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1、油茶籽的综合开发利用项目预可行性报告XXXXX 镇政府二 O 一 O 年六月1目录第一章 总 论 3一、 项目背景 3二、 项目概况 4第二章 市场预测 4一、 产品市场供应预测 5二、 目标市场分析 5第三章 建设规模与产品方案 6一、 建设规模 7二、 产品方案 7第四章 场址选择 7第五章 技术设备方案 8一、 技术方案 9二、 设备方案 9第六章 主要原辅材料供应 9一、 主要原料供应 9二、 能源供应 9第七章 总体布置、运输与公用辅助工程 10一、 总图布置 10二、 场内外运输 10第八章 节能节水措施 10一、 概述10二、 节能措施 11第九章 环境影响评价 11一、 项目建
2、设和生产对环境的影响11二、 环境保护措施11三、 环境保护评价122第十章 劳动安全卫生与消防12一、 劳动安全12二、 生产事故及防范13三、 职业危害及防护13四、 消防设施14第十一章 组织机构与人力资源配置 14一、 组织机构14二、 人力资源配置15第十二章 项目实施进度 15第十三章 投资估算 15一、 投资估算依据15二、 估算范围16三、 项目建设投资16四、 资金筹措17第十四章 财务评价 17一、 评价依据、范围及指标17二、 经济评价18三、 财务评价19第十五章 研究结论与建议 203第一章 总论一、项目背景1、项目名称：油茶籽的综合开发利用2、承办单位：3、项目提出
3、的理由与过程当今世界新材料的发展日新月异，特别是电子、通讯等相关领域发展迅猛，对硅材料需求十分旺盛。数十年以来，硅材料行业一直以“提高硅单晶的尺寸和质量”为主要目标，先后生产了 4、5、6、8、12、16、18 英寸硅片。据最新的国家半导体技术（ITRS） 介绍，直径 18 英寸硅单晶抛光片是 12 英寸的下一代产品，也是未来 22nm 线宽的 64G 集成电路的衬底材料。集成电路产业是信息产业的核心，全世界以集成电路为核心的电子元器件，95%以上是硅材料制成的，其中直拉硅单晶的用量超过 85%。随着超大规模集成电路集成度的迅速提高，迫切要求采用大直径的直拉硅单晶抛光片。超纯及完整晶体结构的硅
4、晶体是一条长长的价值链的起点。没有硅晶体就没有半导体、光电子、通讯技术及光电技术。硅晶体棒用于制作晶圆，晶圆是半导体工业中制作芯片的基础材料。硅材料的另一个大的需求来自太阳能。从长远看，世界上一半以上的能源生产要采用可再生能源。可再生资源主要有风、水、太阳能。太阳能直接转换成电能（光电效应）靠太阳能电池完成。电池的原材料是带特定晶体结构的硅。专家预测：在今后的十年，结晶硅将在太阳能电池的生产中成为在、最主要的材料。硅片工业目前在生产与市场方面已经形成了垄断，日本、德国等国的资本控制的八大硅片公司的销量占硅片总销量的 90%，当前 IC 用主流硅片是 8 英寸，并向 12 英寸过渡。市场调研预测
5、，到 2006 年，12 英寸的硅片的比例将由目前的 1.3%增加到 21.1%。在 IC 和太阳能发电等领域对硅单晶的巨大需求和消费，对其生产能力对生产技术提出了更高的要求。其中生产高纯半导体材料的高温电热真空炉硅单晶生长炉正在向大型化、自动化的方向发展。硅单晶生长炉隔热保温筒、坩埚、发热体等热场系统元件采用高纯石墨、超高纯石墨材料制造，产品要求4材料的金属杂质含量要求不超过 530ppm。同时硅单晶生长炉最主要的易损件的消耗量特别大。根据权威部门统计，一台小型晶体生长炉（如 12 英寸）每年消耗的石墨坩埚、加热器、保温隔热材料的价值，达到 20 万元以上；一台大型晶体生长炉的热场系统备件损
6、耗，可达 50 万元以上。由于生产大型高纯石墨、超高纯石墨材料工艺控制难，需要大型的等静压设备等，其投资极大。因此，高纯石墨尺寸受到限制，经常不能满足制造较大硅单晶生长炉的热场零件的要求；另外，石墨脆性大，机械强度不高，使用可靠性不强，使用寿命短。本项目提出的炭/炭复合材料单晶生长热场系统零件的材料及热场解决方案，经过实践验证，对解决以上问题起到了很好的效果。实施本案对发展大型硅单晶生长设备，制造大尺寸的晶体，提升我国微电子技术水平具有极为重大的意义。二、 项目概况1、拟建地点本项目拟建于 XXXX 工业集中区。XXX 位于 XXXXX 村杨家洞，距 XXXXX 公里、交通区位优势非常明显。2
7、、建设规模与目标本项目的产品以硅单晶生长炉的坩埚、保温筒和固化保温毡为主要产品，首先重点针对国内当前面大量广的 16in.热场系统进行开发。生产能力按年生产 20，000 公斤炭/炭复合材料和 400 吨碳/石墨材料的规模计算。大规模化的生产炭/炭复合材料，使本项目在同行业中具备了强大的优势。第二章 市场预测一、产品市场供应预测1.国内供需现状国内现有生产 Si 单晶的设备 600 余台，近年来，每年递增 200 台左右。目前的设备主要拉制从 3至 6，少量为 8的晶棒。由于单炉投料量仅为几十公斤，因此，多采用高纯石墨制造坩埚，而这些高纯石墨多为进口冷等静压石墨。16 英寸的热系统的隔热保温套
8、，则多为进口件。相当一部分较大型的进口设备，其热系统完全依靠进口。C/C 复合材料热场系统研究组，为满足半导体工业的要求，与西安理工大5学单硅晶基地、有研硅股等单位合作，对 C/C 复合材料热场系统进行试验和使用。在西安用 C/C 复合材料制作的 12坩埚(306mm)及加热器,装在加有横向磁场的 TDR-62 上，使用情况很好。2.国外的发展现状1993 年东芝陶瓷申请的美国专利介绍用二维 C 纤维织物绕制作成 Si 单晶生长炉坩埚坯体，浸渍树脂后碳化制成坩埚。随后，在 1997 年美国 Walsh等用三维 C/C 复合材料制造了 Si 单晶生长炉用坩埚埚帮、埚托、发热体、隔热屏及支撑块等；
9、Metter 等人制备的高纯 C/C 复合材料，制造的硅单晶生长炉的热场零部件，通过一系列的高温处理，金属杂质含量控制到很低的程度。1999 年，Kawashima 等采用 C/C 复合材料在硅单晶生长炉的底部设置一个容积等于坩埚的容积的环槽，在硅单晶生长炉出现意外漏硅时，可以防止其他热场零件受到损伤。东洋炭素、SGL Carbon Composites，Inc. 等国外厂商在其产品介绍中,也提到 C/C 复合材料制造单硅晶生长炉的坩埚、发热体等产品。其中提到的个别产品已经投入使用，大多数则仍处于研究阶段。二、产品目标市场分析1、目标市场确定超高纯及晶体结构完整的硅晶圆是半导体工业中制作芯片的
10、基础材料。集成电路的出现及发展，使人类步入了微电子时代。随着微电子元件尺寸小型化、管芯面积大型化与 LSI 集成度的日益提高，硅单晶生长技术装备面临新的挑战。为改变我国集成电路用关键基础材料技术水平低、品种不配套、产业化规模小、关键基础材料依赖进口的局面，国家科技部设立了微电子配套材料专项，选择 12 英寸硅单晶抛光制备技术研究作为首次研究任务，并要求 12 英寸硅单晶抛光片形成小批量生产能力，达到 0.130.10m 集成电路技术要求。实施该项目第一个要解决的是 12 英寸硅单晶生长技术与装备的问题，大尺寸的热场系统的关键元件的设计制造技术，也迫切需要解决。2、.项目的市场优势由于国外公司在
11、控制了该类产品的市场，产品价格较高。所以，与国外对6手相比较，本项目的产品有较大的价格优势。3、总体营销思路根据产品的目标市场定位、产品定位及竞争力的研究结论，在市场营销战略上，应注意两个方面：一是建立完善的销售及售后服务网络，由销售工程师针对客户的使用和信息进行调研，以满足向高附加值产品发展的要求。二是在产品质量无较大差距的情况下，价格就成为高度敏感的因素，为提高产品竞争力，要发挥低成本策略的作用，充分利用自身优势，发展稳定而灵活的销售机制。本项目的产品价格的制定，原则上以国外同等质量的相同产品的价格为基础，较之低 520%。第三章 建设规模与产品方案一、 建设规模确定项目建设规模遵循的基本
12、原则：合理经济规模；市场容量；企业本身的资金、资源、原材料以及外部协作条件等通过对项目规模建设影响的因素进行了综合考虑，确定了项目的建设规模。本项目建设占地30亩。项目用地位于 XXXXX 镇 XXXXX 工业集中区。该地域建设条件较好，基础设施完善。项目建设分列如下：序号 项目名称 结构 面积（平方米）1 车间 钢结构 100002 仓库 钢结构 60003 办公楼 砖混结构 9004 其他辅助设施 砖混结构 300二、产品方案1、产品方案构成7项目建成以后，以生产、加工热场系统的保温隔热材料及坩埚为主，生产部分的大型发热体。针对这些产品的高纯度要求，对进入生产线的原材料的纯度、生产线的洁净
13、度，进行严格控制，保证产品的纯度和质量；材料的生产制造工艺、产品的机械加工、产品的转运、包装等过程要进行严格控制，在材料及产品的成型过程中，合理安排提纯工艺处理，保证产品的高质量，提高产品的纯度。2、产品方案的目标项目建成以后，主要是以硅单晶生长炉的坩埚、保温筒和固化保温毡为主要产品，重点针对国内当前面大量广的 16in 热场系统。等到该产品市场较为巩固以后，再开发其他系统的热场零件。热诚与科研院所、企业合作，研究硅单晶生长炉对热场零部件的使用要求，研究 C/C 复合材料制造的热场零件的特性，掌握 C/C 复合材料在单晶生长炉上的特殊性和规律性，满足硅单晶生长炉具的其他性能要求。自主开发，突破关键技术，实现 C/C 复合材料制造硅单晶生长炉热场零部件的国产化。及早研制出完全能满足 IC 级单晶 Si 生长炉拉制 300mm 晶棒的坩埚（坩埚直径在 600mm 左右） ；a) 研制出拉制 300mm 硅晶棒的单晶棒的单晶生长炉用发热体( 发热体的直径在 800mm 左右);b) 通过物理机械性能检测, 材料的抗拉强度达到普通高强石墨的 3 倍以上; 金属杂质含量控制在 100
