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1、直流溅射 ITO薄膜近期工作总结TFT&SOP刘洋材料溅 射 类型 编 号Ar： O2 膜厚（ nm） 编号 方阻（ /） 电 阻率（ 10-3CM）ITO RF RFO1 40:0 170.5 RF51 44 0.75RF52 41.5RFO2 40:1 131.5 RF61 0.5M 6575/9731RF62 0.74MRFO3 40:2 85 RF71 12M 102000/45050RF72 5.3MRFO4 40:3 48.8 RF81 2550M 122000244000RF82一、 实验目的：测量 RF溅射不同氧分压 对 ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分 In
2、2O3： SnO2=90%:10%，基底温度 RT， RF溅射功率 80W， 工作气压 1.0 Pa，真空条件 8.710-4Pa， Ar:O2=40:0/40:1/40:2/40:3，溅射时间 10min；实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料 ：硅片， 1*1CM玻璃片 ；实验结果 ：氧分压增加，溅射得到 ITO氧空位减少，载流子浓度减少，电阻率升高。相比 DC溅射， RF溅射 ITO薄膜过程中对氧气更敏感 。材料 溅 射类 型编 号 膜厚（ nm） 电阻率（ 10-3CM）ITO DC 3 50 0.8924 100 0.8885 150 0.7116 200 0.672二、 实验目的：测
3、量 DC溅射不同厚度 对 ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分 In2O3： SnO2=90%:10%，基底温度 RT， DC溅射功率 60W， 工作气压 1 Pa，真空条件 5.910-4 Pa， Ar:O2=40:1；实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料： 4inch玻璃片 ；实验结果 ：直流溅射薄膜厚度增加，电阻率降低，紫外光吸收边随着薄膜厚度的增加而向长波方向移动，载流子对紫外光的吸收增加，即载流子的浓度增加导致。材料溅 射 类型 编 号基底温度（ ）电阻率（ 10-3CM）ITO DC 11 RT 0.4912 100 0.6513 200 0.3414 300 0.1
4、5三 、 实验目的：测量 DC溅射基底温度 对 ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分 In2O3： SnO2=90%:10%，基底温度 RT/100/200/300 ，DC溅射功率 60W， 工作气压 1 Pa，真空条件 910-4Pa， Ar:O2=40:1，时间 5min，膜厚 120nm140nm左右 ；实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验 材料： 4inch玻璃片；实验结果 ：温度 升高有助于晶粒 生长，增加 载流子 迁移率，提高 ITO 薄膜结晶 程度， ITO薄膜电阻率降低，透过率降低 。紫外光吸收边随着基底温度的升高而向长波方向移动，载流子对紫外光 的吸收增加，即载流子
5、的浓度 增加。材料 溅 射 类型编 号 工作气压（ Pa） 电 阻率（ 10-3CM）ITO DC 19 0.3 0.4920 0.5 0.6121 1.0 1.5822 1.5 300四、 实验目的：测量 DC溅射气压 对 ITO薄膜的特性影响；制备条件：玻璃基底，靶材成分 In2O3： SnO2=90%:10%，基底温度 RT， DC溅射功率 60W， 工作气压 0.3/0.5/1.0/1.5 Pa，真空条件 610-4Pa， Ar:O2=40:1，溅射时间 5min；实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料 ： 4inch玻璃片 ；实验结果 ：直流溅射气压增加，电阻率增加，而 紫外 光吸收边随着工作气压增加并没有发生移动，载流子浓度变化不大，电阻率增加可能由于薄膜表面均方根粗糙度增加，对载流子的散射增加导致。Q&A
