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1、高三电子技术（模拟）综合试卷一第 1 页（共 8 页）高三电子技术（模拟）综合试卷一【2011 级电子升学班】【本试卷共 8 页，满分 150 分 90 分钟完卷】姓名_ 专业_ 总分_一、填空题（每题 2 分，共 40 分）1、流过二极管的正向电流较大，反相电流较小，说明二极管具有_性。2、测得某 NPN 型硅管三个电极的电压分别为 VE=3 伏、VB=3.7 伏、VC=9 伏，则三极管工作在_区。3、差分放大电路中若两三极管基极输入信号等幅反相称为_输入方式。4、正弦波振荡器主要由放大路，反馈网络和_电路三个部分组成。5、三极管串联型稳压电源取样电路中电位器 RP 是用来调节_大小的。6、
2、在某串联谐振电路中，谐振频率为 1000KHZ，电容为 0.005uF，通频带为20KHZ，串联谐振电路中电阻值为_欧。7、在 OTL 功率放大器是基本电路中，输出端的耦合电容 C 不仅隔直通交，而且起到_的作用。8、理想差动放大电路其共模电压放大倍数为_。9、射极输出器的三个主要特点是：（1）电压放大倍数略小于 1；（2）输入电阻大；（3）_。10、LM7809 正常输出电压是_。11、功率放大器有甲类：甲乙类、乙类三种类型，它们的表态工作点逐渐_。12、OTL 电路的中点直流电压总电压的_倍。13、为稳定输出电压且使输入电阻减小，放大电路引入_。14、差分放大电路中若三极管基极输入信号等幅
3、反相则称为_输入方式。15、在文氏电桥振荡器中，RC 串并联选频回路引_反馈。16、射极输出器的三个主要三个主要特点是(1)输入电阻大；(2)输出电阻小；(3)_。高三电子技术（模拟）综合试卷一第 2 页（共 8 页）17、单相桥式整流电容滤电路中，变压器副边电压 V2=20V，则直流输出电压 V0为_。18、已知三级管的 IB1=10uA 时，IC1=0.8mA，当 IB2=40uA 时，IC2=2.4mA。求该三级管的放大倍数 为_；LC 振荡电路振荡的条件是_；RC 振荡电路的振荡条件_三级管处于放大是条件是_；20、某三级管放大器的各级电压增益分别为 30dB、20dB，输入信号电压为
4、 4V，则输出电压应为_V。二、选择题（每题 2 分，共 50 分）1、在文氏电桥振荡器中，RC 串并联选频回路： 【 】A、引入负反馈 B、引入正反馈 C、没有引入反馈2、主要靠空穴导电的半导体称为： 【 】A 、P 型半导体 B、本征半导体 C、电子型半导体3、某 OTL 电路中，VG=15V，RL=8，则 Pomax 和 正确的是： 【 】A、3.5W 8.5% B、14W 78.5% C、3.5W 30%4、在放大电路中,若静态工作点 Q 设置过高，会出现： 【 】A、截止失真 B、饱和失真 C、交越失真5、差动放大电路两管发射极所接公用电阻 RE的作用是： 【 】A、抑制差模信号 B
5、、对差模和共模信号同等放大 C、抑制共模信号6、为使一个电压信号提高到有效的放大,并且能向负载提供足够大的电流，应使用： 【 】高三电子技术（模拟）综合试卷一第 3 页（共 8 页）A、共射极组态 B、共集电极组态 C、共射一共集组态7、主要靠空穴导电的半导体为： 【 】A、P 型半导体 B、本征半导体 C、电子型半导体8、在文氏电桥振荡器中，RC 串并联选频回路： 【 】A、引入负反馈 B、引入正反馈 C、没有引入反馈9、单相桥式整电流电路输出电压 V0=9 伏，当二极管截止时承受的最高反向电压 VRM为： 【 】A 、9 伏 B、14.1 伏 C、28.4 伏10、由电压放大倍数 AV1=
6、-50 的共射极放大电路和共集放大电路组成的两级放大电路，其总电压放大倍数 AV为： 【 】A、+50 B、50 C、+10011、差动放大电路两管发射极所接公用电阻 RE的作用： 【 】A、抑制差模信号 B、对差模信号和共模信号同等放大C、抑制共模信号12、馈信号 XF正比于输出电流且在输入端以电压相减的方式消弱输入信号 XI，其反馈组太是： 【 】A、压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈13、相桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载 RL 两端直流输出电压将：【 】A、大 B、减小 C 不变14、单级共射电压放大电路当负载 RL=3K 时，ICQ1mA，若仅使 RL 变
7、为 2K 而高三电子技术（模拟）综合试卷一第 4 页（共 8 页）电路其他参数均不改变，则 ICQ将： 【 】A 、增大 B 、减小 C、将不变15、为稳定输出电压且使输入电阻增大放大电路应引入： 【 】A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈 C、电压串联负反馈19、工作于乙类状态的 OCL 功放电路其理想效率 为： 【 】A、0.585 B、0.785 C、0.68516、差分放大电路中共模抑制比 KCMR的正确表达式为： 【 】A、KCMR=AVD/AVC B、 KCMR=AVC/AVD C 、KCMR=AVC*AVC17、由 NPN 型三极管组成的基本放大电路，若输出电压波形出现截至失真
8、，其原因是静态电流 ICQ之值： 【 】A 、过大 B、 过小 C、适中18、放大电路引入交流负反馈对通频带 BW 的影响是： 【 】A、 BW 变宽 B、BW 变窄 C、BW 不变19、射极输出器电路反馈系数 F 之值为： 【 】A、0.01 B、0.1 C、120、组成文式桥振荡器选频网络的电路元件是： 【 】A、电感和电容 B、电阻和电容 C、电感和电阻21、在 P 型半导体中： 【 】A、空穴是多数载流子，电子是少数载流子高三电子技术（模拟）综合试卷一第 5 页（共 8 页）B、电子是多数载流子，空穴是少数载流子C、没有电子22、电流并联负反馈对放大器的影响，正确的是： 【 】A、能稳
9、定放大器的输出电压，减小输入电阻B、能稳定放大器的输出电压，提高输入电阻C、能稳定放大器的输出电流，减小输入电阻23、正弦波电路如图所示，其振荡频率为： 【 】CCAPCCAPRR R3RES2R4RES2A1GND GNDVoA、f 0 B、f 0 C、f 0R21R21L2124、串联稳压电源中，产生基准电压的部分是： 【 】A、比较放大器 B、稳压管电路 C、调整管25、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以： 【 】A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、提高输入电阻三、计算题（每题 12 分，共 60 分）1、如图所示的电路中，设三极管放大倍数为 100，VBE=0.6V，rbe=1
10、.5K,其它参数如图所示。高三电子技术（模拟）综合试卷一第 6 页（共 8 页）(1)计算 IBQ 和 VCEQ；(2)计算中频电压放大倍数 AV；(3)若 Rb 开路，当输入正弦波时，输出波形是否失真。Rb470KRc3K+C1+C2Q1NPNRl3KGc10V+-V0Vi2、共射放大电路如图所示，设三极管放大倍数为 =50，rbe=1K。(1)画出交流通路；(2)求中频区段电压放大倍数 Av；(3)求输入电阻和输出电阻。Rb220KRe2KRb140KRc2K+C1CAP+C2CAP+ CeCAPQ1NPNRl2KGc12V高三电子技术（模拟）综合试卷一第 7 页（共 8 页）3、设图中
11、A1、A2 均为理想集成运放，回答下列问题：(1)写出 A1、 A2 完成运算的名称。(2)写出 V01 、V02 的表达式。A1A1R2R3R7R4R5R8R1R6GNDGNDVI1VI2VI3V02V014、某串联可调式晶体管稳压电路如图所示，已知 Vz=6V ，R1=R2=R3=200， Vbe 之值可忽略不计，回答下列问题：(1)基准电源和比较放大部分各有哪些元件组成；(2)求直流输出电压 V0 的调节范围；高三电子技术（模拟）综合试卷一第 8 页（共 8 页）Tr220vVDzVzV2NPNV1NPNR54K7R14K7R34K7R410K1234D1-D4R2POT2C11.0uF+-Vi5、某 OTL 功放电路如图所示，电源电压 Gc=24V，负载电阻 RL=8。试求：（1）正常工作时 K 点直流电位 VK；（2）指出用来消除交越失真的元件有哪些；（3）若该电路工作于乙类状态，计算理想情
