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1、垂直结构 LED 技术由于蓝宝石基板的导热系数差，影响 LED 的发光效率。为了解决 LED 的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构 LED 的架构，促进 LED 产业的技术发展。关于垂直结构LED 技术相信大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨供参考。我们知道，LED 芯片有两种基本结构，横向结构（ Lateral）和垂直结构（Vertical）。横向结构 LED 芯片的两个电极在 LED 芯片的同一侧，电流在 n-和 p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的 LED 芯片的两个电极分别在 LED 外延层的两侧，由于图形化电极和全部的 p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全
2、部垂直流过 LED 外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决 P极的遮光问题，提升 LED 的发光面积。我们先来了解下垂直结构 LED 的制造技术与基本方法：制造垂直结构 LED 芯片技术主要有三种方法：一、采用碳化硅基板生长 GaN 薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对 LED 表面进行处理以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓 LED 磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构 LED 芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬
3、底 。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构 GaP 基 LED 芯片有两种结构： 不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层迭导电 DBR 反射层，生长 GaP 基 LED 外延层在导电 DBR 反射层上。剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在 GaP 基 LED 外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。 另外，生长在硅片上的垂直 GaN 基 LED 也有两种结构：不剥离硅生长衬底：在导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电 DBR 反射层，生长氮化镓基 LED 外延层在金属反射层或导电 DBR 反射层上。 剥离硅生长衬底：层迭
4、金属反射层在氮化镓基 LED 外延层上，在金属反射层上键合导电支持衬底，剥离硅生长衬底。 再简单说明制造垂直氮化镓基 LED 工艺流程：层迭反射层在氮化镓基 LED 外延层上，在反射层上键合导电支持衬底，剥离蓝宝石生长衬底。导电支持衬底包括，金属及合金衬底，硅衬底等。无论是 GaP 基 LED、GaN 基 LED，还是 ZnO 基 LED 这一类通孔垂直结构 LED，相比传统结构 LED 有着较大的优势，具体表现在：1、目前，现有的所有颜色的垂直结构 LED：红光 LED、绿光 LED、蓝光 LED 及紫外光 LED，都可以制成通孔垂直结构 LED 有极大的应用市场。 2、所有的制造工艺都是在芯片（ wafer ）水平进行的。 3、由于无需打金线与外界电源相联结，采用通孔垂直结构的 LED 芯片的封装的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。
