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1、2011 年博士后招聘启事中国科学院微电子研究所成立于 1958 年，通过长期不懈的努力，已成为国内微电子领域最重要的研发机构之一。为了加强学科的发展，现诚聘相关专业博士后研究人员。一、研究方向（一）、硅器件与集成技术研究室 该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于 SOI 集成电路、功率器件的设计、 产品研制、测试及可靠性等技术研究。（二）、专用集成电路与系统研究室该研究室主要从事射频、模拟和数字深亚微米集成电路设计实现及信息处理和无线收发系统集成的研发工作。主要研究方向包括：低功耗与极低功耗数字信号处理器、宽带通信系统 与基带 SOC、
2、极低功耗模数混合集成电路设计、高性能模拟与射频硅基集成电路、绿色电源集成电路设计。（三）、纳米加工与新器件集成技术研究室该研究室在国内最早开展亚微米微细加工技术研究，也是国家纳米科学中心协作实验室。研究室拥有面 积达 500 平方米的微纳米加工平台和电子束光刻公共平台。主要研究方向为 ：纳米加工与先进掩模制造技术、新型存储器技术、纳米尺度衍射光学元件、有机器件和电路、新型高效太阳能电池、微 纳传感与应用。（四）、微波器件与集成电路研究室 该研究室是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，目前的主要研究方向包括：GaAs 基和 InP 基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率 Ga
3、N 基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光 电器件与高密度集成技术。研究室下设“4 英寸化合物半 导体工 艺线” 、“微波单片集成电路（ MMIC）设计和测试” 、“微波模块研究”、 “光电模块研究”四个科研平台。（五）、通信与多媒体 SOC 研究室该研究室主要围绕通信与多媒体 SOC 芯片开展研究。目前主要研究内容包括：在 GPS/伽利略等卫星 导航接收机 SOC 芯片、Wimax/LTE 基带 SOC 芯片、多媒体与多核处理器 SOC 芯片、CMOS 图像传感器、嵌入式软件与应用等方面等前沿领域。（六）、电子系统总体研究室该研究室主
4、要从事现代新型通信、高端导航定位、无线传感网以及移动数字电视等系统的关键技术、核心芯片、模块与系统的研究开发，提供国家急需的上述各种集成系统的解决方案， 协调微电子所内各研究室完成从天线、微波高频芯片到基带芯片的系统级专题项目研究。主要研究方向包括：现代通信系统、集成电路设计、高端卫星导航定位、微波器件及模块等。（七）、电子设计平台与共性技术研究室该研究室主要开展有关芯片设计与验证技术、封装与 IC 协同设计技术，以及 SIP、MPW、PCB 板设计技术等产业前共性技术研究。研究室作为中国科学院EDA 中心核心技术资源提供单位，开展中国科学院 EDA 中心技术服务业务所需的核心共性技术研究，以
5、提升 EDA 中心的技术服务 能力和水平。同时针对微电子行业的产业共性技术进行研究。（八）、微电子设备技术研究室该研究室综合利用本所微电子工艺优势和多年的设备研制经验进行微电子成套设备技术研究，以实现 微电子设备国产化。主要的科研方向为：适用于 32-22纳米技术代新原理装备研究、极大规模集成电路装备及工艺研究、利用微细加工和集成技术研究创新型原理装备、常压等离子体技术、微纳加工技术标准化研究。（九）、系统封装技术研究室该研究室专门从事先进电子封装技术研发，主要包括集成电路、光电器件、MEMS、系 统级 封装(SiP/SoP)、高密度封装、3封装等等。该研究室将建成一个开放的、从封装设计仿真到
6、封装硬件平台基本全面的先进实验室，包括各种封装设计仿真工具，先进封装基板 实验线，微 组装实验线 ，测试实验室和可靠性实验室，为先 进封装技术研究和 业界提供技术支持与服务。 （十）、集成电路先导工艺研发中心该研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于 CMOS 前沿工艺技术、MEMS 器件与集成技术研究、新原理的微 细加工技 术和设备研发，拥有一条完整的 CMOS/MEMS 工艺线 和雄厚的工艺研发力量。主要研究方向包括 CMOS先导工艺技术研究，MEMS 器件与集成技术研究。（十一）、射频集成电路研究室该研究室主要从事 RFIC 和 MMIC 设计及相关模块开发的研究，已开发出多款具有自
7、主知识产权的射频集成电路和模块，部分成果已经在国家工程中获得应用，致力于先进通信技 术研发及相关产业发展，与国内外多家相关研究机构保持良好而稳固的合作关系。 主要研究方向包括：基于各种标准的射频集成电路及模块研发、射频集成电路 IP 核设计、医疗电子和医疗信息化硬件开发等。 二、申请人资格：(1) 在国内或国外新近 获得博士学位；(2) 获得博士学位后尚未分配工作或未回原工作单位报到；(3) 品学兼优 、身体健康；(4) 较强的独立工作能力，富有责任心和团队协作精神；(5) 良好的微 电子或相关专业的研究背景和积累；(6) 年龄不超 过四十岁。三、申请入站应提交的材料1、 申请从事博士后研究工
8、作的人员，需在“全国博士后 管理信息网络系统”（http:/）提出申请（单位名称为“ 中国科学院微电子研究所”）；2、 博士后申请表；3、 博士学位证复印件或博士学位论文答辩委员会决议书；4、 单位同意从事博士后研究工作的证明信及两封专家推荐信；5、 身份证复印件；6、 国外取得博士学位的留学人员应提交我国驻外使（领）馆出具的留学证明；6、 已发表论文及科研成果的清单和有代表性的论文全文；7、 体检表（初步确定后进行体检）8、 国内委托代培、定向培养和在 职工作以及具有现役军人身份的人员申请从事博士后研究工作，应向微 电子所提交其委托单位、定向培养单位、工作 单位或者所在部队同意其从事博士后研究工作的证明材料。六、待遇在站期间福利待遇按国家有关规定执行，可享受同岗位人员的工资与绩效标准。七、联系方法报名材料寄至：北京市朝阳区北土城西路 3 号中国科学院微电子研究所 人事教育处 王雷电话：010-82995539 邮编：100029电子邮箱: *请注明：“博士后 应聘材料 ”报名截止时间：2012 年 8 月 1 日
