光刻技术知识问与答

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1、何谓 DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较 好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35 微 米以上） 或者较先进制程 （0.35 微米以下） 的Non-Critical layer。 DUV则用在先进制程的Critical layer上。 何为Exposure Field? 答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 何谓 Stepper? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個expo

2、sure field,一個一個曝過去 何谓 Scanner? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan 完整個field, Scan完後再移到下一個field. 何为象差？ 答：代表透镜成象的能力,越小越好. Scanner比Stepper优点为何？ 答：Exposure Field大，象差较小 曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率 和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要

3、时刻维 持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。 何为Reticle? 答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过 曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。 何为Pellicle? 答： Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层 保护膜。 何为OPC光罩？ 答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩， 例如，0.18 微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。 何为P

4、SM光罩？ 答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。 何為CR Mask？ 答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊 0 與 1 干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺？ 答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表产品号，00 代表Special code,156 代表layer,A代表客 户版本，后一个A代表SMIC版本，1 代表FAB1，D代表DUV

5、(如果是J,则代表I-line),A代表 ASML机台（如果是C，则代表Canon机台） 光罩室同时不能超过多少人在其中？ 答：2 人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。 存取光罩的基本原则是什幺？ 答： (1) 光罩盒打开的情况下， 不准进出Mask Room,最多只准保持 2 个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放 如何避免静电破坏Mask？ 答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。 光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？ 答：不能放在一起，之间至少要有 30 公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光 罩。 何谓 Tra

6、ck? 答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和 Develop(显影)等过程。 In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？ 答：均为 4 个 机台上亮红灯的处理流程？ 答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时 Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。 何谓 WEE? 其功能为何? 答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到 较好的图形， 而且有时还会因此造成光阻peel

7、ing而影响其它部分的图形， 因此 将Wafer Edge 的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。 何为PEB？其功能为何？ 答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。 （消除standing waves） PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻 答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。 RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？ 答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则 进一步查看机台是否有Reject记录。 何谓 Overlay?

8、 其功能为何? 答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或 者后面的层的对准精度， 如果对准精度超出要求范围内， 则可能造成整个电路不能完成设计 的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超 出要求，则必须采取相应措施调整process condition. 何谓 ADI CD? 答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上， 通常如果这些最小的线宽能够成功的成象， 同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。 因此 通常测量CD的值来确定process的条件是否合适

9、。 何谓 CD-SEM? 其功能为何? 答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。 PRS的制程目的为何？ 答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选 择最佳的process condition。 何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？ 答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检 查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为O

10、OC, OOS，OCAP？ 答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？ 答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须 把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。 PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？ 答：5 点，Wafer中间一点，周围四点。 PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？ 答：20 PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？ 答：#1，#6，#1

11、5，#24; 统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？ 答 ： RTMS (Reticle Management System) 光 罩 管 理 系 统 用 于 trace 光 罩 的 History,Status,Location,and Information以便于光罩管理 PHOTO区的主机台进行PM的周期？ 答：一周一次 PHOTO区的控片主要有几种类型 答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於 10 顆(2) Chuck Particle :作 為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Fo

12、cus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5) PR thickness :做 為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer 当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？ 答：有少量光阻 当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？ 答：有少量光阻 WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？ 答：有 光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺? 答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机

13、), Sanner(扫描曝光机) 为什幺说光刻技术最象曰常生活中的照相技术 答： Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上 的电路图形就是“人物“. 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在 芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗 掉, 图形就显现出来了. 光刻技术的英文是什幺 答：Photo Lithography 常听说的.18 或点 13 技术是指什幺? 答：它是指某个产品,它的最小“CD“ 的大小为 0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每 个

14、芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数. 从点 18 工艺到点 13 工艺到点零 9. 难度在哪里? 答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限. 曝光机的NA 是什幺? 答： NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是 1; 先进的曝 光机的NA 在 0.5 -0.85 之间. 曝光机分辨率是由哪些参数决定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1 是标志工艺水准的参数, 通常在 0.4-0.7 之间. 如何提高曝光机的分辨率呢? 答：减短曝光的光波长,

15、选择新的光源; 把透镜做大,提高NA. 现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少? 答： 有三种: 高压汞灯光谱中的 365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生 248 nm 的光; ArF 激光器, 产生 193 nm 的光; 下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器. 波长 157nm 我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里? 答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过 157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能 透过更短波长的材料. 为什幺光刻区采用黄光照明？ 答：因为白光中包含 365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光 照明. 什幺是SEM 答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量 CD 如何做Overlay 测量呢? 答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个 MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方 块中心来确定Overlay的好坏. 生产线上最贵的机器是什幺 答：曝光机;5-15 百万美金/台 曝光机贵在哪里? 答：曝光机