《电池线知识汇总》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电池线知识汇总（7页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、电池线知识归纳一、 生产流程一次清洗扩散二次清洗PECVD丝网印刷测试分选二、 各工序作用一次清洗（制绒工序国产设备）：将硅片表面进行化学腐蚀，去除硅片表面的损伤层并形成绒面。一次清洗（酸洗工序国产设备）：去除硅片表面的金属离子和氧化层，使硅片表面洁净达到扩散要求。一次清洗（RENA 设备）：将硅片进行化学腐蚀，去除硅片表面的损伤层并形成绒面。扩散：在清洗后的 P 型硅片表面通过高温扩散的方式形成一层 N 型，使整个硅片形成 PN结。二次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）：通过气体辉光放电的方式形成等离子体，将扩散后的硅片边缘 N 型去掉，防止边缘漏电。二次清洗（清洗工序国产设备）：对等离子刻蚀后
2、的硅片表面进行化学清洗，去除硅片表面的磷硅玻璃。二次清洗（RENA 设备）：对扩散后的硅片表面进行化学刻蚀及化学清洗。PECVD:通过等离子化学沉积的方法形成氮化硅薄膜，以增加表面的光吸收和减少硅片表面的载流子复合。丝网印刷：通过丝网印刷的方法，将导电浆料印刷到硅片上，以引出太阳能电池的电极，最后通过烧结炉对硅片进行烧结，使电极材料和硅形成良好的欧姆接触。测试分选：对烧结后的电池片的电性能进行测试，并根据其转换效率进行分选，最后按档位分别包装入库。三、 各工序所用设备和工具以及原辅料工序名 所用设备和工具 所用原辅料一次清洗（制绒工序国产设备）制绒清洗机、花篮、片盒、推车 NAOH 、 HF、
3、 Na2SiO3 、IPA 氮气、去离子水一次清洗（酸洗工序国产设备）酸洗清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车HF 、HCl 、氮气、去离子水一次清洗（RENA 设备）RENA 一次清洗机、片盒、周转车、推车HF、 HNO3 、氮气、去离子水、KOH、 H2SO4扩散 石英舟、石英吸笔、舟叉套管、净化插片台、卸片台、扩散炉、承载片盒、方块电阻测试仪、少子寿命测试仪三氯氧磷、三氯乙烷、氧气氮气、氢氟酸、盐酸、去离子水二次清洗（等离子刻蚀工序国产设备）夹具、垫板、等离子刻蚀机、冷热探针四氟化碳、氧气、氮气二次清洗（清洗设备）二次清洗机、甩干机、花篮、片盒、推车HF、氮气、去离子水二次清洗（RENA 设
4、备）RENA 清洗机、片盒、周转车 硝酸、HF、KOH、HCL 氮气、去离子水PECVD（板式） 板式 PECVD 镀膜设备、石墨框、 硅烷、氮气、氨气片盒PECVD（管式） 管式 PECVD 镀膜设备、石墨舟、片盒石英吸笔、周转车氨气、硅烷、氮气丝网印刷 印刷机、烘干炉、网版浆料搅拌机、烧结炉单晶：PV147、儒兴铝浆、PV149 多晶: PV505、儒兴铝浆、PV16A测试分选 测试分选仪、塑封机、包装机 泡沫盒、瓦楞板、封箱带四、 主要设备工艺参数1、 一次清洗（制绒工序国产设备）1#预清洗 3#去损伤 5#8#制绒槽片源 初始配比时间(S)温度()初始配比时间(S)温度()初始配比时间
5、(S)温度()自动补液 手动补液硅切部片源3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠60 70 1.25KG氢氧化钠 6L IPA.0.7L 制绒辅助品110076 每过一篮补 625ml氢氧化钠 250ml IPA每过 3篮补100ml 制绒辅助品外购片3KG柠檬酸60 90 15KG氢氧化钠80 80 1.25KG氢氧化钠 6L IPA.0.7L 制绒辅助品900 76 每过一篮补 625ml氢氧化钠 250ml IPA每过 3篮补100ml 制绒辅助品一、 二线工艺参数对照表1#预清洗 3#去损伤 5#8#制绒槽片源 初始配比时间(S)温度()初始配比时间(S)温度()初始配比时间(S)温
6、度()自动补液 手动补液硅切部片源3KG柠檬酸120 90 2KG氢氧化钠60 70 1.25KG氢氧化钠 6L IPA.0.7L 制绒辅助品110076 每过一篮补 1250ml氢氧化钠 300ml IPA每过 3篮补100ml 制绒辅助品外购片3KG柠檬酸60 90 15KG氢氧化钠80 80 1.25KG氢氧化钠 6L IPA.0.7900 76 每过一篮补 900ml氢氧化钠 300ml 每过 3篮补100ml 制绒辅助L 制绒辅助品IPA 品三、 七、八线工艺参数对照表2、 一次清洗（酸洗工序国产设备）槽位 功能 配比 液位 时间1# HCl HCl 20L 最上面刻度 120s2#
7、 漂洗 / / 120s5# 混合酸洗 HF 20LHCl 8L最上面刻度 120s6# 喷淋 / / 100s7# 漂洗 / / 100s8# 慢提拉 / / 30s9# 烘干 / / 300s10# 烘干 / / 300s适用于一中心扩散前酸洗备注：各槽位温度都在常温下，酸槽换液频率为 12 小时槽位 功能 配比 液位 时间 鼓泡流量1# HCl HCl 20L 中间刻度 120s 0.3-0.7m3/h(配液时开，酸洗时关)2# 漂洗 / / 120s 0.1-0.4m3/h3# 混合酸洗 HF 20LHCl 8L中间刻度 120s 0.3-0.7m3/h(配液时开，酸洗时关)4# 喷淋
8、 / / 100s /5# 漂洗 / / 100s 0.1-0.4m3/h6# 喷淋 / / 100s /适用于二、五中心扩散前酸洗备注：1#-7#槽位温度都在常温下， 3#、4#屏蔽,8#槽温度为 60;9#.10# 槽温度为 80酸槽换液频率都为 12 小时3、 甩干机工艺参数瑞能甩干机项目 低速 高速 喷水时间吹气时间温度 喷氮延时蜂鸣延时参数 180-205rpm 360-430rpm 30s 200s 1205 5s 10s4、一次清洗（多晶中联设备）槽位 配比 温度 时间 自动补液漂洗 DI Water:120L 常温 120-240s /制绒 HF： 40-50L 8-12 12
9、0-180s HNO3:1.0-2.0L/篮HNO3:200-250LDI:120-150LHF： 0.6-1.2L/篮DI:0.1-0.5L/篮漂洗 DI:120L 常温 120s 溢流漂洗 DI:120L 常温 120s 溢流碱洗 kOH:8LDI:115L205 20-60s KOH:0.15-0.3L/篮DI:1.4-2.0L/篮漂洗 DI:120L 常温 180s 溢流漂洗 DI:120L 常温 180s 溢流HCl 酸洗 HCl:16LDI:64L常温 120s HCl:0.2-0.3L/篮DI：0.4-0.6L/篮漂洗 DI:120L 常温 120s 溢流 HCl+HF 酸洗 H
10、Cl:22.5LHF:7.5LDI:60L常温 120s HCl:0.2-0.3L/篮HF:0.15-0.25L/篮DI:0.3-0.6L/篮漂洗 DI:120L 常温 120s 溢流 漂洗 DI:120L 常温 120s 溢流 慢提拉 DI:120L 60 3-4min 溢流 烘干 氮气 80-90 3-8min /一次清洗（多晶 RENA 设备）槽位 配比 温度 速度 自动补液 循环流量制绒槽HF:54.7LHNO3:272.5LDI water:152.8L6-13 1.10.2m/min HNO3:1.20.5L/100 片HF:0.50.2L/100 片DI water:0.55L/
11、100 片18020L/吹干 压缩空气 / 1.10.2m/min / 25Nm3/H漂洗 DI Water:80L 常温 1.10.2m/min / 58L/min碱洗 KOH:6-8LDI water:92L2051.10.2m/min koH:0.8-1.6L/HDI water:162L/H2800-3500L/H漂洗 DI water:92L 常温 1.10.2m/min / 58L/min酸洗 HF:23LHCl:61LDI water:92L常温 1.10.2m/min 4700L/H漂洗 DI water:92L 常温 1.10.2m/min / 58L/min吹干 压缩空气
12、/ 1.10.2m/min / 25Nm3/H换液频率类型 制绒槽 碱洗槽 酸洗槽 漂洗槽156 多晶 305 万片换一次15 万片换一次 15 万片换一次 每班交接班及用餐间换液125 多晶 455 万片换一次15 万片换一次 15 万片换一次 每班交接班及用餐间换液扩散方块电阻要求类型 单点控制上下限 单片平均值控制上下限单晶 125/156 455 453多晶 125/156 546 543扩散炉开机后升温程序 88#工艺号 步号 时间 各炉区温度小N2(sccm)大N2(sccm)O2(sccm) 清洗小N2(sccm)舟速1 400 150 / 25000 / / 3502 5100
13、 850 / 25000 / / /88#3 400 850 / 25000 / / /扩散炉开机后清洗饱和工艺工艺号 步号 时间 各温区温度小N2(sccm)大N2(sccm)O2(sccm) 清洗小N2(sccm)舟速1 400 850 / 20000 / / 3502 800 1050 / / 10000 / /3 600 1050 / / 10000 / /4 3600 1050 / / 10000 1000 /5 3600 1050 / / 10000 1000 /6 1200 900 / 10000 10000 / /7 4200 900 1800 20000 2400 / /8
14、900 900 / 20000 / / /02#9 400 900 / 25000 / / 350单晶工艺参数步骤 时间(min) 温度() 扩散大氮(L/min)小氮(L/min)氧气(L/min)源温()进炉 5 850-890 25-30 0 0 20稳定 15 850-890 25-30 0 0 20通源 2 850-890 25-30 0.6 0.9 20通源 20 850-890 25-30 1.6-2.0 1.8-2.5 20吹氮 15 850-890 25-30 0 0 20出炉 5 850-890 25-30 0 0 20多晶工艺参数步骤 时间(min) 温度() 扩散大氮(
15、L/min)小氮(L/min)氧气(L/min)源温()进炉 6 830-860 25-30 0 0 20稳定 15 830-861 25-30 0 2 20通源 5 830-862 25-30 2 3 20预沉积 30 830-863 25-30 2-2.5 3-5.5 20驱入 15 830-864 25-30 0 2 20降温 5 800 25-30 0 0 20出炉 6 800 25-30 0 0 20等离子刻蚀时间参数预抽 120sec 辉光 720sec主抽 120sec 清洗 60sec送气 180sec 充气 30sec工艺参数工艺压力 100pa 辉光功率 600w氧气流量
16、30sccm CF4 流量 250sccm二次清洗（国产设备）单晶三槽去磷硅玻璃初始配液 去离子水 180 升、氢氟酸 8 升、去离子水加至液面从上而下第 2 条刻度过程中加液 不排液、不加液反应时间 2.5min反应温度 常温鼓泡氮气流量 0.7-1.1m3/h1#去磷硅玻璃槽换液频率 正常生产时每 12 小时换液时间 5min 氮气鼓泡流量 0.1-0.4m3/h 温度 常温2#漂洗槽换液频率 12 小时喷淋槽 时间 5min 温度 常温单晶六槽去磷硅玻璃初始配液 氢氟酸 8 升去离子水加至液面从上而下第 2 条刻度过程中加液 不排液、不加液反应时间 130s 反应温度 常温鼓泡氮气流量 0.3-0.7m3/h (配液时开启，清洗时关闭)1#去磷硅玻璃槽换液频率 正常生产时每 12 小时换液时间 100s 温度 常温鼓泡氮气流量 不鼓泡2#、 3#漂洗槽换液频率 12 小时4#、 5#喷淋槽 时间
