led芯片生产工艺流程

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1、LED 芯片生芯片生产产工工艺艺流程流程LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进

2、行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接

3、之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂

4、日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。随着技术的发展，LED 的效率有了非常大的进步。在不久的未来 LED 会代替现有的照明灯泡。近几年人们 制造 LED 晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅 SiC)和 各种高纯的气体如氢气 H2 或氩气 Ar 等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。接下 来是对 LED-PN 结的两个电极进行加工，并对 LED 毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测试和分选，就可以得 到所需的 LED 晶粒。下面简单介绍一下 LED 芯片生产流

5、程图： LED 制作流程分为两大部分：首先在衬低上制作氮化镓（GaN）基的晶圆，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完 成的。准备好制作 GaN 基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。 常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有 GaAs、AlN、ZnO 等材料。MOCVD 是利用气相反应物（前驱物）及族的有机金属和族的 NH3 在衬底表面进行反应，将所需的产物 沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD 外延炉是制作 LED 外延片最常用的设备。然后是对 LED PN 结的两个电极进行加工，电极加工也是制作 LED 芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、 化学蚀刻、熔合、研磨；然后对 LED 毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的 LED 芯片。如果芯片清洗不 够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕（在目检必须挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、 照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶粒在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载 具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。