Cell工程工艺简介

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1、TFT-LCDCell工艺简介,钱志刚6/7,1. Cell工程简介,Cell工程目的: 把Array工程制作的TFT基板和彩膜(CF)基板,经过一系列处理后制作成合格的液晶屏(Panel),流到模组(Module)工程。,Cell工程主要分为前、中、后三部分: 前工程:配向处理 液晶滴下(ODF) 真空贴合 切断、贴偏光板,液晶屏基本结构,Cell工艺流程,前工程,中工程,后工程,Cell Shop布局,2. Cell前工程简介,Cell前工程目的: 在TFT和CF基板表面均匀的印刷一层配向膜并固化,通过摩擦处理,使其对液晶分子具有配向控制力,使液晶分子具有正确、稳定的取向,并形成一定的预倾

2、角。,Cell前工程的主要任务:形成厚度均一的配向膜基板表面均匀的摩擦处理 Cell前工程的主要工序:投入洗净 、配向膜印刷、配向膜烧成、摩擦、摩擦后洗净,2.1 投入前洗净,投入前洗净目的:除去TFT、CF基板上的异物粒子和污染物提高配向膜的印刷性,各种洗净方法比较,洗净原理,UV(EUV)洗净:紫外线(UV)使O2生成O3 ,并进一步分解为具有强氧化性氧自由基(O),使有机物氧化分解达到洗净效果。EUV的原理相同,只是其波长更短(即光子能量更高),产生O的能力更强,因而洗净效果更好。,Brush(滚刷)洗净:利用滚刷在一定压入量(压力)的条件下,在基板表面旋转时产生的机械剥离力将异物粒子除

3、去。它针对的主要是大粒径的异物粒子。,CJ洗净(Cavitation Jet),Hyper Mix洗净,基板干燥方法:,气刀(Air Knife)干燥:气刀是使用高压干燥空气从狭缝中吹出,将停留在基板表面的纯水除去。经过气刀干燥的基板还需要进一步干燥。,IR干燥:利用高温加热(IR)的方式将残留在基板表面的水分彻底除去,IR干燥只能用于除去少量水分,干燥效果与加热温度和时间有关。基板经过IR干燥后需要冷却,一般有冷板(Cold Plate)型和空冷型。,洗净效果的评价:,投入前洗净设备构成示意图,CF基板,TFT基板,2.2 配向膜印刷,配向膜印刷目的: 配向膜印刷工艺的目的是在TFT基板及C

4、F基板上均匀的印刷一层可使液晶分子取向的配向材。所使用的配向材为聚酰亚胺(PI,Polyimide)。PI在大面积均匀性、涂覆性、摩擦性、取向控制力、化学稳定性以及对液晶兼容性等方面均优于其它高分子。,S1采用方式,配向膜印刷的基本方式:(凸版印刷),Anilox Roll表面状态:,印刷版表面状态:,配向膜印刷工艺管理项目:,2.3 配向膜烧成,配向膜烧成目的: 配向膜印刷之后进行预干燥,配向膜中溶剂成分部分挥发,烧成时基板被加热到更高温度,使溶剂全部挥发,并且配向材固化(亚胺化)形成Polyimide。,配向膜形成的一般过程,印刷时,烧成后,S1采用混合型配向材,印刷时,其他类型配向材:,

5、烧成设备构成:,烧成工艺管理项目:,2.4 摩擦取向,摩擦处理的目的: 1.通过布摩擦配向膜,使配向膜具有配向液晶的能力2.使液晶排列具有预期的预倾角,摩擦处理过程:,US Cleaner,US Cleaner,摩擦取向原理:,摩擦工艺管理项目,摩擦后洗净目的: 除去摩擦工程后基板上的异物及污染物,防止异物不良和配向不良,包括有机污染物(摩擦布)和异物粒子(摩擦布、配向膜残屑)、离子性不纯物等。在摩擦洗净工程中,为了保证配向的均一性,必须保证洗净的均一性。,2.5 摩擦后洗净,IPA与纯水洗净比较:,摩擦后洗净工艺管理项目,3. Cell中工程简介,3.1 Spacer散布与固着,Spacer

6、散布工程的工艺要求特性: 1、散布密度稳定性:中心值25p/ mm2 2、散布的均匀性 3、没有Spacer凝集体,Spacer散布工程的目的: 为在ARRAY基板和CF基板间形成均匀的盒厚,在CF基板上均匀的散布颗粒状的Spacer。,Spacer固着工程的目的: 为避免Spacer的位置受滴下的液晶流动的影响,通过加热将已散布的Spacer固着在CF基板上。,Spacer散布工程的工艺要求特性: 1、液晶滴下时Spacer不发生移动 2、在工艺过程中基板上不附着US Cleaner不可去除的不纯物,Spacer散布原理及装置概要,Spacer固着原理及装置概要,装置构造,3.2 Seal(

7、封框胶 )涂布,Seal涂布目的:连接 CF基板和TFT基板在Seal中混入Spacer,从而有利于控制周边盒厚防止液晶泄漏有利于後工程的切断,Seal涂布的工艺特点:Seal材粘度20PaS700PaS混合Spacer材:310um涂布位置精度80um涂布幅宽0.2-0.4mm涂布高度25-50um断面积精度10%最小R描画0.5mm涂布速度MAX150mm/s(常用为20100mm/s)基台移动幅度: X方向:330mm Y方向:+630mm,-550mm,Seal 脱泡, 部, 直線部, 終端部,Seal外观,3.3 Ag(银胶)涂布,银胶涂布目的: 在TFT基板的配线上涂布Ag胶,使T

8、FT基板与CF基板导通。,Seal PI Ag涂布的位置关系:,适用于TN型产品IPS型产品不需要转移电极,另一种获得Vcom的方法Seal胶内掺入金球,通过接触孔导通优点:Vcom更均匀,Seal胶,3.4 液晶滴下(ODF),目的:为了形成要求的Gap值,在TFT基板上滴 下合适的液晶量。 主要控制参数:液晶滴下量液晶滴下位置液晶滴下打点数液晶脱泡条件(时间、真空度)Lead Time(液晶滴下真空贴合),滴下位置稳定性,滴下位置不是最佳位置时,在大气开放时,面内压力差产生。,周边Gap不良,滴下量对盒厚(Gap)值影响:, ,I P S,球状Cost merit,柱状(CF)Perfor

9、mance(High Contrast,Gap uniformity),材料,盒厚(Gap)的控制,盒厚(Gap)的相关因素:1.面内Spacer径;2.Seal内Spacer径;3.液晶量,球状Spacer,柱状Spacer,真空贴合的目的: 液晶滴下之后,在真空中将TFT和CF基板,在数m的精度范围内进行贴合。 性能要求: 勘合精度:6 m以内 Gap精度: Gap均一 到达真空度:0.13Pa以下 真空到达时间:60秒内达到1Pa以下;120秒内达到0.5以下,3.5 真空贴合,真空贴合过程:,1. 若没有达到要求的真空度,则贴合之后的面板会出现Gap不良,发生气泡,2. 排气速度(在液

10、晶脱泡不充分或者排气速度太快的情况下,会导致液晶飞溅出来,若飞溅到seal材上,则会导致seal材接着不良,液晶泄漏。),真空排气,液晶飞溅,贴合精度测定,测定方法:专用的Off-Line测定装置,在CF与TFT板贴合之后自动进行测定,测定的数据在PC中自动保存。,利用画像处理、自动检测能使A=B的位置,贴合精度以所测得的Vernier值来表示。,B,3.6 Seal硬化,Seal硬化目的:(1)通过UV及加热对seal进行充分硬化,使真空贴合后的CF及TFT基板通过seal高信赖性的无偏移接着,形成盒厚稳定的液晶屏;(2)防止液晶气泡的发生(长时间放置);(3)使液晶完全扩散,(UV硬化),

11、(本硬化),UV硬化原理示意,UV光照射会使a-si内产生电子迁移,破坏TFT的Tr特性,故采用MASK遮挡TFT部。,本硬化工艺条件特性要求,本硬化温度特性曲线,本硬化炉及温度曲线测定方法,120、60min,4. Cell后工程简介,Cell后工程的主要任务是把贴合后的大基板切断成小块的屏(Panel),把合格的屏贴上偏光板。,4.1 个片切断,目的: 将TFT基板和CF基板贴合后的大型基板按制品尺寸进行上下切断,分割为单块屏。,上下切断方式:,垂直裂缝产生原理:,上下切断方式的优点: 高浸透刀片的采用,只划片就能使基板完全断裂,无需裂片,避免裂片时对屏产生的损伤;无大型基板翻转避免翻转时

12、因夹杂异物而对屏产生损伤。,刀片结构:,由于垂直裂缝在切断后无法被观察到,而它与Rib mark有正比关系因此将Rib mark作为考察垂直裂缝的标准。,目的: .把使Gate电极和Drain电极短路连接的静电破坏防止回路除去,使Gate电极和Drain电极各自分离独立。 .液晶屏玻璃端面处理,防止后续工程中出现缺口以及划伤驱动IC等。 .洗净、干燥,装入料盒进行屏表示检查。,4.2 研磨、洗净,研磨、洗净设备构成,4.3 屏洗净,目的: 偏光板帖付前除去屏上付着的异物。,研磨头在屏上移动,除去异物; 研磨带一般卷取状态,可以防止异物体再付着和摩耗; 研磨使用湿处理方式,可以防止屏表面伤和静电破坏。,研磨带结构:,4.4 偏光板贴付,目的:根据屏的液晶配向方向,将偏光板的偏光轴与之重合进行贴付。,偏光板贴付方式,偏光板贴付工艺检查表:,4.5 自动除泡,目的: 偏光板贴附后,对屏进行加压加热处理,以除去偏光板之间的微小气泡。,装置示意图,谢谢!,

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