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1、存储器分类 简称：Cache 标准：Cache Memory 中文：高速缓存 高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般 RAM 来得快。当中央处理 器 (CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就 不 需从内存中读取数据。由于 CPU 的运行速度通常比主存储器快，CPU 若要连续存取内存 的话， 必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应 CPU 的读取速度。如 Intel 的 Pentium 处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称 为 L1 高速缓存(Memory)。L2 高速缓存则通常是一
2、颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。 简称：DDR 标准：Double Date Rate 中文：双倍数据传输率 DDR 系统时脉为 100 或 133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即 200 或 266MHz，系统 使用 3.3 或 3.5V 的电压。因为 DDR SDRAM 的速度增加，因此它的传输效能比同步动态 随机存取 内存(SDRAM)好。 DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM memory technology is an evolutionary t
3、echnology derived from mature SDRAM technology. The secret to DDR memorys high performance is its ability to perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput of SDRAM 简称：DIMM 标准：Dual in Line Memory Module 中文：双直列内存条 DIMM 是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片 PCB 板上模块，它实际上 是一 种
4、封装技术。在 PCB 板的一边缘上，每面有 64 叫指状铜接触条，两面共有 168 条。 DIMM 可以分 为 3.3V 和 5V 两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是 3.3V 含 缓冲器类型，而 DIMM 还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储 存各 种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。 简称：DRAM 标准：Dynamic Random Access Memory 中文：动态随机存储器 一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差 异 在于 DRAM 需要由存储器控制电路按
5、一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM 的数据 则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。 简称：ECC 标准：Error Checking and Correction） 在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改 正。 简称：EDO DRAM 标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory 中文：EDO 动态随机存储器 EDO DRAM 也称为 Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存 (DRAM)读取 效能的存储器，为了提高 EDO DRAM 的读取效率，ED
6、O DRAM 可以保持资料输出直到下 一周期 CAS#之下降边缘，而 EDO DRAM 的频宽由 100 个兆字节(MB)增加到了 200MB。 简称：EEPROM 标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 中文：电子抹除式只读存储器 非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同 时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的 参 数。 这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个 数 据的大约时间在 2-10ms 之间。
7、支持单字节单元擦除功能。 简称：EPROM 标准：Erasable Programmable Read-Only Memory 中文：紫外擦除只读存器 非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统 (BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。 这种存储器不支持再线修改数据。 简称：Flash 标准：Memory 中文：闪烁存储器 非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再 线修改数据，写数据的速度比 EEPROM 提高 1 个数量级。 Flash 应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA 上的操
8、作系统等。简称：FeRAM 标准：Ferroelectric random access memory 中文：铁电存储器 ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile memory that combines high-performance and low-power operation with the ability to retain data without power. FRAM has the fast read/write speed and low power of b
9、attery-backed SRAM and eliminates the need for a battery 简称：MRAM 标准：Magnetoresistive Random Access Memory 中文：磁性随机存储器 磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有 IBM、Infineon (英飞凌)、Cypress 和 Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的 Flash 存储器，可达 1015，读写时间可达 70nS， 简称：RAM 标准：R
10、andom Access Memory 中文：随机存储器 随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机 CPU 控制，是计算机主要的储存区域， 指 令和资料暂时存在这里。RAM 是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键 盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助 CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅 助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打 印机、显示器。 RAM 的大小会影响计算的速度，RAM 越大，所能容纳的资料越多，CPU 读取的 速度越快。 简称：RDRAM 标准：Ra
11、mbus DRAM 中文：Rambus 动态随机存储器 这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了 1000Mbps 的传送速率，作业时不 会 间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的 200mbps 更加快速，当然价格比要 DRAM 贵。 虽然 RDRA 无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代 DRAM 与静 态随机 存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM 的运算速度为 100 赫兹 (Hz ) ，制造商展示的 RDRAM 则 可达 600MHz，内存也只有 8 或 9 位 (bit ) 长，若将 RDRAM 并排使用，可以大幅增加频宽
12、 (Bandwidth) ，将内存增为 32 或 64 位。 简称：ROM 标准：Read Only Memory 中文：只读存储器 只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读 取保存在这里的指令，和使用储存在 ROM 的数据，但不能变更或存入资料。 ROM 被储 存在一 个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存 多 用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM 储存用来激活计算机的指令，开机的时候 ROM 提 供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查 RAM 位置(location)以 确
13、认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及 CPU 本身也被纳入 CPU 的测试中。 简称：SDRAM 标准：Synchronous Dynamic RAM 中文：同步动态随机存储器 SDRAM 的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比 EDO 动态记忆模块 (EDO DRAM ) 的速度还快，采用 3.3V 电压(EDO DRAM 为 5V)，168 个接脚，还可以配 合中央处 理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有 66 与 100MHz 不同的规格，100
14、MHz 的规格 就是 大家所熟知的 PC100 内存 (Memory ) 。 简称：SIMM 标准：Single In-Line Memory Module 中文：单直列内存模块 内存(Memory )模块的概念一直到 80386 时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的 接脚主要为 30 个，可以提供 8 条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取 (Access)为 32 个字节，所以分为四条一组，因此 80386 以四条为一个单位。而今一条 SIMM 为 72Pins，不过只能提供 32 字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为
15、 64 字节(bite)， 因此一个主机板上必须有两条 SIMM 才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。 简称：SRAM 标准：Static Random Access Memory 中文：静态随机存储器 SRAM 制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用 6 个晶体管(transistor)组 成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制 造 成本较高，单片难以做到 DRAM 那样容量。 简称：VCM SDRAM 标准：Virtual Channel Memory SDRAM 中文：虚拟信道存储器 1999 年由于 SDRAM 在市场上大
16、为缺货，而由日本 NEC 恩益禧搭配一些主机板厂商及芯 片组 (Chipset)业者，大力推广所谓的 VCM 模块技术，而为消费者广为接受，日本 NEC 更希望 一举 将 VCM 的规格推向工业级标准。VCM 内存规格是以 SDRAM 为基础观念所开发出的新产 品，并加 强原有的 SDRAM 功能。昔日的 SDRAM 须等待中央处理器(CPU)处理完资料或 VGA 卡处 理完资料 后，才能完整地送至 SDRAM 做进一步的处理，然而 VCM 的内部区分为 16 条虚拟信道 Virtual Channel） ，每一个信道都负责一个单独的 memory master，因此可以减少内存(Memory)接口 的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与 日本 NEC 技术合作，在台湾推出以 PC133 (PC133) VCM 内存模块为设计的笔记型计算机， 由于 VCM 技术可以减少内存接口的负担，以
