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1、表41 80C51并行I/O接口的比较,并行I/O接口 80C51共有4个并行的双向口, 计有32根I/O口线，各口的每一位都由锁存器、输出驱动器和输入缓冲器所组成。但它们在结构上有一些差异，因此各口的性质和功能也有一些差异。详见P77表41：,单片机的引脚（P1口）,P1口：输出锁存器、输入缓冲器BUF1(读引脚）和BUF2(读锁存器）以及由场效应晶体管(FET) Q0与上拉电阻组成的输出 / 输入驱动器。,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,Vcc,引脚P1.X,内部上拉电阻,P1口某位结构,A,Q0,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内
2、部总线,Vcc,引脚P1.X,内部上拉电阻,输出数据 = 1 时,1,1,0,截止,=1,单片机的引脚（P1口）,作输出口用：CPU输出1时，D1，Q=1, /Q=0，晶体管 Q0截止， A点被上拉为高电平，即输出1 。,A,Q0,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,Vcc,引脚P1.X,内部上拉电阻,输出数据 = 0 时,0,0,1,=0,导通,单片机的引脚（P1口）,作输出口用：CPU输出 0 时，D0，Q=0, /Q=1, 晶体管 Q0导通，A点被下拉为低电平，即输出0；,A,Q0,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =1,读锁存器,写锁存器,内部总线,Vc
3、c,引脚P1.X,内部上拉电阻,输入数据时，要先对其写“1”,1,1,0,截止,单片机的引脚（P1口）,P1口为 准双向I/O口（内置了上拉电阻），仅在作输入口用时：要先对其(锁存器）写“1”。,A,Q0,P1口的特点 输出锁存,输出时没有条件; 输入缓冲,输入时有条件,即需要先将该口设为输入状态,先输出1; 工作过程中无高阻悬浮状态,也就是该口不是输入态就是输出态。 具有这种特性的口不属于“真正”的双向口，而被称为“准”双向口。,需要注意是：若在输入操作之前，不将A点设置为高电平(即置1) ，如A点为低电平，则外设输入的任何信号均被A点拉为低电平。此时如外设为高电平，因被Q0强拉为低电平，将
4、可能因大电流使晶体管烧坏。 P1口能驱动4个TTL负载。,（1）字节操作和位操作： 前面已述， P1口不仅可以作为一个8位字节来操作，也可以按位来操作。如： MOV P1, A , MOV P1, data 等，为字节操作。 MOV P1. i , C , SETB P1. i 等，为位操作。,（2）读引脚操作和读锁存器操作 读引脚信号时要先置1，后输入； MOV A, P1 (P1为源操作数） 读锁存器时，锁存器的值是经缓冲器BUF2读入内部总 线，修改后再写回锁存器。如前所述，它可避免误解。 MOV P1, A ;ANL P1, #10H CLR P1.1 (P1为目的操作数）,P1口的操
5、作,单片机的引脚（P3口）,P3口的口线逻辑电路如图42所示(P81)P3.0P3.7: 双功能口（内置了上拉电阻） 它具有特定的第二功能。在不使用它的第二功能时它就是普通的通用准双向I/O口。,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,第二功能输出（WR，RD，TxD）,引脚 P3.X,3,内部上拉电阻,Vcc,第二功能输入（RxD，T0，T1，INT0，INT1）,4,P3口某位结构,B,C,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,第二功能输出（WR，RD，TxD）,引脚 P3.X,3,内部上拉电阻,Vcc,4,第二功能输出时，内部自动 D
6、=1,1,1,1,反相器,单片机的引脚（P3口）,P3.0P3.7: 双功能口（内置了上拉电阻） 它具有特定的第二功能。在不使用它的第二功能时它就是普通的通用准双向I/O口。,B,C,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,此端自动1,引脚 P3.X,3,内部上拉电阻,Vcc,第二功能输入（RxD，T0，T1，INT0，INT1）,4,第二功能输入时，信号经缓冲器4 直接进入内总线,1,1,1,0,截止,单片机的引脚（P3口）,P3.0P3.7: 双功能口（内置了上拉电阻） 它具有特定的第二功能。在不使用它的第二功能时它就是普通的通用准双向I/O口。,B,C,P3口的
7、功能和特点： P3口是个多功能口，可驱动4个TTL负载。 (1) 可作为普通的I/O口，为准双向口（这点与P1口一样）。 (2) 可作为替代功能的输入、输出 （这点与P1口不同）：,P3. 0 RXD, 串行输入 ； P3. 1 TXD，串行输出。 P3. 2 INT0，外部中断0； P3. 3 INT1，外部中断1。 P3. 4 T0，定时器/ 计数器0的外部计数脉冲输入。 P3. 5 T1，定时器/ 计数器1的外部计数脉冲输入。 P3. 6 /WR，外部RAM写选通，输出，低电平有效。 P3. 7 /RD，外部RAM读选通，输出，低电平有效。,因此，P3口不论是作为替代功能输入和替代功能输
8、出，还是作为一般I/O口的输入功能时，都要向该口位的锁存器先输出1，即让图42的C1（Q=1），只是作为替代功能时由内部自动置C1；而作为一般I/O口的输入功能时，应由程序先置1，这一点应引起注意。,单片机的引脚（P2口）,P2口的口线逻辑电路如图43所示(P82)P2.0P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址高8位,控制,引脚 P2.X,3,内部上拉电阻,Vcc,P2口某位结构图,C,B,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =0,
9、读锁存器,写锁存器,内部总线,地址高8位,控制,引脚P2.X,控制=0时，此脚作通用输出口： 输出=1时,1,1,0,截止,3,内部上拉电阻,1,1,Vcc,=1,=0,单片机的引脚（P2口）,P2.0P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,C,B,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =0,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址高8位,控制,引脚P2.X,控制=0时，此脚作通用输出口：输出=0时,0,0,1,导通,3,内部上拉电阻,0,0,Vcc,=0,=0,单片机的引脚（P2口）,P2.0P2.7: 双向
10、I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,C,B,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =0,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址高8位,控制=1,引脚P2.X,控制=1 时，此脚作高8位地址A8A15输出口：当输出 =1 时,1,0,截止,3,内部上拉电阻,1,=1,Vcc,=1,单片机的引脚（P2口）,P2.0P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,C,B,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =0,读锁存器,写锁存器,内部总线,地
11、址高8位,控制=1,引脚P2.X,0,1,导通,3,内部上拉电阻,0,=0,Vcc,=0,控制=1 时，此脚作高8位地址A8A15输出口：当输出 =0 时,单片机的引脚（P2口）,P2.0P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,C,B,P2口的功能和特点：P2口是个双功能口。可驱动 4个TTL负载。 （1）作为普通I/O口时，P2口是准双向口，功能和P1口相同。 （2）作为地址输出时，P2口可输出程序存储器或片外数据存储器的高 8 位地址，它和P0口输出的低8位地址构成16位地址线。作为地址线时是8位一
12、起自动输出，不能象I/O线那样逐位定义。,P2口使用中应注意的问题： （1） 由于P2口具有输出锁存功能，所以输出的高8位地址无需外加地址锁存器。 （2）系统如外接有程序存储器，由于访问片外程序存储器时连续不断地取指令操作，P2口需不断地送高8位地址，这时P2口全部口线均不能再作I/O口使用。,（3）在无外接程序存储器而有片外数据存储器的系统中，P2口的使用可分为两种情况： 若片外数据存储器的容量256B，可使用MOVX A, Ri及MOVX Ri, A来访问片外RAM, 这时P2口不输出地址，因此P2口仍可作为I/O口（准双向）使用。,若片外数据存储器的容量256B，这时对256B以上的要使
13、用MOVX A, DPTR类指令来访问，P2口需输出高8位地址，此时，可以根据片外数据存储器读和写选通的频繁程度，有限制地将P2口作为 I/O 口使用 (或只利用P1/P2/P3口的某几根线送地址) 。,单片机的引脚（P0口）,P0.0P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制,引脚P0.X,3,4,Vcc,P0口1位结构图,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚 =1,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制,引脚P0.X,3,4,控制=0 时，作为8位准双向I/O口使用,作输入口（事先必须对它写“1”）,
