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1、Doc No.: Q-E058-4上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd 文件履历表Document History List质量体系 Quality System 环境体系 Environment System 管理性文件 Management Document文件名称 Title: Discrete 芯片点测方法和低良芯片处理规范版本Rev执行日期Implement Date申请人Applicant批准人Approval by更改记录 R
2、evision History0 2013-7-12 许溢 毛红光 新文件建立Form Q030-7, Rev.EDoc No.: Q -E058-4Rev. 0上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., LtdPage: 1 of 6Wafer 边缘芯片去除指导规范1. 背景 Background在晶圆制造的光刻显影过程中有 EBR (Edge Bead Removal)步骤，该步骤通常会导致晶圆的边缘有不完整图形或缺陷图形，又加上在晶圆的整个加工过程
3、中，晶圆的边缘一直与 Cassette、晶舟、溅射和腐蚀设备的钩爪等接触，所以晶圆边缘容易收到污染，从而导致晶圆边缘芯片存在不少问题。边缘芯片的危害：可能导致 Die Bond PR 误识别，Wire Bond NSOP，FT low yield (Open，Short ，软击穿，漏电偏大等)等。有少部分成品能通过 Final Test, 但通常存在可靠性问题，比如芯片背面金属层粘合不牢靠，器件 ESD 能力弱，或者器件高温电性严重漂移等，这些就容易导致客户抱怨。2. 目的 Purpose制定晶圆（Analog, Discrete, Logic 等）的边缘芯片去除指导规则，防止边缘不良不可靠的
4、芯片被误封装。3. 适用范围 Scope公司所有的晶圆。边缘芯片的去除量一般在 3mm 5mm 之间。具体去除量(比如 3mm, 3.5mm, 4mm, 4.5mm, 5mm 等)，要综合考虑质量和成本，By Wafer Type 来规定。目前本司一般去掉 4mm 的边缘芯片。由于每家 Wafer Fab 的工艺控制和每种产品的光刻机曝光形式不同，有些 Wafer 必须去除边缘芯片，有些 Wafer 一般不需要去除边缘芯片，大致如下：3.1.所有使用 Stepper 光刻机(分块式曝光成型的)的 Wafer，即整张晶圆表现为全都是“ 图形”或“光板”和 “图形”并存的情况。一般 IC (Ana
5、log, Logic, Hall 等) 都属于这类情况。 特殊情况：有的 Wafer 供应商(比如 Phenitec)会直接做好晶圆的 4mm 边缘打墨，再出货给我们，这说明芯片供应商知道边缘芯片的危害，自己已去除了，我们就无需再做一次。如下图的 Wafer 边缘既有“图形”,也有“光板” ，是必须做边缘芯片去除的。Doc No.: Q -E058-4Rev. 0上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., LtdPage: 2 of 63.2.所有使用投
6、影式或接触式光刻机一次曝光成型的的 Wafer，整张晶圆的边缘是光板的，一般不需要去除边缘芯片。但基于质量考虑，有时还会额外去除几颗边缘芯片(比如Semtech、KFAB 的某些芯片型号)。一次曝光成型的 Wafer 一般都是=10K,但由于低良或其他原因，转做 100% CP 的所有晶圆，也适宜采用4mm Edge Die Inking。4.2.Wafer Mapping 法去除边缘 4mm 芯片适用于不需要做 CP 的晶圆和抽测良率达到标准，不用做全测的晶圆。Mapping 法去除边缘芯片的优点：A. 节省 CP 站的产能B. 节省 CP 站的原材料（墨针）C. 防止不当操作导致墨水污染芯
7、片，影响后续封装和良率，比如影响 Die Bond PR, Wire Bond NSOP，Ball Lift，Final Test Open 等。D. 防止薄片碎片（对=10K，Die Size 0.3*0.3mm, 做抽测并且良率达到标准的 Discrete 晶圆c. 6inch GDPW =10K，Die Size =0.2*0.2mm, 做抽测且良率达到标准的 Discrete 晶圆d. 其他工程定义的无需做 CP 的 Discrete 晶圆4.2.2. Die Bond Mapping 同时也适用于特定的需要去除固定区域 Die 的晶圆。比如 OFAB X30N35CN wafer，D
8、ie Size 是 0.395*0.395mm，GDPW 是 101K，正常生产是去除边缘 4mm。有时因 OFAB 工艺问题，会有部分批次的晶圆测试良率偏低，而经 CP工程确认，不良 Die 全部集中在边缘 8mm 一圈范围内，则可为这些批次的晶圆做特殊的去除边缘 8mm 的 Mapping, 供 Die Bond 使用，每张 Wafer 可节省 100% CP + Ink 的时间超 10小时，即解决了 CP 产能的问题，又同时保证了 Final Test 的良率。4.3.Die Bond 机器设定晶圆边缘 4mm 范围不吸作为对晶圆边缘芯片去除方法的补充，适用于 8inch Die Siz
9、e 0.3*0.3mm 和 6inch Die Size 0.2*0.2mm 的晶圆。由于公司目前 Prober 能力的问题，Die Size 过小的晶圆无法做出 4mm Edge Die Mapping, 只能通过 Die Bond 机器设定边缘 4mm 范围不吸的方法来做。缺点是不吸范围的定位会因为划片（Die Saw)贴蓝膜的偏差而产生偏移，用自动贴膜机会好一些。5. Wafer Mapping 的创建和使用基于 Wafer 的特性，针对可使用 Mapping 做边缘芯片去除的晶圆，我们可采用 2 种不同的方法。5.1.CP 工程创建 4mm Edge Die Mapping，Die B
10、ond 站可直接调用。 适用于正面有明显的特征点，可以用来做 Mapping 定位的晶圆。如下图：Doc No.: Q -E058-4Rev. 0上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., LtdPage: 4 of 65.2.CP 工程创建 4 点 Ink + 4mm Edge Die 的 Mapping。通过 CP 步骤，人为地在每片芯片固定位置上打 4 个墨点，来辅助 Die Bond 定位 Mapping 的方法。适用于正面图形中没有明显的特征点
11、，Die Bond 无法直接定位 Mapping 的晶圆。如下面 2 个图，正面图形中没有任何可以作为 Die Bond Mapping 参照的特征点，所以要通过在其表面 4 个固定位置打墨点的方法，来辅助 Die Bond 定位 Mapping。 此类晶圆边缘一般都有唯一的一个小凹槽，4 个打墨的参照点在 Mapping 中的位置如下图所示：位于晶圆小凹槽的下方对称 1 对，小凹槽的对边对称 1 对。2 对墨点的位置略微不同，用来互相区分，可以更好地帮助 Die Bond 定位 Mapping。特征点特征点 特征点特征点小凹槽ON14381/ON14201等等小凹槽AD0806AL817AX
12、X等等Doc No.: Q -E058-4Rev. 0上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., LtdPage: 5 of 66. Die Bond 使用 Mapping 的规则一般情况下，在企划投料时，需要 Mapping 的流程卡号， “Wafer Mapping”栏均会显示 YES。目前本司需要 Mapping 的产品，大致分以下几种情况：6.1.Semtech 产品，除了“Wafer Mapping”栏会显示 YES，一般还会在装配图和/或流程
13、卡“Special Requirement 特殊要求” 栏显示：焊片时要用 wafer mapping 功能。6.2.BCD 产品需要 Mapping 的，除了“Wafer Mapping”栏会显示 YES，一般还会在流程卡“Special Requirement 特殊要求 ” 栏显示：DB 站必须使用 wafer Mapping;。一般一片 Wafer对应唯一的一张 Wafer Mapping。对内部其他产品：6.3.晶圆正面有明显的特征点，Die Bond 可以直接调用 Mapping 的，除了“Wafer Mapping”栏会显示 YES，在流程卡“Special Requirement
14、 特殊要求”栏还会显示:(1)无边缘 4mm 打墨的芯片必须使用 Wafer Mapping；无法使用 Mapping 时，必须机器设定去除边缘 4mm 一圈。(2)晶圆经过全测，有边缘 4mm 打墨的，不需要使用 Mapping。6.4.晶圆正面无明显的特征点，需要通过 CP 做 4 点打墨来定位 Mapping 的, 除了“Wafer Mapping”栏会显示 YES，在流程卡“Special Requirement 特殊要求” 栏还会显示：(1)芯片只有 4 点打墨的，必须使用 wafer mapping。无法用 Mapping 时，必须机器设定去除墨点 墨点墨点 墨点Doc No.:
15、Q -E058-4Rev. 0上海凯虹电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd. 上海凯虹科技电子有限公司Shanghai Kaihong Electronic Co., LtdPage: 6 of 6边缘 4mm 一圈。(2)芯片有边缘 4mm 打墨的，不需要用 Mapping。6.5.CP 工程对某一批次晶圆有特殊定义 Mapping 的，除了“Wafer Mapping”栏会显示 YES，在流程卡“Special Requirement 特殊要求” 栏还会显示：A 或 B 其中一种情况A. Die Bond 要使用 Mapping，同一个 Wafer lot 使用同一个 Mapping File。B. Die Bond 要使用 Mapping，每张 Wafer 使用不同的 Mapping File。说明：(1)针对某一批次的 Mapping 要求通过 S:promis reportData_Maintain_Tool 下的工具维护，该工具需安装 Oracle 客户端才能运行。(2)注意要把这类特殊 Mapping 和一般只用于边缘 4mm 去除的 Mapping 区分开。必须把特殊的 Mapping 文件单独存放一个目录。
