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1、在电子束斑直径为在电子束斑直径为 2525 纳米时纳米时, ,最大束流可达到最大束流可达到 10nA10nA值得拥有的资料是来自平时学习积累总结的有问题的地方肯定有的还请大家批评指正！电子束直写系统技术指标：1.热场发射电子枪2. 50 和 100KeV 电子能量3. 可放置的样品最大尺寸为 150X150 mm 的样品架, 样品台的定位: 激光干涉仪定位精度 0.62 纳米4. 50MHz 图形发生器（带低噪声 20 位主场偏转系统以及 14 位trapezium 单元形貌定义）5可装 2 个样品夹持架的可直接装载的 airlock6在 50Kev 下写场大小为1.0 毫米 X1.0 毫米
2、（电子束斑直径大小为 10 纳米时）在最小电子束斑直径 6 纳米下最大束流 可达 0.3 nA在电子束斑直径为 10 纳米时最大束流可达到 2.5nA,在电子束斑直径为 25 纳米时最大束流可达到 10nA7在 100KeV 下写场可达到1000 微米 X1000 微米 （电子束斑大小为 10 纳米）电子束版和最大束流需达到如下要求：电子束斑直径大小 （纳米）束流大小 （nA） 2.20.150.5108.0202027408电子束流的最大偏差：0.5%Hr (开环)电子束流的均匀性： (在 1mm1mm 的写场下)电子束流稳定性： 50 nm/hr （开环）9真空腔内的温度稳定度 为 10工
3、作台聚焦平面探测器精度： 行程: 100m from nominal重复率: 0.5m (between 30m)1.0m (between 50m)11 工作室和双位空气锁系统 400 l/s 分子泵加无油预抽真空干泵组成 / 空气锁无油真空干泵. 工作真空度 1 x 10-6 mBar (1 x 10-4 Pa). （在一小时暴露在空气环境下）达到工作真空需要的时间大约 2 小时空气锁在暴露在空气中 10 分钟后需要 15 分钟达到 5 x 10-5mbar (5 x 10-3 Pa).12电子枪发射室 两 55 l/s 离子溅射泵真空室具有烘焙能力已提供更高的真空度.工作压强为5 x 1
4、0-8 mBar (5 x 10-6 Pa).13真空控制系统是由是由可编程逻辑控制器以及 LCD 触摸屏系统和 PC 图形界面构成14电子束偏转控制系统无论是在 50KV 电压下还是 100KV 电压下电子束偏转场的大小都为 1mmX1mm, 主偏转场的定位是 20 位的位移分辨率在此基础上利用不等四边形偏转器写单元的形状它的分辨率为 14 位自动偏转校正系统用于校正由于扫描的非线性和散焦以及散光引起的误差光束步进率可在 500Hz 到 50MHz 内选择15写的方法：使用高斯光束斑点主场矢量扫描+“trapezium“形貌填充.最大可写范围 155 mm x 155 mm曝光剂量校准：对于
5、“Proximity effect“的校准可以用无限次的曝光剂量等级16束流校准：在 大于 100pA 和小于 200nA 间自动校准电子束流. 17偏转校正：光束质量 (焦点, 散光和 场的畸变) 是在整个偏转场范围内动态校准.电子束斑的移动精度最高为 0.16 纳米18标志识别速度: 在硅基片上的金属标记 4m 方块速度： 0.8 秒每个（束流大小在 1 nA 和 100 nA 间）.1.5 秒每个（束流大小在 100 pA 和 1nA 间）19标记探测的可重复性: 10 nm, 3 sigma, （对于束流小至 100 pA）.20自动高度校准:21精度：8nm 线阵（ 500?m 写场
6、下）均匀性为：8 ?3nm 100kV10nm 线阵（1000?m 写场下）均匀性为：10 ?3nm 100kV 22拼接精度：15 nm （1mm 主场）100kV,20 nm （1mm 主场）50kV,23套刻精度：15 nm（1mm 主场） 100kV,20 nm （1mm 主场）50kV,24直写精度：15 nm （1mm 主场）100kV,20 nm （1mm 主场） 50kV,25如果在电子束直写系统操作中必须要用的辅助工具则要求提供比如套刻定位标记读取和样品高度读取用光学显微镜或水平高度激光探测系统提供相应的用于 Proximity 校准的软件和图形转换软件等所有软件26样品夹持
7、架：共 10 个2 英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考）3 英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考）4 英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考）6 英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考）4 英寸晶圆夹持架 一个 （底部参考）6 英寸晶圆夹持架 一个 （底部参考）150 mm X 150 mm 碎片夹持架 4 个27. 工艺指标验收： 1） 、最小线宽（1）光刻胶厚度：30nm 线条宽度：nm（2）光刻胶厚度：250nm 线条宽度：30nm线条长度：100mm（3）测试样品:4 英寸 Si 晶片2） 、拼场/套刻精度（1）线条宽度：20nm写场：100mm（2）光刻胶厚度：100nm（3）测试样品:4 英寸 Si
8、晶片（4）拼场/套刻精度:20nm,均值+33） 、连续直线条（1）线条宽度：50nm线条长度：20mm（2）光刻胶厚度：100nm（3）测试样品:4 英寸 Si 晶片（4）拼场精度:10nm注：必须提供“工艺指标“中涉及的各个参数的详细测量标准和步骤28. 标准附件、标准工具及选配件：1）.标准附件及工具：按标准配置由厂家提供包括备品备件、消耗品及专用工具2）.选配件产品配置要求：2.1）.电子束曝光机：1 套2.2）提供安装有在线操作软件的操作服务器 1 套并且额外提供至少 1 套安装有全套软件的离线操作服务器及 2 套离线操作软件2.3）操作及安装手册各 1 套2.4）维护操作手册和维修电路图各 1 套2.5）标准附件及工具：用于 3 年的备品备件及消耗品1 套专用工具29. 现场振动和电磁有一定的超标需要提供相应的主动防振平台和消电磁装置1
