高精度高稳定性金属膜电阻

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1、电子知识日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用 2012 和 4527 外形尺寸的新系列表面贴装的高精度、高稳定性金属膜 电阻 - PSF 系列。该系列电阻具有5 ppm/的极低温度系 数和 0.01%的容差，在各种环境条件下均具有优异的稳定性。PSF 器件是 Vishay 的轴向引线 PTF 系列电阻的表面贴装 版本，为精密测试和测量系统，以及军工、航天和工业设备和 仪表中的高精度应用进行了优化。PSF2012 的尺寸为 0.200 英寸 x 0.125 英寸(5.08mmx 3.18mm)， 厚度为 0.096 英寸(2.44 mm)，功率等级为 0.

2、125W，工作电压为 200V。PSF4527 的尺寸为 0.455 英寸 x 0.275 英寸 (11.56mmx6.98mm)，厚度为 0.167 英寸(4.24 mm)，具有 0.25W 的功率等级和 300V 的工作电压。器件具有规范的包覆式接头，避免由于热膨胀系数不同而 导致焊锡圆角破裂的风险，坚固耐用的模压密封优化了恶劣环 境中的产品性能。电阻工作温度范围：-55+150。器件规格表： IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它 提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负

3、载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计 算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件 中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这 些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真 工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与

4、 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分 析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反 射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构 分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真， 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理 测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户 无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表 组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有 下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在

5、 IBIS 仿 真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均 可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商 推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它 提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计 算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件 中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这 些被记录参数

6、如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原 始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分 析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反 射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析

7、、拓扑结构 分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真， 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理 测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户 无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表 组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有 下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿 真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均 可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真

8、几个不同厂商 推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它 提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计 算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这 些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真 工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原 始数据转换为 IBIS

9、 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分 析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反 射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构 分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真， 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理 测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户 无需

10、对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表 组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有 下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿 真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均 可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商 推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它 提供一种标准文件格式来记录如驱动

11、源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件 中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这 些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真 工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原 始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供

12、 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分 析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反 射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构 分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真， 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理 测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户 无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表 组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有 下降。 非会聚是 S

13、PICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿 真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均 可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商 推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计 算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件 中如何记录一个芯片驱动器和接收器不

14、同参数，但并不说明这 些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真 工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原 始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分 析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反 射、振荡

15、、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构 分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真， 它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理 测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户 无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表 组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有 下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿 真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持 IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均 可从互

16、联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商 推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确 建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它 提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降 时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计 算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件 中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这 些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真 工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工 作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原 始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别 布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能 够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供 准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结 构化方法更快仿真速度；可用于系统板