《管子选型损耗计算(3.26)》由会员分享，可在线阅读，更多相关《管子选型损耗计算(3.26)（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1.主管：150V 管子损耗(W) 50V 输入 28V 输入 12.5V 输入管型 15V 输出 5V 输出 15V 输出 5V 输出 15V 输出 5V 输出 备注（15W）SiR838DP 0.16127 0.16158 0.13018 0.13285 0.1738 0.18349 35ASi7738DP 0.16976 0.17033 0.13558 0.1383Si7430DP 0.15616 0.15682 0.13371 0.13796Si4472DY 0.15616 0.15682 0.13371 0.1379650V 输入 28V 输入 12.5V 输入15V 输出 5V 输
2、出 15V 输出 5V 输出 15V 输出 5V 输出 备注（30W）SiR838DP 0.22755 0.24 0.2343 0.2541 0.46748 0.51293 35ASi7738DP 0.2402 0.25376 0.24242 0.2627Si7430DP 0.2307 0.24472 0.27059 0.29817以 SiR838DP 为例： 工况 15V 输出 /12.5V 输入 /15W 功率 Vout 15 Vin 12.5 P 15管子工况：N 0.5 Vout 10( ) 1.2 Vout 10( ) 1.2Ud VoutN Vin 25 I0 PVin D 2.4
3、 D VoutVout Vin N 0.5参数准备：2075 10 12 Cgs Cgd 155 10 12 Cds Cgd 45 10 12 CgdFind Cgs Cgd Cds( )2.03 10 945 10 12110 10 12f 300 103 Ug1 8 UT 2 gm 28 Rg 1.4 ton 16 10 9 Qg3 26 10 9计算过程：a开关损耗tr1 Rg Cgs Cgd( ) ln Ug1 UTUg1 UT I0gm 4.18 1011Ugsso UT I0gm 2.086tfv Rg Cgd Ud2 Ug1 Ugsso( ) 1.332 10 10Pon 12
4、Ud I0 tr1 tfv( ) f 1.575 10 3trv Rg Cgd Ud2 UT I0gm 3.776 10 10tf1 I0 Rg Cgs Cgd( )gm UT I0gm 1.194 10 10Poff 12 Ud I0 tf1 trv( ) f 4.47257 10 3Pcond I02 Ron D 0.09504Pon Poff Pcond 0.10109b电容损耗Pc 12 Cds Ud2 f 0.01031c驱动损耗Pdrive f Ug1 Qg3 0.0624计算结果(总损耗 )：P Pdrive Pc Pon Poff Pcond( ) 0.17382.同步整流管：
5、100V(当输出为 15V 时的整流管 )损耗(W) 50V 输入 28V 输入 12.5 输入管型 15V 输出 15V 输出 15V 输出 备注（15W）Si4100DY 0.07369 0.08653Si4484EY 0.07314 0.06206Si4486EY 0.09847 0.09138Si7454DP 0.07074 0.05966 0.1072 7.8A15V 输出 15V 输出 15V 输出 备注（30W）Si4100DY 0.15925 0.25099Si4484EY 0.09629 0.09487Si4486EY 0.1328 0.14737Si7454DP 0.093
6、89 0.09247SiR432DP 0.11613 0.13369 0.3048 28ASi7322DN 0.12471 0.18165Si4190DY(6V) 0.49514 0.27184SiS892DN(6V) 0.26542 0.166963 . 同步整流管：50V(含高于 50V 的管子) (当输出为 5V 时的整流管)损耗(W) 50V 输入 28V 输入 12.5 输入管型 5V 输出 5V 输出 5V 输出 备注（15W）Si7164DP 0.13493 0.12875 0.17267 60ASi7174DP 0.14113 0.13669Si7186DP 0.14382 0
7、.1559Si7852ADP 0.12078 0.15714SiE876DF 0.15141 0.14006SiJ482DP(6V) 0.16037 0.11419SiR662DP(6V) 0.24564 0.12312SiE818DF(6V) 0.13107 0.13847SiR826DP(6V) 0.19271 0.11276SiR880DP(6V) 0.18922 0.12079SiS468DN(6V) 0.11398 0.163555V 输出 5V 输出 5V 输出 备注（30W）Si7164DP 0.17999 0.21229 0.41672 60ASi7174DP 0.19042
8、0.22966Si7186DP 0.23799 0.32512Si7852ADP 0.26312 0.43449SiE876DF 0.20978 0.22666SiJ482DP(6V) 0.24600 0.24628SiR662DP(6V) 0.32226 0.18368SiE818DF(6V) 0.23211 0.30861SiR826DP(6V) 0.25158 0.20297SiR880DP(6V) 0.27469 0.24199SiS468DN(6V) 0.32797 0.58488(1) NPN柱电流=3A, Vceo=60V, fp=130MHz, Hfe=100-300(2) P
9、NP柱电流=3A, Vceo=60V, fp=130MHz, Hfe=100-300（3 ） P 沟道 JFET, Id=2A；Vds=100V ; Pd=20W（4 ） TLV431，尺寸尽量小，尺寸小于 So8，损耗同 TLV431（70mW ）,封装 SOT-23。（5 ）光耦 PS2801 能否封装为 SO-4给出上述原型管和国产化尺寸，要求封装兼容，尽量小。4.供电推挽三极管(1)管子型号 FZT851TA(NPN) 2SD965AIc=6A, Icc=2mA , Vceo=60V, fp=130MHz, Hfe=100-300(2) 管子型号 FZT951TA(PNP) HB772HQIc=6A, Icc=1mA , Vceo=60V, fp=125MHz, Hfe=100-3005.启动管子(1) P 沟道 GFET, 管子型号 2N6845Id=4A, Vds=100V ,Pd=20w,Rdson=0.69;(2) NPN 三极管 , 管子型号 MMBTA06LT1G(BC1653N4)Ic=0.1A, Vceo=80V,Icc=10mA, Icm=0.5A, fp=100MHz,Hfe=100
