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1、?,少、年第期电子 产 品可靠性与环境试验!#集成电路电过应力损伤的模式和机理吴建 忠中国华 晶 电子集团公司,江苏无锡,? ? %?等。放电时间 图 人体放电模型及放电曲线%!氢?,图?机械模型电子 产品可靠性与环境试验沟 道的温 升一,从而导致栅上的栅氧 化层介质强 度减弱,这 时所加电压 足以引起场引入的栅 氧 化层的电击穿,我们称之为“二 次效应”“一8二次效应的症状表现 为衬底中晶格结构的损伤和在栅氧化层边缘的电击穿。位置一般在输入保护结构和输 出驱动器 上。?结 的轻徽热损伤?、(结 的轻 微热损伤是 由于人体模型的+#/或+#引起的,损伤位置 一般在输入和输出附近或与和。内连的扩
2、 散区附近。3?2结的热击穿当反 向电压超过规 定值时就有一个反向 电流流过?结损 耗的功率导致热斑。所 瑙纷上形鬓黔瞥一 走扭南痴岭。种?。结上方形成一个熔化的沟道,结果形成了一 条通 向邻近属于 导电多晶硅下的扩散区3 2? 25在接触孔处尖峰的形 成在热击穿的情况下或在正常工作期 娜屠无# 的溶化,绒的帐期过应力将引起 尖峰的产生幻2一:没有渗透至?结的尖蜂将导致一个?层结构 结构,这就要引起?结构电行为的烧毁,见哥。 渗翻娜结的尖毓产生一个通 过 结的低阻桥,并进一步加娜热一电迁移,见图。 冀馨淤翠濒7当附加更大能最时,熔化的 率伞那流进溶+ #对金月引蟋和电阻器的损伤化沟道,并填充之8凝固后导龟的桥就真有阻值%2一。见图所示。人体模型的静电放电和工作中的电过应 树常件娜铆大电瘫娜难,这将损伤金属引线和电阻器。位置 一般在集成电路的输入保护结构 上。图 %是实例照片。
