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1、第5章 晶体管基本放大电。共射放大电路组成、工作原理、性能特点及分析方法。射极输出器基本特点。多级放大电路概念ss第5章 基本放大电路回顾: “半导体三极管。S.1L 三极管。5S.2 工作点稳定的放大电路。5S.3 射极输出器。5S.4 多级放大电路。5$.5 差动放大电路。S$.6 互补对称功率放大电路回顾:半导体器件是用半导体材料制成子器件。常用的半导体器件有二极管、汉极管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。半导体,导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(SD)、钳(Ge)。硅和钳是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。ss 质，其导电能力将大大增强。N型半导体在纯净半导
2、体硅或错中挫入磷、砷等5价元素，于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。自由电子 多数载流子 1空“穴 一一一 少数载流子简称少子ss P型半导体在纯净半导体硅或钳中挫入硼、铝等3价元素由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空认，这类挨杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。空 穴 多数载流子简
3、称多子)自由电子 少数裁流子简称少子)ss G。. 有 屋OO (e 亿， 忆,G。色只 己N 型半导体 P 型半导体无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。挨入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。ss PN结的形成半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动. 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。将一块半导体的一侧挫杂成P型半导体，另一侧挫杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的落
4、层一PN结。 _ ,扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结多子 形成空 间电荷区 “促使 少扩艇产生内电场一， 急帮人阻止 |P区 玉区 上区 |二空间电冀区= N 区昌.己已J .9.和.引 ee 日引申 四ee中.和gl is.eelieei.g日,所日9.中.四| 969.e 唱 外 加 一 两志方向si PN 结及其内电场PN结的单向导电性 亿外加正向电压也叫正向偏置) 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。空间电荷区| 变窗 | 内电罗五 疹 外加反向电压也叫反向偏置)外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 了，因为是少子漂移运动产生的，耻很小，这时称PN结处于截止状态。 空间志菏区变宽和
