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1、Implant 关 键 词 汇 及 术 语IMP Ion Implantation 离子植入( 注入)1.Antimony(Sb)锑2. Argon(Ar)氩 3. Arsenic(As)砷 4. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 5. Arsine(AsH3)砷烷6. Beam Current 离子束电流7.Cycle time：晶片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。8. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。9.die(singular or plural 单数或复数) ：硅片中
2、一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。10.DIW De-Ionized water 去离子水11.Dose （搀杂的）剂量12. Dopant 搀杂物13.能量(Energy)：决定注入杂质的深度；14.束流(Beam Current)：决定注入时间；在注入剂量一定的情况下，束流大，注入时间短，束流小，注入时间长；15.剂量(Dose) ：决定注入的杂质浓度，剂量与注入时间和束流的乘积成正比；16.注入角度：一般为 7 度，防止产生沟道效应；17.电子浴设定：防止因电荷积累而产生的 Charge-up 现象，因高电流的注入剂量较大，束流较大，注
3、入时间较长，因此多采用电子浴。18.真空度：离子注入须在高真空的环境下进行，如果注入Chamber 存在残余气体分子，则会由于与注入离子的碰撞而产生其它种类的离子，引起 Faraday 对注入剂量的误判，造成过注入。 19.Dummy Wafer 擋片,假片，通常放在批次式機台內部特定位置用以控制全批產品的均勻性或是补填禁 Run 產品的位置.20.Exhaust 排气21.Four Point Probe 四點探針是量測晶片片阻值(Sheet Resistance)Rs 的儀器。其原理如下：上圖 ABCD 四針，A、D 間通以電流 I，B 、C 兩針量取電壓差(V)，則 Rs = KV/ I
4、 ，K 是比例常數，和機台及針尖距離有關。22.high-current implanter：束电流大于 3ma 的注入方式，用于批量生产23.recipe n : 程式（菜单，配方） 。生产过程中对晶片所做的每一步处理规范，技术条件的精髓。制程的程式。IC 製造中各個步驟都有不同的要求：如溫度要多少?某氣體流量多少? 反應室的壓力多少?等等甚多的參數都是 RECIPE 內容的一部份。24.sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻（每方） ，片电阻。一般用以衡量表面杂质掺杂水平。25.Skip this step 跳过此步26.TECN Tem
5、porary Engineering Change Notice 临时性制程变更通知，是系工程師為了廣泛收集資料或暫時解決制程問題，所做制程變更的公告文件。此一臨時性的變更將注明有效期限以利執行依據。27.Throughput 产量28.Track in time 上货时间29. Track out time 下货时间30. Uniformity 均匀度，一致性，是一种测量值的平均分布。表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在 IC 制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（C.D ）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：如测量芯片内上中下左右与 5 点数据，5 点平均值。X1
6、 X2+X3+X4+X5/5 均匀度 UniformityX m a xX m 1m/2X100例如测量T0x 厚度共五点分布如下： 510、525、540、515、520?则均匀度（540-510）/（2522） （平均值）1002.8 均匀度越小，表示各点变化越小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力越好的表现。 31. Vacuum Pump 真空泵凡能將特定空間內的气体去除，以減低氣體分子數目，造成某種程度之真空状态的機件，統稱為真空泵。目前生產機台所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(Rotary Pump)，魯式泵(Roots Pump)，活塞泵(Piston Pump)，擴散泵 (Diffusion Pump)。儲氣式的有：冷凍泵(Cryo Pump)，離子泵 (Ion Pump)
