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1、第一章 半导体中电子的状态名词解释：直接带隙半导体间接带隙半导体格波有效质量空穴布里渊区重空穴、轻空穴k 空间等能面解答题：用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。第二章 半导体中杂质和缺陷能级名词解释：施主杂质受主杂质深能级杂质杂质电离能解答题：简述杂质在半导体中的作用。分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。第三章 半导体中载流子的统计分布名词解释：非简并半导体简并半导体本征半导体状态密度解答题：有一 n 型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为 n6 和 w4，在温度高于数十 k 时，已知本征费米能级为 Ei，玻尔兹曼常数为h，
2、本征载流子浓度为 n，试确定：1. 半导体的费米能级 EF；2. 热平衡载流子浓度 n0和 p0.第四章 半导体的导电性名词解释：载流子散射解答题：简述半导体中载流子的主要散射机构。画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。耿氏振荡的机理。第五章 非平衡载流子名词解释：准费米能级少子寿命小注入条件高度补偿半导体直接复合与间接复合复合中心陷阱中心解答题：在一维情况下，以 p 型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。连续性方程。第六章 p-n 结名词解释：p-n 结解答题：画出 p-n 结能带图（零偏、正偏和反偏情况） ，并简述 p-n 结势垒区形成的物理过
3、程。画出理想 p-n 结合硅 p-n 结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述 p-n 结电流电压曲线偏离理想 p-n 结主要因素。第七章 金属和半导体的接触名词解释：半导体功函数欧姆接触表面势解答题：什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法。简述金半接触的形成过程。并说明两侧费米能级与载流子的分布。第八章 半导体表面与 MIS 结构名词解释：表面态平带电压表面反型层表面强反型层表面复合速度解答题：以 n（p）型硅 MOS 结构为例，画出可能测得的高频和低频 C-V 特性曲线，说明如何确 iO2 层中存在离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度？试画出理想硅 -n 栅控二极管反响电流随
4、栅压 的变化曲线，说明不同栅压范围内反向电流 的构成。若 SiO2 层中存在，曲线如何变化？若 Si- SiO2 存在界面态，曲线将如何变化？已知在 MOS 电容的 SiO2 层中存在着和介面固定电荷，请设计一种实验方法，测定两种电荷的面密度（库伦/厘米） 。说明如何测衬底密度。画出 n 型半导体 MIS 结构理想 C-V 特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有何影响。第九章 异质结名词解释：异质结第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象名词解释：光电导增益：表示光电导效应的增强。光电导：光吸收使半导体中形成非平衡载流子，而载流子浓度的增大必须使电导率增大。这种由光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。光电导灵敏度：光电导灵敏度为单位光照度所引起的光电导。光生伏特效应：当用适合波长的光照射非均匀半导体（PN结）时，由于内建场的作用（不加外电场） ，半导体内部产生电动势（光生电压） ，如将PN 结短路，则会出现电流（光生电流） 。这种由内建场引起的光电效应，称为光生伏特效应。消光系数：k 是表征光能衰减的参量，称为消光系数。解答题：简述半导体的光生伏特效应，利用理想光电池电流电压方程确定开路电压 V0C 和短路电流 ISC。一九九八（第三题）简述半导体中可能的光吸收过程。二零零二（第三题）
