《霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量》由会员分享，可在线阅读，更多相关《霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量（10页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量086041B 班 D 组 何韵 摘要：霍尔效应是磁电效应的一种，利用这一现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工 业自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法. 本实验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求，使用霍尔效应试验 组合仪，采用“对称测量法”消除副效应的影响，经测量得到试样的 VHIM和 VHIS曲线， 并通过实验测定的霍尔系数，判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁 移率等重要参数.关键词：霍尔效应 hall effect，半导体霍尔元件 semiconductor hall effec
2、t devices， 对称测量法 symmetrical measurement，载流子 charge carrier，副效应 secondary effect美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于 1879 年在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应.这个电势差也被叫做霍尔电势差.霍尔的发现震动了当时的科学界,许多科学家转向了这一领域，不久就发现了爱廷豪森(Ettingshausen)效应、能斯托(Nernst)效应、里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应和不等位电势差
3、等四个伴生效应.在霍尔效应发现约 100 年后,德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍耳效应,这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一,克利青为此获得了 1985 年的诺贝尔物理学奖.之后，美籍华裔物理学家崔琦 (Daniel Chee Tsui,1939- )和美国物理学家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施特默(Horst L. St rmer，1949-)在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了 1998 年的诺贝尔物
4、理学奖.最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自旋霍尔效应”的研究.“量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言，之后被实验证实.这一成果是美国科学杂志评出的 2007 年十大科学进展之一.如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算设备的产生.目前工业上应用的高精度的电压和电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的,误差精度能达到0.1%以下.一、霍尔效应的原理1. 霍尔效应霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转.置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，即霍尔电场 EH ,这个
5、现象被称为霍尔效应.在 x 方向通以电流 IS ,在 z 方向加磁场 B,则在 y 方向即试样 A-A电极两侧因一号电荷的聚集而产生附加电场.电场的指向取决于式样的导电类型，如图 1 示.霍尔电场 EH阻止载流子继续向侧面偏移，平衡时载流子所受电场力等于洛仑兹力BveeEH得BvEH其中 为载流子在电流方向的平均漂移速率.v设试样宽 b(y 方向的长度)厚 d（z 方向的长度） ，载流子浓度为 n，则 IS=nbd e 得,由此得到,vnbdeIvS.dBI nendeBIbEVSS HH1VH与 ISB 乘积成正比，与试样厚度 d 成反比，比例系数 RH=1/ne 称图 1EH0 P 型 E
6、H0, P 型为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数.,其中磁场单位用 T.)/(1034CcmBIdVRSH H2. RH与其他参数的关系（1）由 RH的符号判断导电类型：三元组（IS,B,EH）满足右手螺旋法则，则导电类型为 N 型，反之为 P 型.（2）由 RH求载流子的浓度：假定所有载流子的漂移速度相同，则.若考虑载流子的统计分布，须引eRnH1入 3 /8 的修正因子.（3）结合电导率 求载流子的迁移率 .由 =ne 得 =|Rh|.3. 霍尔效应与材料性能为得到较大的霍尔电压，根据其产生原理，可以采取下述方法：（1）关键是选取 RH较大的材料,而 RH=（其中 为电阻率） ，
7、金属导体 和 都很小，不良导体 较大，但 太小，都不适合做霍尔元件.只有半导体 和 大小适中，是制作霍尔元件的较理想材料.由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，一般霍尔元件采用 N 型材料.（2）其次是减小 d，因此常用薄膜型霍尔器件.一般，用霍尔灵敏度来表示器件的灵敏度.)mV/(mA.T)(1 nedKH二、霍尔效应的副效应上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多,在产生霍尔电压HV的同时,还伴生有四种副效应,副效应产生的电压叠加在霍尔电压上,造成系统误差.为便于说明，画一简图如图 2 所示.（1）爱廷豪森(Ettingshausen)效应引起的电势差EV.由于电子实际上并非以同一速度
8、v 沿 X 轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点 3 的侧面,从而导致 3 侧面较 4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4 侧面出现温差,产生温差电动势EV.EV的正负与 I 和 B 的方向有关.（2）能斯托(Nernst)效应引起的电势差NV.焊点 1、2 间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故 1、2 两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流.与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在 3、4 点间形成电势差NV.若只考虑接触电阻的差异，则NV的方向仅与 B 的方向有关. （3）里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应产生的电势差RV.在能斯托效应的热扩散电流的载流子由于速度不同
9、,一样具有爱廷豪森效应,又会在 3、4 点间形成温差电动势RV. RV的正负仅与 B 的方向有关,而与 I 的方向无关.（4）不等位电势差效应引起的电势差0V.由于制造上困难及材料的不均匀性,3、4 两点实际上不可能在同一条等势线上.因此,即使x y z I 1 2 I 4 3 B 图 2 在磁场中的霍尔元件未加磁场,当 I 流过时,3、4 两点也会出现电势差0V. 0V的正负只与电流方向 I 有关,而与 B 的方向无关.综上所述,在确定的磁场 B 和电流 I 下，实际测出的电压是HV、EV、NV、RV和0V这 5 种电压的代数和. 根据副效应的性质,采用电流和磁场换向的对称测量法,尽量消减它
10、们的影响.具体做法如下： 给样品加（B、I）时,测得 3、4 两端横向电压为1VHVEVNVRV0V; 给样品加（B、I）时,测得 3、4 两端横向电压为2VHVEVNVRV0V; 给样品加（B、I）时,测得 3、4 两端横向电压为3VHVEVNVRV0V; 给样品加（B、I）时,测得 3、4 两端横向电压为4VHVEVNVRV0V;由以上四式可得1V2V3V4VHVEVHV41 （1V2V3V4V）EV通常EV比HV小得多,可以略去不计,因此霍尔电压为HV41 （1V2V3V4V）.三、具体实验过程实验采用霍尔实验组合仪,给定的霍尔元件长 l=1.5mm, 宽b=1.5mm, 厚 d=0.2
11、mm,KH=184mV/(mA.T). 1.首先根据仪器性能,连接测试仪与试验以之间的各种连线，注意接线对应连接.2.实验中使用换向开关改变电源正负极的连接从而改变电流和磁场的方向,可以实现对称测量.在作 VHIS曲线和 VHIM曲线时,使用控制变量法.3.将测试仪的功能切换置于“VH”.当 IM=500mA（磁感应强度 B）保持不变时,调整 IS,用换向开关改变电流和磁场的方向,测1V，2V，3V，4V.列表记录数据如下：V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)IS(mA)B, ISB, ISB, ISB, IS（mv44321VVVVVH）0.5-1.170.88-0.881.17
12、-1.031.00-2.341.76-1.762.34-2.051.50-3.502.62-2.633.50-3.062.00-4.663.50-3.504.67-4.082.50-5.824.37-4.375.83-5.093.00-6.995.27-5.247.01-6.13作 VHIS曲线注意到随着B 和 IS 的方向的改变,测得的1V，2V，3V，4V大小不同,这是由于霍尔效应的副效应引起的,最后用得到可消除副效应对结果的影响.44321VVVVVH4.当 IS=3.00mA 保持不变时,调整 IM ， 再次用换向开关改变电流和磁场的方向,测1V，2V，3V，4V列表记录数据如下：V1
13、(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)IM (A) B, ISB, ISB, ISB, IS44321VVVVVH （mv）0.100-2.110.35-0.352.11-1.230.150-2.710.95-0.952.71-1.830.200-3.321.57-1.563.32-2.440.250-3.932.17-2.173.93-3.050.300-4.542.784.55-2.78-3.660.350-5.163.40-3.405.16-4.280.400-5.774.01-4.015.77-4.890.450-6.394.62-4.626.39-5.500.500-7.005
14、.24-5.247.00-6.12作 VHIM曲线判断霍尔片的导电类型：当 IS0，IM0 时，VH小于零 ，则霍尔片为 N 型半导体。由给定的 KH,根据公式 KH=RH/d 得霍尔系数：)/(1068. 334CcmRH由 VHIS曲线得, 载流子浓度：04. 2dBR IVHSH314107 . 11cmeRnH5.将测试仪的功能切换置于“V”,在零磁场(IM=0)下,测 .列表记录数据如下：IS（mA）0.501.001.502.002.503.00V（mV）396783117615711962-计算：, 得电导率：=6.38 -1.m-17841 bdIVS迁移率：12.235. 0mRH四、扩展应用半导体随着温度升高,迁移率 增大, 基本不变,由此判断 RH随温度的升高而增大,这样可以制造对温度敏感的霍尔元件,用于测量制造温度传感器,或是用于测量温度变化引起元件的微小形变.参考资料：张志东、魏怀鹏、展永 et al.，2004.大学物理实验（第二版）. 科学出版社, 354-358韦凤年 , 2006. 怎样写科技论文. 河南水利,9
