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1、杭州国晶电子科技有限公司技术支持：0571-56862135 专业可控硅模块制造商可控硅模块在恶劣环境条件下的应用可控硅模块参数与其芯片所处环境条件有十分密切的关系， 在高海拔、低温环境下工作时，用户需要注意合理运用，保证器件可靠地运行。杭州国晶可控硅模块出厂参数标注值中，阻断电压、漏电流、di/dt、dv/dt等参数是指在125（杭州国晶的 H 系列高结温可控硅模块以上参数是在140）额定结温条件下的测量值， 这几项参数在低温下仍可保证其性能；门极触发电流IGT、门极触发电压 VGT 是在25室温条件下的测量值，该两项参数随温度升高而减小，随温度降低而增大。在高海拔、低温条件下使用时，需要注
2、意：在高海拔、低温条件下使用时，需要注意：（1）在-40条件下，可控硅模块的门极触发电流值会比25时增加一倍左右，门极触发电压约增加30%，因此要保证设备可靠启动，必须要求有足够强度的可控硅门极触发电流； 即我们杭州国晶一直坚持的要求用户采用强触发方式驱动可控硅模块的原则， 以保证可控硅模块在恶劣环境下能够可靠运行。采用强触发方式驱动我们杭州国晶的可控硅模块对提高器件的 di/dt 性能、 减小开通时间和开通损耗，以及有利于器件串、并联运行具有关键的作用。我们一般建议用户使用的门极触发条件为：门极触发电流幅值 IG=10IGT（500mA-3000mA，5000mA） ；门极电流上开时间 tr1s。（2）在高海拔条件下，风冷散热器的散热能力会明显下降，但较低的环境温度又有利于可控硅模块器件的散热； 因此在使用中须根据现场所可能出现的最高环境温度考虑器件与散热器的选择，要留有一定的电流余量。一般我们建议电流余量放到1.8-2.0倍。（3） 如果用户使用的设备需要频繁启动与停止，将导致可控硅模块频繁的在-35 -125之间进行温度循环， 这将造成可控硅模块热疲劳加速；可控硅模块的使 用寿命与可靠性将大大下降，用户在实际应用中必须引起足够的重视。
