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1、山东大学 软件 学院组成原理实验报告（实验）课程名称 计算机组织与结构 实 验 报 告学生姓名： 学 号： 指导教师：陈志勇实验地点：硬件实验室 实验时间：2014 年 12 月 11日一、实验项目名称：RAM 实验二、实验目的：. 了解半导体静态随机读写存储器 RAM的工作原理及其使用方法。. 掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容：存储体开关（地址）隔离部件开 关（数据）指示灯RAM 实验结构图INTEL2114 静态存储器：Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有 18 个引脚，各引脚的功能如下： A 0 -A 9 ： 10 根地址信号输入引脚。 ： 读
2、写控制信号输入引脚，当 为低电 平时，使输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。 I/O 1 I/O 4 ： 4 根数据输入输出信号引脚。：片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。第一部分：采用 1K x 4 的芯片，构成 1K x 8的存储器。第二部分：采用 1K x 4 的芯片，构成 2K x 4的存储器。四、实验要求：采用 1K x 4 的芯片，构成 1K x 8 的存储器。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。采用 1K x 4 的芯片，构成 2K x 4 的
3、存储器。必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关） 。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。分别设计实验步骤。使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片 RAM 芯片的地址范围。五、参考器件： RAM 采用两片 MM2114隔离部件采用 74LS125译码器采用 74LS138备注：为简化试验，地址可只用低 4 位（其余地址可接地） 。六、实验数据记录及结果分析：字扩展的实验操作：1.初始化：将 k15（74LS125 的 C信号
4、）推至高电平，断开开关输入。将 k13（RAM 片选信号）推至低电平，选中 RAM。将 k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2.写入数据：将 k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将 k4k11调整至想要的二进制输入值。将 k15（74LS125 的 C信号）推至低电平，连接开关输入。将 k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3.读取数据：将 k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对 RAM的写入。将 k15（74LS125 的 C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。位扩展的实验操作：1.初始化：将 k15（74LS125 的
5、 C信号）推至高电平，断开开关输入。将 k13（第一块 RAM片选信号）推至低电平，选中 RAM，同时确保将 k12（第二块 RAM片选信号）推至高电平，使 RAM失效。将 k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2.写入数据：将 k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将 k4k7调整至想要的二进制输入值。将 k15（74LS125 的 C信号）推至低电平，连接开关输入。将 k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3.读取数据：将 k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对 RAM的写入。将 k15（74LS125 的 C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。
