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1、 微波EDA作业 电磁场4班 B09020416 吴迪1.用Matlab编写微带线分析和综合程序并计算（1） 基片厚度0.254mm，相对介电常数2.2 的50Ohm微带线的宽度。解：（1）程序流程图：程序代码及注释：clearw=0.7859:0.00001:0.786 %W 的值的取值范围t=w/0.254a=1+1/49*log(t.4+(1/52*t).2)/(t.2+0.432)+1/18.7*log(1+(1/18.1*t).3)b=0.564*(2.2-0.9)/(2.2+3)0.053n=(2.2+1)/2+(2.2-1)/2)*(1+10*(1./t).(-a*b) %有效介
2、电常数f=6+(2*pi-6)*exp(-(30.666./t).0.7528)m=(376.73/(2*pi)*log(f./t+sqrt(1+(2./t).2) %均匀媒质微带线阻抗y=50-m./sqrt(n) %使 y 逼近 0 时 W 的取值运行结果：w =0.7859 0.7859 0.7859 0.7859 0.7859 0.7860 0.7860 0.7860 0.7860 0.7860 0.7860清除原始数据W 的取值范围令 t=W/h分别计算 a、b计算有效介电常数计算均匀媒质微带阻抗计算当特性阻抗逼近 50 时W 的取值t =3.0941 3.0941 3.0942 3
3、.0942 3.0943 3.0943 3.0943 3.0944 3.0944 3.0944 3.0945a =1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455 1.0455b =0.5240n =1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722 1.8722f =6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010 6.0010
4、m =68.4190 68.4185 68.4179 68.4174 68.4168 68.4162 68.4157 68.4151 68.4146 68.4140 68.4134y =-0.0036 -0.0031 -0.0027 -0.0023 -0.0019 -0.0014 -0.0010 -0.0006 -0.0002 0.0003 0.0007由运行结果可以得宽度为：0.7860mm另外编程可以画出横坐标为 w，纵坐标为 Z0 的图像：（2）基片相对介电常数 6.4的微带线，W/h在0.5-10.0之间变化时，特性阻抗Z0的曲线。（2）程序流程图：输入 ：0.5:0.1:10 的 W
5、_H2程序代码及注释（ Solve_Z0.m）%求解W/h在0.5-10.0之间变化时，特性阻抗Z0的曲线。clcclearsyms f_WH Z01 a b Ee Z0 W_H Er;Er=6.4;W_H=0.5:0.001:10;%均匀媒质微带阻抗 Z01f_WH=6+(2*pi-6).*exp(-(30.666./W_H).0.7528);Z01=376.73./(2*pi)*log(f_WH./W_H+sqrt(1+(2./W_H).2);%计算有效介电常数 Eea=1+1/49.*log(W_H.4+(W_H./52).2)./(W_H.4+0.432)+1/18.7.*log(1+(W_H./18.1).3);b=0.564.*(Er-0.9)./(Er+3).0.053;Ee=(Er+1).*0.5+(Er-1).*0.5.*(1+10./W_H).(-1.*a.*b);%计算得出特性阻抗 Z0Z0=Z01./sqrt(Ee);plot(W_H,Z0,b,LineWidth,2);grid on;title(W/H在 0.5-10之间变化，特性阻抗 Z0的曲线 );xlabel(微带线导带 W与基片厚度H 比：W/H );ylabel(特性阻抗 Z0);三运行结果求得不同 W_H 下的 Z0绘出 Z0=f（W_H）曲线
