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1、概述半导体晶片加工(semiconductorwafermanufacture)是把半导体晶锭加工成满足外延生长或半导体器件制作所需晶片的半导体材料制备工序,。技术要求半导体晶片制备采用高精度切割、研磨、抛光等加工技术，晶片表面损伤层控制和去除技术以及晶片洁净处理技术。根据半导体器件制作工艺要求，半导体晶片可,以是切片、研磨片或抛光片。随着半导体器件性能和生产规模的发展和要求的提高，半导体晶片的加工技术也在不断地发展和提高。电子技术、计算机控制的应用使半导体晶片的制备,过程逐步自动化，晶片加工的质量也大大提高。制备流程以半导体单晶硅片的制备为例，其制备流程主要为晶体定向加工主、副参考面&,ra
2、rr;切片包装等工序。,1、晶体定向。一般采用光图定向或x射线衍射定向，以确保晶片表面和参考面的晶体学取向的准确。2、晶体外圆滚磨。把原生单晶锭经磨削加工成等直径晶体。外圆滚磨在专,门的无心外圆磨床上进行，高速旋转的杯形金刚石磨轮与晶体加工部位接触，实现磨削加工。3、加工主、副参考面。用高速旋转的杯形金刚石磨轮在已定好的晶面上实现磨削加,lkj来源： 三箭气 抢,工，按标准磨成主、副参考面。4、单晶切片。在专用的内圆、外圆切片机或线切割机上把单晶体切割成一定厚度的晶片。5、倒角。用化学腐蚀法或机械研磨法把晶片的锋,利边缘加工成一定形状的过程。6、晶片热处理。使晶片经过一定的加热和冷却程序，以稳
3、定和完善晶片的半导体电性能和晶体学性能。7、研磨。对晶片表面和几何尺寸的,精细整形磨削加工过程。8、晶片腐蚀。利用晶片表面与酸或碱的非选择性化学腐蚀反应，去除表面机械损伤层。9、晶片抛光。利用非选择性化学腐蚀或机械摩擦、或化学,腐蚀与机械摩擦相结合的过程，以使晶片表面呈平整光亮的镜面。10、清洗。晶片在每一加工过程后，利用洗剂清除晶片表面附着和玷污的颗粒、有机物和无机物等外来物。晶,片在抛光后的清洗和清洗后的洁净程度将直接影响半导体器件制作的成品率。11、检测。利用测量仪器和专门的方法，按照一定的技术指标对加工完的晶片进行电学性能、几何,尺寸、晶体学特性、杂质含量和外观等的检验。12、包装。为了半导体晶片在贮运过程中不被玷污和破损，必须在洁净的环境中进行包装。中国,
