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1、- 1 - 1 -物理专业技术工作总结的晶格常数为 b，在基片上外延生长薄膜的晶格失配数 m 可用下式表示 m?b?a。 a8.形成外延薄膜的条件？?设沉积速率为 r，基片温度为 t ，?e 薄膜生长速率要小于吸附原子在基片表面上的迁移速率；提高 r?a?expd ?温度有利于形成外延薄膜 ?kt?第八章1.薄膜结构是指哪些结构？其特点是哪些？薄膜的结构按研究对象不同分为组织结构、晶体结构、表面结构。（1）组织结构是指薄膜的结晶形态，包括无定形结构、多晶结构、纤维结构、单晶结构。无定形结构：结构特性：近程有序、长程无序；不具备晶体的性质；亚稳态。晶界上存在晶格畸变；界面能：界面移动造成晶粒长大
2、和界面平直化；空位源：杂质富集；纤维结构薄膜是指晶粒具有择优取向的薄膜（2）晶体结构：多数情况下，薄膜中晶粒的晶格结构与体材料相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸不同，晶格常数也不同。薄膜材料本身的晶格常数与基片材料晶格常数不匹配；薄膜中有较大的内应力和表面张力。（3）表面结构：薄膜表面形成过程，由热力学能量理论，- 2 - 2 -薄膜表面平化；晶粒的各向异性生长，薄膜表面粗化；低温基片上，薄膜形成多孔结构。2.蒸发薄膜微观结构随温度变化如何改变？低温时，扩散速率小，成核数目有限，形成不致密带有纵向气孔的葡萄结构；随着温度升高，扩散速率增大，形成紧密堆积纤维状晶粒然后转为完全之谜的柱状晶体结构；温度再
3、升高，晶粒尺寸随凝结温度升高二增大，结构变为等轴晶貌；3.薄膜的主要缺陷类型及特点？薄膜的缺陷分为：点缺陷（晶格排列出现只涉及到单个晶格格点，典型构型是空位和填隙原子，点缺陷不能用电子显微镜直接观测到，点缺陷种类确定后，它的形成能是一个定值） 、位错（在薄膜中最常遇到，是晶格结构中一种“线性”不完整结构，位错大部分从薄膜表面伸向基体表面，并在位错周围产生畸变） 、晶格间界（薄膜由于含有许多小晶粒，故晶粒间界面积比较大）和层错缺陷（由原子错排产生，在小岛间的边界处出现，当聚合并的小岛再长大时反映层错缺陷的衍射衬度就会消失） 。4.薄膜的主要分析方法有哪些？基本原理是什么？（1）x 射线衍射法。利
4、用 x 射线晶体学，x 射线束射到分析样品表面后产生反射，检出器收集反射的 x 射线信息，当入射 x 射线波长?、样品与 x 射线束夹角?、及样品晶面间距 d 满足布拉格方程 2dsinn?，检测器可检测到最大光强。（2）电子衍射法。在透射电子显微镜下观察薄膜结构同时- 3 - 3 -进行电子衍射分析，电子束波长比特征 x 射线小得多，利用 lrd，求出晶格面间距。（3）扫描电子显微镜分析法。将样品发射的特征 x 射线送入 x 射线色谱仪或 x 射线能谱仪进行化学成分分析，特征 x 射线波长? 和原子序数 z 满足莫塞莱定律 /k，只要测得 x 射线的波长，进而测定其化学成分。（4）俄歇电子能
5、谱法。俄歇电子的动能为 e，由能量守恒定律 ek-el1=el23+e，近似 el1=el23，得俄歇电子的动能 e=ek-2el。对于每种元素的原子来说，el1、el23 都有不同的特征值，只要测出电子动能 e，就可以进行元素鉴定。利用俄歇电子能谱法中的化学位移效应不但可以鉴定样品的组分元素还可鉴定它的化学状态。（5）x 射线光电子能谱法。x 射线入射到自由原子的内壳层上，将电子电离成光电子，有电子能量分析测得光电子束缚能，不同源自或同一原子的不同壳层有不同数量的特征值。可以通过元素鉴定测出。（6）二次离子质谱法。二次离子质谱是利用质谱法分析初级离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素，并能给出同位素的信息，分析化合物组分和分子结构。物理专业技术工作总结范文
