《mems的制造工艺是基本半导体工艺的》由会员分享，可在线阅读，更多相关《mems的制造工艺是基本半导体工艺的（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、MEMS 的制造工艺是基本半导体工艺的，主要包括以下 6 个步骤：1.掺杂与退火； 2.氧化, 表面薄膜技术； 3.光刻； 4.金属化：溅射与蒸发； 5.腐蚀； 6.净化与清洗 。 接下来将详细介绍各个工艺流程： 1.掺杂：IC 掺杂用于改变其物理性质，MEMS 掺杂用于改变其化学性质，而掺杂的主要形式包括注入和扩散。扩散指在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。包括液态源扩散和固态源扩散。而离子注入是杂质原子经高能粒子轰击离子化后经电场加速轰击硅片表面，形成注入层。退火的作用主要是将掺杂层纵向推进，结构释放后消除残余应力，包括热退火，激光退火以及电子
2、退火。 2. 表面薄膜技术：氧化是硅与氧化剂反应生成二氧化硅的过程。化学气相淀积则是使用加热、等离子体和紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成） ，形成固态物质淀积在衬底上。相对的蒸发和溅射为物理气相淀积。 3. 光刻：是用辐照方式形成图形的方法。是唯一不可缺少的工艺步骤，是一个复杂的工艺流程。工艺过程：备片清洗烘干甩胶前烘对准曝光显影坚膜腐蚀工艺等去胶 。 光刻三要素包括：光刻胶、掩膜版和光刻机。 4.金属化：蒸发和溅射是制备金属结构层和电极的主要方法。是物理气相淀积的方法。蒸发工艺利用经过高压加速并聚焦的电子束，在真空中直接打到源表面，将源蒸发并淀积到衬底表面形成薄膜。溅射
3、主要是惰性气体（Ar）在真空室中高电场作用下电离，产生的正离子被强电场加速形成高能离子流轰击溅射靶，靶（源）原子和分子离开固体表面，以高速溅射到阳极（硅片）上淀积形成薄膜。 5.腐蚀：选用适当的腐蚀剂，将掩膜层或衬底刻穿或减薄，以获得完整、清晰、准确的光刻图形或结构的技术。分为：干法等离子体腐蚀和湿法腐蚀湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低，但缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差。 6.清洗：除去器件制造过程中偶然引入的“表面玷污”杂质（来自加工过程或清洗） ，如颗粒、杂质膜、物理吸附或化学吸附等。清洗是一个必需的复杂的工艺过程。 当单独硅片上的工艺完成后，还有一些为最终实现具备设计功能的器件所做的后续工艺。主要是：键合、装配和封装。 封装步骤一般是：释放划片分离分选粘片检验键合引线检验多芯片装配检验封装终测。它的作用在于形成最终结构，实现最终功能；对器件进行保护，防止冲击和腐蚀；便于安装和器件散热等
