取代基对于苯环氢碳信号的影响

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1、1取代基对于苯环氢碳信号的影响一、取代基对苯环芳氢的影响(=7.27+s)取代基 o m p供电基团-OH -0.50 -0.14 -0.40-OCH3 -0.43 -0.09 -0.37-CH3 -0.17 -0.09 -0.18吸电基团-COCH3 +0.64 +0.09 +0.30规律总结:1、记忆方法取代基 o m p 之和供电基团-OH(或-OCH3)-0.5 -0.1 -0.4-1.0-R -0.2 -0.1 -0.2 -0.5吸电基团-COR +0.6 +0.1 +0.3 +1.0解释:-OH 、-OCH 3等供电基团与-COR 等吸电基团对苯环的供电 /吸电绝对效应相同(分别为

2、-1.0/+1.0 ) ,但 -COR 等吸电基团取代后,苯环上邻位较对位电子云降低得更加明显,即吸电基团对邻位强烈吸电,造成邻位向低场位移的幅度约对位的 1 倍。而-OH 、-OCH 3等供电基团对邻对位的供电能力差异不大,邻位稍微比对位供的多一些,两者相差约 0.1ppm(在 DMSO 中,-OH、-OCH 3对邻对位供电基本一致) 。而烷基取代基(-R )供电作用较弱的缘故,造成供电总效应约前两者的一半(-0.5) 。另外,不管供电取代或吸电取代,间位位移变化幅度绝对值都是 0.1,只是供电的为-0.1 ,吸2电的为+0.1。2、-OH 与-OCH 3供电基团对苯环质子影响的差异虽然两者

3、皆为供电基团,但由于 OCH3的碳的电负性大于 OH 的氢的电负性,故其碳吸引 O 上的一部分供向苯环的孤对电子,造成 O 的供电能力降低,因此 OCH3的供电性弱于 OH,各个位置约差 0.05ppm。总之,取代基对邻位吸电多,供电时稍微多一些。二、取代基对苯环碳的影响(=128+s)取代基 Zi Zo Zm Zp供电基团-OH +26.9 -12.8 +1.4 -7.4-OCH3 +31.4 -14.4 +1.0 -7.8-C(CH3)3 +22.4 -3.1 -0.2 -2.9吸电基团-COCH3 +8.9 +0.1 -0.1 +4.4规律总结:1、记忆方法取代基 Zi Zo Zm Zp

4、供电基团-OH(-OCH 3) +30 -15 0 -10-R +20 -0 0 -0吸电基团-COCH3 +10 +5 0 +10解释:两个双键化学位移之和记为 250,故 sp2杂化稀碳标准化学位移为 125,这3样便于学生记忆,在此基础上,计算下面的碳谱化学位移变化经验值。不管供电还是吸电取代基,对对位的影响的绝对值基本一致(供电基团:-10;吸电基团+10) ,对间位的影响基本可以忽略不计。对谐位碳化学位移的影响,从上至下分别约为+30 ,+20 ,+10,呈线性递减。烷基取代影响不大,但随着取代分叉增加,C-1 的化学位移与邻位碳分别增加与降低,这是碳谱中效应和效应造成的结果。对于供

5、电基团而言(-OH,-OCH 3) ,对 C-1 的化学位移增大值与对邻对位的化学位移降低值,收支基本平衡,差约 5ppm(因为有两个邻位,我们只计算了 1 个的缘故) 。这条规律被认为是自然界能量守恒的表现。对于吸电基团(-COR) ,C-1 与邻对位的化学位移值变化呈现收支不平衡现象,使苯环上的各个碳化学位移值皆增加,其实这并不违反上述能量守恒定律。因为羰基碳接上苯环后,由原来的 200175 ,减少了约 25ppm,故苯环上化学位移增加之和也约 25ppm。另外,不管供电或吸电基团,对位比邻位总是在低场,即化学位移值大,即对位供少吸多(注意这点与氢谱有显著的区别) 。这种现象也与效应有关

6、(邻位处于取代基的位,化学位移值要降低) 。再者,对于同样是供电取代基(-OH,-OCH 3) ,C-1 位与邻位差异较大,这也是由效应引起的,而间位与对位两者差异就不大了。这种结果与芳香羟基成糖苷时苷化位移不符。 O-glc位位位 位6-8pmOOHHO92-496-8一般对位较邻位向低场位移幅度大(邻位存在效应) 。上述现象产生的原因,我认为是由于糖的端基碳比较特殊,连有两个吸电性的O,故它强烈的具有吸电性。也就是说,总体而言,它降低了 O 上孤对电子向苯环的供电性,造成邻对位电子云密度降低,另一方面从碳碳双键局部范围来看,苯环上电子云较多的集中于 C-1,故造成 C-1 向高场位移。由下述数据证实上述推论。取代基 Zi Zo Zm Zp供电基团4-OCH3 +31.4 -14.4 +1.0 -7.8-OCOCH3 +22.4 -7.1 0.4 -3.2

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