肖特基势垒二极管

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1、肖特基势垒二极管肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode ） ，又称为金属 -半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD 用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒区（通常称为“ 表面势垒 ” 或“ 肖特基势垒 ” ） ，产生整流，检波作用。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，反向饱和电流较以少数载流子导电的PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响应仅被RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理

2、想器件。其工作频率可达100GHz。并且， MIS （金属绝缘体半导体） 肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基势垒二极管的正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以N 型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B 中向浓度低的A中扩散。显然，金属A 中没有空穴，也就不存在空穴自A 向

3、 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到A，B 表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为BA。但在该电场作用之下，A 中的电子也会产生从AB的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N 型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场， 提高管子的耐压值。N 型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高 100%倍。在基片下

4、边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E 时，金属 A 和 N 型基片 B 分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo 变窄。加负偏压-E 时，势垒宽度就增加。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN 结整流管有很大的区别，通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr0）

5、 ，使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到 10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN 结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层） 、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料） 、N 型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成（如图 1 所示） 。在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻

6、变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图1 所示。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图2。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。肖特基二极管的检测肖特基（ Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD） ，它是一种低功耗、超高速半导体器件

7、，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、 续流二极管、 保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。（1）性能比较肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、 硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr 虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。（2）检测方法二端型肖特基二极管可以用万用表R1 档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为 2.53.5 ，反向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别

8、出共阴对管，还是共阳对管， 然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。常用的肖特基二极管主要参数常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545 、MBR2535 等型号； 表面封装肖特基二极管有FB 系列。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V 至 0.6V） ；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。这种二极管比p-n 结二极管有更高的使用频率和开关速度，噪声也比较低， 但工作电流较小，反向耐压较低。 目前它主要用作微波检波器和混频器，已在雷达接收机中代替了点接触二极管。