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1、1概述：M5576 是一款高集成度、高性能、电流模式 PWM 控制芯片，离线式 AC-DC 反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM 开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC 工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576 提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD 的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的 EMI 性能。特点： 软启动功能，减少功率 MOSFET 的 VDS 应力 跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机
2、功耗 抖频功能，改善系统 EMI 性能 消除音频噪声 65KHz 的开关频率 完善的保护功能 VDD 欠压保护 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率 自动恢复式过载保护（OLP） 自动恢复式过温保护（OTP） 锁定型的 VDD 过压保护（OVP） 锁定型的过温保护（OTP） 过压保护点 OVP 通过外部稳压二极管可调 采用 SOT-23-6 和 DIP-8 封装应用： 手机充电器 上网本充电器 笔记本适配器 机顶盒电源 各种开放式开关电源2产品规格分类：产品名称 开关频率 封装形式 包装形式M5576SR 65KHz SOT-23-6 编带 3K/盘M5576PR 65KHz DIP-8 管装 5
3、0 个/ 管 2000 个/盒典型应用：图 1M5576SR 应用图 SOT-23-63图 2M5576PR 应用图 DIP-8管脚排列图：图 3DIP-8(顶部视图 ) 图 4SOT-23-6(顶部视图)管脚描述：管脚号SOT-23-6DIP-8 管脚名称 管脚描述6 1 DRV 输出 PWM 信号驱动外部功率 MOSFET5 2 VDD 芯片供电3、6 NC 悬空4 4 SEN 电流检测3 5 RT 多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温 OTP 控制功能，也可通过齐纳管接到 VDD 调节过压保护2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿1 8 GND 接地芯片使用时极限参数：参数值项
4、目最小值 最大值 单位M5576PR M5576SR4VDD 直流供电电压 30 VVDD 齐纳钳位电压 10 VVDD 直流钳位电流 VDD_Clamp+0.1 mACOMP 输入电压 -0.3 7 VSEN 输入电压 -0.3 7 VOTP 输入电压 -0.3 7 V最小/最大工作结温 -20 150 最小/最大贮存温度 -55 165 最高温度（焊接，10 秒）260 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。芯片内部框图：图 5M5576
5、内部框图5电气参数(Ta=25 oC)：项目 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位供电电压（VDD）I_Startup VDD 启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流 5 20 uAI_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mAVDD_OFF 欠压锁存开启 8 9 10 VVDD_ON 欠压锁存结束（恢复） 14.5 15.5 16.5 VVpull_up 上拉 PMOS 启动 13 VVdd_Clamp IVDD=10mA 30 32 34 VOVP(ON) 过压保护电压SEN=0.3V,COMP=3V,VDD 升高直到 DRV 时钟关闭26
6、 28 30 V反馈输入部分（COMPPin ）VCOMP_Open VCOMP 开环电压 4 5 V最大占空比 MaxdutycycleVDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V 75 80 85 %Vref_green 进入绿色模式的阈值 1.4 VVref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 VVref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 VICOMP_Short COMP 引脚短路电流 测量 COMP 短路到地的电流 0.4 mAVTH_PL 过载时的 COMP 电压 3.6 VTD_PL 过载延迟时间 80 88 96 mSZCOMP_IN 输入阻抗
7、16 K电流检测输入（SENpin）SST 软启动时间 4 msT_blanking 前沿消隐时间 220 nsTD_OC 过载延迟时间 从过流产生到 DRV 引脚关闭 120 nsVTH_OC 内部电流限制阈值电压与 0.75 V6零占空比Vocp_clamping SEN 电压嵌位 0.9 V振荡器Fosc 振荡频率 VDD=14V,COMP=3V,SEN=0.3V 60 65 70 KHZf_OSC 频率抖动 +/-4 %f_shuffling 抖频 32 HzF_Burst 跳周期模式频率 22 KHz栅驱动VOL 输出低电平 VDD=14V，IO=6mA 1 VVOH 输出高电平 V
8、DD=14V，IO=5mA 6 VV_Clamping 输出钳位电压 12 VT_r 输出上升时间 1V12VCL=1000pF 175 nsT_f 输出下降时间 12V1VCL=1000pF 85 ns过温保护IOTP OTP 引脚输出电流 95 100 105 AVOTP OTP 阈值电压 0.95 1 1.05 VVOTP_FL OTP 引脚悬空电压 2.8 VVth_OVP 外部 OVP 阈值电压 4.0 V应用信息M5576 是一款高集成度、高性能、电流模式 PWM 控制芯片，离线式 AC-DC 反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节
9、能的要求。启动电流和启动控制M5576 上电后，通过整流后电压为连接到 VDD 脚的接地电容充电，当 VDD 脚的电压高于 UVLO阈值时，芯片迅速启动。M5576 启动电流非常低，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。工作电流M5576 工作电流低至 1.8mA。扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。软启动M5576 上电后，在芯片启动期间，内部 4ms 的软启动来降低启动时的应力。当 VDD 达到VDD_OFF，SEN 尖峰电压由 0.15V 逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。7频率抖动干扰的改进M5576 集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限
10、度地降低了 EMI 带宽，简化了系统设计。跳周期模式操作在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关 MOSFET 的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当 VDD 电压下降到低于预先设定的值且 COMP 电压处在适当状态的时候，DRV 驱动才处于打开状态，否则，DRV 驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。振荡器开关频率固定在 65kHz，PCB 设计简化。电流检测和前沿消隐M5576 是电流模式 PWM 控
11、制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到 SEN 引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率 MOSFET 的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV 功率 MOSFET 浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM 的占空比是由 SEN 电流检测输入电压和 COMP 输入电压计算确定的。内部同步斜坡补偿内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入 SEN 引脚输入电压来帮忙生成 PWM 信号，它大大提高了在CCM 下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。驱动功率 MOSFET 是由专用 DRV 驱动功率开关驱动控制。D
12、RV 驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET 开关损耗就越大；而 DRV 驱动越强，直接影响 EMI 性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和 DRV 设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。保护控制好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和 VDD 的欠压保护（UVLO）；无锁存关闭功能还包括过温保护（OTP ），固定或可调的 VDD电压保护（OVP ）。在全电范围内， OCP 被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当 COMP 输入电压超过
13、TD_PL 功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈值功率极限后才重新启动。8SOT-23-6 封装外形尺寸图丝印描述尺寸（ MM） 尺寸（英寸）项目最小 最大 最小 最大A 1.050 1.250 0.041 0.049A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 1.050 1.150 0.041 0.045b 0.300 0.400 0.012 0.016c 0.100 0.200 0.004 0.008D 2.820 3.020 0.111 0.119E 1.500 1.700 0.059 0.067E1 2.650 2.950 0.104 0.116e 0.950TYP 0.037TYPe1 1.800 2.000 0.071 0.079L 0.700REF 0.028REF型号 封装 描述M5576SR SOT-23-6 3000/Reel9L1 0.300 0.600 0.012 0.024 00 80 00 80
