光线，结合双玻组件技术可提高 3%以上的总发电量。德国 Fraunhofer 实验室利用 PassDop 技术制备的
10、n-PERL 小面积电池（4cm2），其转化效率达 23.2%（Voc=699mV，Jsc=41.3mA/cm2，FF=80.5%），电池结构如图6 所示。基体材料为 N 型 CZ 单晶硅，正面通过离子注入形成硼掺杂 p+发射结，正面采用 ALD 工艺沉积 Al2O3 钝化层钝化发射结降低表面复合速率，再用 PECVD 沉积 SiNx 形成减反膜。正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成 Ti/Pb/Ag 金属电极，背面利用激光掺杂技术形成局部背场，如图 7 所示。其工艺特点是先在背面 PECVD 法生长一层磷掺杂的 a-SiCx 钝化层，再利用激光在熔融钝化层的同时将其中的磷元素掺杂进晶体硅形成局部
11、重掺，最后通过 PVD 的方法形成 Al 背面电极。背面磷掺杂的 a-SiCx 钝化层具有很好的钝化效果，金属接触区域 n+局部重掺在降低接触电阻的同时，减少了金属接触区域的复合，提升了电池的开路电压和填充因子。电池 Uoc 达 699mV，FF 达 80.5%，显示了良好的表面钝化效果和接触特性。PassDop 技术采用成熟的激光掺杂技术在形成背面局部接触窗口的同时形成局部重掺，在不额外增加工艺步骤的情况下实现了 PERL 电池结构，是一种非常有应用前景的 N型高效电池的技术。图 6 德国 FraunhoferPassDop 技术 PERL 电池结构示意图图 7 PassDop 激光掺杂示意
12、图（a）基体硅背面（b）沉积磷掺杂的 a-SiCx 钝化层（c）激光开槽形成局部重掺（d）沉积 Al 背电极日本三菱电机的 n-PERL 电池则采用双面受光型结构，在 156*156mm2 大面积单晶硅片上实现转化效率 21.3%（Jsc=39.8mA/cm2，Voc=677mV，FF=80.5%），电池结构如图 8 所示。其正面发射结利用 APCVD 的方法沉积硼硅玻璃后经热扩散形成 P 型发散结，再采用 ALD 沉积 Al2O3 钝化 p+发射结以降低表面复合速率。与 Fraunhofer 的 N型 PERL 电池背面结构不同的是，除了在电极下局部重掺形成 LBSF，以有效地降低背面接触位
13、置的复合速率及接触电阻外，其背面局部接触之间通过扩散形成一层均匀的 N 型掺杂层，可有效降低由于 N 型材料相对较高的体电阻率所引起的电阻损耗。背面栅状电极通过精准对位准确覆盖于局部重掺区域形成双面受光电池结构。此电池结构兼具 PERT 和 PERL电池结构的优点，但因引入多步掺杂工艺而额外增加了工艺复杂度及制造成本而未被广泛采用。图 8 日本三菱电机 PERL 电池结构示意图3.2 N-PERT 电池PERT 电池是发射结钝化全背场扩散电池（PassivatedEmitterRearTotally-diffused），其结构特点是背表面扩散全覆盖以降低电池的背面接触电阻和复合速率。背面全背场
14、扩散可以通过不同的工艺方式实现，主要包括管式扩散，外延生长法，离子注入法等。英利公司 PANDA 电池是采用双面受光型 PERT 结构的大面积电池（239cm2），并且已实现量产，最高转化效率为20.76%（Voc=650.3mV，Jsc=39.6mA/cm2，FF=80.63%），电池结构如图 9 所示。其在普通化学制绒的 N 型 Si 片上，通过硼磷管式共扩散制备正面 P 型发射结和 N 型背面，然后通过 PECVD 技术在前后表面制备钝化层和减反膜，正反面电极使用常规丝网印刷工艺完成。PANDA 电池双面发电的设计，能够同时接受从正面和背面进入电池的光线从而实现双面发电的功能；正面采用细
15、密栅线的设计，减少了遮光面积，提高了电池的短路电流。与规模化生产的 IBC、HIT 等 N 型电池相比，其结构简单、制备成本低、工艺流程短，与现有的 P 型生产线相兼容，容易实现大规模量产。图 9 英利公司 PANDA 电池结构示意图比利时 IMECn-PERT 电池是背结型大面积电池（225cm2），转化效率达21.51%（Voc=675.9mV，Jsc=39.35mA/cm2，FF=80.9%），电池结构如图 10 所示。正面为 N 型前表面场，背面为通过外延法生长的 P 型晶硅背发射结，再用 ALD 法生长Al2O3 钝化层钝化背面。外延法生长背面 P 型发射结技术目前仍然处理实验室研究
16、阶段，其量产可能性还有待验证。图 10 IMECPERT 电池结构示意图为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化，并去除背面开膜工艺，钝化接触技术近年来成为行业研究热点。德国 Fraunhofer 开发的Topcon（TunnelOxidePassivatedContact）技术在小面积电池（4cm2）上实现 25.1%的转化效率（Voc=718mV，Jsc=42.1mA/cm2，FF=83.2%），电池结构如图 11 所示。正面采用选择性发射结结构，方块电阻达 150ohm/sq，并采用 Al2O3/SiNx 进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄 SiO2，厚度约 12nm，然后再沉积一层 20nm 厚的磷掺杂非晶硅层，经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，最后通过 PVD 的方法形成全背面金属接触。背面 TopCon 结构的隧穿效应示意图如图 12 所示，12nm 厚的化学 SiO2 隧穿氧化层具有很好的选择性，允许多子电子穿越同时阻挡少子空穴的复合，由于采用晶化处理，此钝化结构具有很好的热稳定性。
