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1、 1实验二 存储器 EM 实验一、实验目的：了解模型机中程序存储器 EM 的工作原理及控制方法。二、实验要求：利用 COP2000 实验仪上的 K16.K23 开关做为 DBUS 的数据，其它开关做为控制号，实现程序存储器 EM 的读写操作。三、实验原理：存储器 EM 由一片 6116RAM 构成，通过一片 74HC245 与数据总线相连。存储器 EM 的地址可选择由 PC 或 MAR 提供。存储器 EM 的数据输出直接接到指令总线 IBUS，指令总线 IBUS 的数据还可以来自一片 74HC245。当 ICOE 为 0 时，这片 74HC245 输出中断指令 B8。EM 原理图连接线表 2连
2、接 信号孔 接入孔 作用 有效电平1 J2 座 J3 座 将 K23-K16 接入DBUS7:02 IREN K6 IR, uPC 写允许 低电平有效3 PCOE K5 PC 输出地址 低电平有效4 MAROE K4 MAR 输出地址 低电平有效5 MAREN K3 MAR 写允许 低电平有效6 EMEN K2 存储器与数据总线相连 低电平有效7 EMRD K1 存储器读允许 低电平有效8 EMWR K0 存储器写允许 低电平有效9 PCCK CLOCK PC 工作脉冲 上升沿打入10 MARCK CLOCK MAR 工作脉冲 上升沿打入11 EMCK CLOCK 写脉冲 上升沿打入12 IR
3、CK CLOCK IR, uPC 工作脉冲 上升沿打入四、实验内容：内容 1：PC/MAR 输出地址选择置控制信号为：K5 K4 地址总线 红色地址输出指示灯 3(PCOE)(MAROE)0 1 PC 输出地址 PC 地址输出指示灯亮1 0 MAR 输出地址 MAR 地址输出指示灯亮1 1 地址总线浮空0 0 错误, PC 及 MAR 同时输出PC 及 MAR 地址输出指示灯亮以下存贮器 EM 实验均由 MAR 提供地址内容 2：存储器 EM 写实验 1 将地址 0 写入 MAR2 将 11H 写入 EM03 将地址 1 写入 MAR4 将 22H 写入 EM1内容 3：存储器 EM 读实验
4、1 将地址 0 写入 MAR2 读 EM0的内容3 将地址 1 写入 MAR4 读 EM1的内容内容 4：存储器打入 IR 指令寄存器/uPC 实验 41 将地址 0 写入 MAR2 读 EM0,打入 IR3 将地址 1 写入 MAR4 读 EM1,打入 IR操作步骤：1PC/MAR 输出地址选择按照连接表连接好线路，要选择 PC,则将 K5(PCOE)置为 0,K4(MAROE)置为1，则可选择 PC，此时 PC 地址输出指示灯亮(红色灯亮)，同理要选择 MAR,则将K5(PCOE)置为 1,K4(MAROE)置为 0，则可选择 MAR，此时 MAR 地址输出指示灯亮(红色灯亮)。2存储器
5、EM 写实验1 将地址 0 写入 MAR把输入信号置为 00000000，并把 K0，K2，K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 0 写入 MAR。2 将 11H 写入 EM0将输入信号置为 00010001，并将 K0，K2，K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 11H 写入 EM0，把 K4 置为低电平，把地址 0 输出到地址总线上3 将地址 1 写入 MAR把输入信号置为 00000001，并把 K0，K2，K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 0 写入 MAR。4 将 22H 写入 EM1 5将输入信号置为 00100010，并将 K0，K2，K3 置为低电平，打入上
6、升沿脉冲，便把地址 22H 写入 EM1 ,把 K4 置为低电平,把地址 1 输出到地址总线上。3存储器 EM 读实验 1 将地址 0 写入 MAR把输入信号置为 00000000，并把 K0，K2，K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 0 写入 MAR。2 读 EM0的内容把 K1，K2，K4 置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出 EM0的内容3 将地址 1 写入 MAR把输入信号置为 00000001，并把 K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 1 写入 MAR。4 读 EM1的内容把 K1，K2，K4 置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出 EM0的内容4存储器打入 IR 指令
7、寄存器/uPC 实验1 将地址 0 写入 MAR把输入信号置为 00000000，并把 K0，K2，K3 置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址 0 写入 MAR。2 读 EM0,打入 IR将 K1，K2，K4 置为低电平, 打入上市沿脉冲,然后将 K6 置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将 EM0的内容打入 IR。3 将地址 1 写入 MAR 6把输入信号置为 00000001，并把 K0，K2，K3 置为低电平，打入上市沿脉冲，便把地址 1 写入 MAR。4 读 EM1,打入 IR将 K1，K2，K4 置为低电平, 打入上市沿脉冲,然后将 K6 置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将 EM0的内容打入 IR。五、实验心得体会：通过此次实验，我对存储器的地址的读和写都有了比较深刻的理解，让我实践动手的能力又进一步的增强了，这次是自己能够看着原理图自己能连线，但是还是不能很好的分析它的原理，在下一次的试验中一定要好好的学习，最好自己能够弄懂。
