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1、 ICS 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXXX 太阳电池用多晶硅片 multi-crystalline wafer for solar cell （送审稿） XXXX-XX-XX 发布 XXXX-XX-XX 实施 中华人员共和国国家质量监督检验检疫总局中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发布GB/T XXXXXX 1 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司 本标准主要起草人：万跃鹏 唐骏 游达 段育红 GB/T XXXXXX - 2
2、 - 太阳电池用多晶硅片 1 范围 本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、 检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片生产的太阳电池用多晶硅片。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所 有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各 方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 191 包装储运图示标志 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 15
3、51 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 14264 半导体材料术语 SEMI M6-1000 太阳能光电池用硅片规范 SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片
4、载流子复合寿命的测试方法 3 术语定义、符号及缩略语 GB/T 14264确立的术语和定义适用于本标准。 密集线痕：晶锭切割时，在硅片表面留下的密集型划痕。 4 外形尺寸分类 太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商。 表1 太阳电池用多晶硅片规格系列 外形尺寸，mm 125125 156156 160 180 200 硅片厚度，m 220 5 要求 5.1 外观要求 5.1.1 太阳电池用多晶硅片外观要求表面洁净，无沾污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷；GB/T XXXXXX - 3 - 5.1.2 太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度0.5mm,长度1.
5、0mm,整片2处且无V缺口的崩边缺陷； 5.1.3 太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度0.5mm,长度0.5mm, 整片2处的缺角缺陷； 5.1.4 太阳电池用多晶硅片表面不可以有深度0.5mm的边缘缺陷,并且边缘缺陷的累积长度应 10cm； 5.1.5 太阳电池用多晶硅片表面允许存在长度1cm的范围内晶粒的数量10个。 5.2 尺寸规格要求 太阳电池用多晶硅片的几何尺寸及公差应符合表2的要求,如用户有特殊要求时，由供需双方协商。 表2 太阳电池用多晶硅片几何尺寸及公差要求 外形尺寸，mm 0.5 倒角尺寸，mm 1.50.5 硅片厚度T，m 10% TTV（总厚度变化）m 20% 弯曲度 b
6、ow，m 75 相邻两边的垂直度 900.25 单条线痕Ry值m 15 密集型线痕m 当Ry10m 时无总数量限制，当 Ry10m 时硅片线痕数量应 10条 5.3 性能 5.3.1 太阳电池用多晶硅片电阻率范围为0.5-3.0cm，或由供需双方协商；其检测按GB/T 1551 或GB/T 6616进行。 5.3.2 导电类型: P型或由供需双方协商；其检测按GB/T 1550进行。 5.3.3 氧含量：太阳电池用多晶硅片的间隙氧含量应小于110 18atoms/cm 3 ，或由供需双方协商； 5.3.4 碳含量：太阳电池用多晶硅片的代位碳含量应小于510 17atoms/cm 3 ，或由供需
7、双方协商。 6 试验方法 6.1 太阳电池用多晶硅片的表面质量检验在430lx650lx光强度的荧光灯或乳白灯下进行； 6.2 太阳电池用多晶硅片的外形尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行； 6.3 相邻两边的垂直度检验用万能角尺或相应精度的量具进行； 6.4 线痕深度取单条线痕最大处用表面粗糙度测试仪在垂直线痕左右5mm范围内测量该线痕的极差值 （Ry），当存在多条线痕时应进行多次测量取最大值； 6.5 太阳电池用多晶硅片弯曲度检验按GB/T6619进行，或由供需双方协商； 6.6 太阳电池用多晶硅片厚度测量及TTV测量按GB/T 6618进行； 6.7 太阳电池用多晶硅片电阻率检验按GB
8、/T 1551或GB/T 6616进行； 6.8 太阳电池用多晶硅片导电类型检验按GB/T 1550进行。 7 检验规则 7.1检查和验收 7.1.1产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品 质量保证书。GB/T XXXXXX - 4 - 7.1.2需方可对收到的产品按订货单（或合同）进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规 定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 7.2组批 每批应由相同尺寸和相同电阻率范围硅片组成。 7.3检验项目 硅片检验的项目有：导电类型、电阻率范围、表面质量、外形和几何尺寸。 7.4抽样及检
9、验结果的判定 硅片抽样按GB/T 2828.1正常检查一次抽样方案进行，具体的抽样项目、检查水平和合格质量水 平见表3所示，或由供需双方商定。表 3 检测项目、检查水平和合格质量水平 序 号 检验项目 检查水平 合格质量水平（AQL） 1 外形尺寸 1.0 2 倒角尺寸 1.0 3 硅片厚度 1.0 4 总厚度变化 1.0 5 弯曲度 1.0 6 线痕深度 1.0 7 相邻两边的垂直度 1.0 8 导电类型 S-2 0.01 9 电阻率范围 S-2 0.01 崩边/缺口 1.0 硅片边缘 2.5 表面质量 1.5 10 硅片外观及表面 质量 累计 - 2.5 8 标志、包装、运输、贮存 8.1
10、 标志、包装 8.1.1 产品封装于相应规格包装盒及包装箱内，并在包装盒、箱内填满具有减震作用的填充物，防止 硅片和包装盒松动。特殊包装由供需双方协商。 8.1.2 包装箱外应标有“小心轻放”、“防腐”、“防潮”字样或标志，并注明： a）需方名称、地点； b）产品名称； c）产品毛重、净重；GB/T XXXXXX - 5 - d）产品件数； e）供方名称。 8.2 运输、贮存 8.2.1 产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，且应采取防震、防潮措施。 8.2.2 产品应贮存在清洁、干燥环境中。 8.3 质量保证书 每批产品应附有产品质量保证书，注明： a）供方名称； b）产品名称、规格； c）产品批号； d）产品片数； e）各项检验结果及检验部门印记； f）本标准编号； g）出厂日期。 9 订货单（或合同）内容 订购本标准所列产品的订货单（或合同）内应包括下列内容： a) 外形和尺寸； b) 型号； c) 数量； d) 本标准编号； e) 其他。
