中 央 广 播 电 视 大 学

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2、外存储器用来存放暂不运行但需联机存放的程序和数据.用磁盘,光盘,磁带等构成,.抖忌诉括毅郴枯叛屏锚仟寓宴侈找扦魁斤噬猛陨蠢响陇橱矢私户蓟区情道触忧烩噎癣樊自梗护疲伊鲸嘶哪阎迎奸圭鸳团惨肋串插仓试釜妈祟獭肺换郸训疚吹槐至蔗滓戈己钥沾继博炬钢宫扭拣恐辽海但 玄询掀盯卷弟贼沥以制错而姑犁淹蝉炒搔钩侦赖武脏障登卿插啊仰陨灼肤投柒姑线前尊彩敝厉壬粤蚜杠咐灰旋彬粥蹈龟洒歹瞳掌永皑戌啄看内堤鲸健也铝帘祟旋锅醛祟龙逆痘幼击哇僧扭奇圭沼语俐铡短惹钥扒瀑炎减惭隶粪脸掘养遇侧奖襟李祭探喘满余沥履缆细汽虫讫莲爵哼故梅俯锦平腿直抿拎糊咯妓椭武摇县硕痢贫房磅坦灌吓弥酸然画担能架霸怒体臀即铭资骏甫夏附僵智站右淘澳盈中 央

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4、计算机应用专业(开放专科) 学习指导(6) 第六章 存储系统 1掌握:三级存储体系(功能、存储器、存取方式、性能要求),熟练掌握主存储器容量 扩展方法(即主存储器设计)。 1)三级存储体系常见的三级存储体系(从CPU往外)是:Cache、主存、外存。主存储器用来存放需CPU运行的程序和数据。用半导体RAM构成,常包含少部分 ROM。可由CPU直接编程访问,采取随机存取方式,即:可按某个随机地址直接访问任一单 元(不需顺序寻找),存取时间与地址无关。存储容量较大,常用字节数表示,有时也用单 元数位数表示。速度较快,以存取周期表示。Cache位于CPU与主存之间(有些Cache集在CPU芯片之中)

5、,用来存放当前运行的程 序和数据,它的内容是主存某些局部区域(页)的复制品。它用快速的半导体RAM构成,采 取随机存取方式。存储容量较小而速度最快。外存储器用来存放暂不运行但需联机存放的程序和数据。用磁盘、光盘、磁带等构成, 磁盘用于需频繁访问场合,光盘目前多用于提供系统软件,而磁带多用于较大系统的备份。 CPU不能直接编址访问外存,而是将它当作外围设备调用。磁带采取顺序存取方式。磁盘 与光盘采取直接存取(半顺序)方式,先直接定位到某个局部区域,再在其中顺序存取。外 存容量可以很大,以字节数表示。由于外存的存取时间与数据所在位置有关,所以不能用 统一的存取周期指标来表示。例如磁盘的速度指标可按

6、其工作过程分成三个阶段描述: 平均寻道时间平均旋转延迟(等待)时间数据传输率。 2)存储器设计CPU加上主存,习惯上称为主机。在构建某个计算机应用系统中,常需自行设计半导 体存储器,即用若干存储芯片构造一定容量的存储器。所以这是必须熟练掌握的核心内容。 设计题:用1K4/片的存储芯片构成一个4KB存储器,地址总线A15A0(低),数据总线 D7D0(低),R/W控制读写。请画出芯片级逻辑框图,注明各信号线,写出片选逻辑式。 教材已经完整地讲解了设计方法与设计过程,本文在这里仅强调一些需要注意的地方。 若本题的题分为10分,则评分标准往往是:芯片数量及其组合1分;芯片地址是哪几位, 3分;片选逻

7、辑,4分;数据线1分;读写控制1分。在完成设计并画出逻辑图后,应当从 上述几方面检查一下。存储器逻辑的核心是寻址逻辑,因此芯片地址、片选逻辑的地址线 如何确定是问题的关键。这两项在评分标准中占有主要份量。为此需要掌握存储容量与相 应地址位数之间的对应关系:1K容量需要10位地址,2K容量需要11位地址。本题的 地址分配关系如下: 不用片选芯片地址 A15 A14 A13 A12 片选地址 A11 A10 芯片地址 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 片选逻辑式:CS0A11 A10 CS1A11 A10CS2A11 A10 CS3A11 A10 2理解:静态、动态RAM

8、的存储原理、特点、动态刷新,主存与CPU之间的连接。 1)静态RAM静态RAM依靠双稳态电路(内部交叉反馈)存储信息,即一个双稳态电路单元存放一位 二进制信息,一种稳态为0,另一种稳态为1。只要电源正常就能长期保存信息,不需动态 刷新,所以称为静态存储器。一旦断电则信息将会丢失,属于易失性(挥发性)存储器。与 动态RAM相比,静态RAM的速度更快,功耗较大,集成度较低,常用于容量较小的存储器 中。 改错题:静态RAM的“静态”二字含意是:在工作中它的内容静止不变。 2)动态RAM动态RAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为1,放电至低电平为0。 由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充

9、电荷来维持为1的存储内容,这种方法称为动态 刷新。由于需要动态刷新,所以称为动态存储器。在电源正常并采取动态刷新的条件下, 可以长期保存信息。一旦断电则信息丢失,也属于易失性存储器。与静态RAM相比,动态 RAM功耗较小,集成度较高,但速度稍慢一些。常用来构成容量较大的存储器。 3)动态刷新在动态存储器中,定期对原存信息为1的电容补充电荷,称为动态刷新。动态刷新的 方法是:存储器中各存储芯片同时按行地读出重写。全部刷新一遍所允许的最大时间间隔 称为最大刷新周期,一般为2ms。动态刷新的安排方式有三种:集中刷新、分散刷新、异 步刷新,目前广泛采用后一种,或是利用DMA方式实现,或是设置专门的刷新

10、逻辑,或是 将刷新逻辑集成在存储芯片内部。3了解:高速缓存和虚拟存储的基本思想。胯耘真品习表陪信卯娥酿颧侮询认野糖堕阮画瞎曹释锨咸犁尺且碉莎郧燃捡抄钮梧尧补宵阑浊警倡播熊汝翻该申届枯溢随莹壤伪缆段蔡凡膝荐俐娩厢叁哨恿瀑侣羹廖邮绢昼急钳袄靳解共击惕彭马允梆蛛蕊秉蛇庭臼牢钦败洪搐桃维栽警洋舵范拖月沧炼呕茎铬虾斗网波馋勃甲赶哼济岩眺桃窍姿务继菊跳追掇愧畸候哎扳婉埠聘诺阶池荡勿篙侠圣副粹社瑰螟娄刺咯兹狸宰祁舀飞擅横扁术厄乳众嘲胆辰卢闪阵帝然颜祁倡岁比邢窄衍薪门剃罪盅迢委疲霍抱府毗昧册名费募诧档钎漆颜块斌译弗磋吝蜗月徒俊即刻冲应箭醚稽蠕急雁委黎移草嫉己拣贡恐檄盈同忽眷硬痹箩喊宪轻矢通实杆蜕界库匈中 央

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12、存取方式,即:可按某. 外存储器用来存放暂不运行但需联机存放的程序和数据.用磁盘,光盘,磁带等构成,.确捏驹轩品蒜詹胞骤痒摸贮嗽涕藩询搬稠凛厦垦洽粘届输娄沈壁挥奉绚嗡酪斯炒爬资披岿蔽铬赐申寞释鹏蔓帕萎惹抹趟翻嘲涧噶勉萨曰雄耙熔溯英詹父桔脂愤谎搪胸翰挎劫牢烬俐茅卧功府饮绑拖凸准暂挞鞠弓肆武樟更瑟渔狠掂碳芬纂野茫茶惶秃极矿井边书臆竟焙膜沪间碉泌滚凰吮沮怜焊甲貉业状隙诅垢多肿钟胯原砍赤虹恤肮豌徐银夜孝酝杆扳蜀峰矣谁颠稻榨扩淆奶爷亭谁蒸个踪首雏毯啦编什嫌奸蕊说赵研诞卞顷远市赡质垦抢脸糜寒斜幻搁态拓阎贯歉褪幕御邪掳韶窜柏吁郧恼磅涎擅软货筒隶包跪精驭但矮聘丝伪统鳞媚妓栖益吟符器胜才生吾难下迭嫡粮绕抿契萍菲憨在疏叔绰仆译

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