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1、 2DC/DC升压变换芯片 LY8505系列 一、 概述 LY8505系列芯片是采用CMOS工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压转换器。 该芯片由振荡器、VFM模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX限幅电路等组成。 LY8505 系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。 输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V6V可选。 二、 芯片特性及主要参数 该设计产品 LY8505系列 DC/DC升压转换器芯片在应用中具有
2、优越的性能： 1. 外接元件少： 需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感20220H，钽电容47200F，肖特基二极管。 2. 极低的静态电流： 4uA 3. 低噪声及低纹波： 纹波典型值为100mV 4. 驱动能力强： Vtyp=3.3V, Vin=1.0V时，Iout=100mA Vtyp=3.3V, Vin=3.0V时，Iout=750mA 5. 启动工作电压低：最大 0.8V 6. 高效率： 85%(Typ) 7. 封装体积小： SOT89，SOT23（窄体） 三、 应用范围 LY8505 系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：
3、1、电池供电设备的电源部分。 2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。 3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。 四、 命名规则 内置MOS管命名： 外置MOS管命名： 3五、 芯片模型及引脚介绍 本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示 引脚说明： Vss:接地引脚 Lx:开关引脚(或Ext 外置Tr) OUT:升压输出引脚 封装 PIN1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx（Ext） SOT23（窄体，见封装结构尺寸） Vss Lx（Ext） OUT 六、 极限参数 对地输入电压VIN 10V 输出电流Iout 800mA
4、功耗Pd SOT-23 0.25W SOT-89 0.50 工作温度TA -40145 导线焊接温度（10秒） 260 七、 工作原理 利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。如图： 4八、 电性能参数 其主要参数测试如下表： 测试条件：VIN=2.2V，Vss=0V，Iload=10mA，Topt= 25，Cout=100 F(胆电容或使用100uF电解电容和0.1uF-1uF陶瓷电容并联)，L= 47 H（内阻0.1欧姆）。有特别说明除外。 LY8505-30（电路见图一）： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 V
5、out 2.925 3.000 3.075 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：00.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.980V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V空载 6 10 25 A 静态输入电流 IIN2 2 4 8 A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 A 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 85 % LY8505-33： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值
6、单位 输出电压 Vout 3.217 3.300 3.383 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：00.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.980V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V空载 8 10 25 A 静态输入电流 IIN2 2 4 8 A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 A 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 85 % 5LY8505-50： 参数 符号 测试状态 最小
7、值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 4.875 5.000 5.125 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN：00.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN：0.980V 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V空载 8 15 25 A 静态输入电流 IIN2 2 4 8 A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V 570 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V 1 A 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 效率 85 % LY8505-56X（电路见图二）：
8、参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 5.460 5.600 5.740 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V空载 8 15 25 A 静态输入电流 IIN2 1 4 8 A IEXT N VDS=0.4V 22 mA CMOS驱动输出管导通电流 IEXT P VDS=-0.4V 20 mA 振荡频率 FOSC 150 200 250 kHz 占空比 Dty 80 % 工作特性曲线如下： 测试条件：L=47uH(内阻0.1欧姆) Cout=100uF(胆电容或使用100uF电解电容和0.1uF-1uF陶瓷电容并联) 6九、 LY8505系列升压芯片应
9、用实例 典型应用电路： L=47uH（内阻0.1ohm）、 Cout=100uF电解电容并接0.1uF陶瓷电容、Diode为肖特基二极管 LY8505-30典型应用电路： （测试输入电流时，输入电容Cin=47uF必须接入） 图一：LY8505-30典型应用电路 LY8505-56X典型应用电路（外置NMOS管为低阈值开启电压，例GE2300）： 图二：LY8505-56X典型应用电路 7升压/降压电路: 降压电路 注:以上电路中的启动电路 十、 使用注意事项 外围电路对LY8505系列升压转换芯片性能影响很大，需合理选择外部器件： 1) 外接电容值不宜小于47F（电容值过小将导致输出纹波过大
10、），同时要有良好的频率特性（最好使用钽电容或高频电容）。此外，由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压，电容的容压值至少为设计输出电压的3倍；（普通的铝电解电容ESR值过高,所以可选购专门应用于开关式DC/DC转换器的铝电解电容）。 2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量，同时，电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的LX开关时间时ILXMAX超出最大额定值。此外，外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和。 3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。 4) 客户若驱动大电流负载（大于150mA），而纹波要求不高，则可以减小电感（22uH左右）； 客户若驱动小电流负载(小于50mA)并想得到低纹波的输出电压，则可增大电感值 8注意事项： 1)该芯片为驱动大负载而设计，所以外围元器件与芯片距离越小越好，连线越短越好。特别是接到 OUT端的元器件应尽量减短与电容的连线长度； 2）特别建议使用钽电容；如果在芯片OUT和Vss两端并接电解电容时需要并接0.1-1的陶瓷电容。 3)Vss端应充分接地，否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化，造成工作状态不稳定。 十一、封装结构尺寸图示 9SOT-23（窄体）
