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1、1,用“芯”铸造安全 A12,低功耗工业级安全芯,A12安全芯片是一款自主研发设计的高性能高速32位SD卡国产安全芯片。 接口丰富：SD/NFC/TYPEA/SWP/EMI/SPI/GPIO 算法众多：SM1/SM2/SM3/SM4/DES/3DES/RSA 资源丰富：548KB NorFlash，40KB SRAM 兼容性强：可兼容主流厂家NandFlash 纠错能力强：支持60bitECC纠错，且可配置 真随机数：芯片具有个真随机数发生器,2,低功耗工业级安全芯,3,低功耗工业级安全芯,4,DES在40MHz下，加密14.18MB/S，解密14.18MB/S 3DES在40MHz模式下，加
2、密5.8MB/S，解密5.8MB/S SM1在40MHz下，加密27.51MB/S，解密27.51MB/S SM4在40MHz下，加密9MB/S，解密9MB/S SM2在密钥长度为192bit，40MHz下，加密31次/S，解密49次/S，数字签名61次/S，签名验证35次/S，密钥对生成75次/S SM2在密钥长度为256bit，40MHz下，加密18次/S，解密32次/S，数字签名37次/S，签名验证20次/S，密钥对生成45次/S RSA在密钥长度为1024bit，40MHz下，加密500次/S，解密45次/S，数字签名45次/S，签名验证555次/S，密钥对生成1.25S/次 RSA在
3、密钥长度为2048bit，40MHz下，加密40次/S，解密次6次/S，数字签名6次/S，签名验证41次/S，密钥对生成9.82S/次,低功耗工业级安全芯,5,CPU 内部寄存器数据保护 存储器访问权限保护机制 SMPU与EMPU双重存储保护单元模块，确保安全算法的密钥不出芯片 NorFlash数据保护 芯片提供特殊的算法支持 NVM 数据加密和地址乱序，使 NVM 中的数据受到保护 内部RAM数据保护 提供特殊的算法支持 RAM 数据加密和（或）地址乱序，使 RAM 中数据受到保护。 支持安全算法区保护且容量可配置（最大128KB） 固件程序可配置一块 NVM 数据区作为安全算法区，用于下载
4、的安全算法库。对于这块 NVM，固件程序可以读、写、执行，用户程序只可执行。安全算法区是否存在、位置和大小可由固件程序进行配置。 硬件真随机数 硬件唯一序列号（80bit） 电压、温度、频率检测,低功耗工业级安全芯,工作温度：-40 85 存储温度：-40 125 工作电压：1.62V5.5V 功耗：正常工作模式 10mA 低功耗模式 50uA ESD 5000V（HBM）,6,低功耗工业级安全芯,7,7,自主设计，国产安全芯片 专利设计，加密传输速度快 集成国密算法 低功耗 防攻击 成本低,低功耗工业级安全芯,三芯片方案简化为两芯片 提高生产成品率，降低了成本 提高性能,8,8,传统安全SD
5、/TF卡三颗芯片,低功耗工业级安全芯,三芯片方案简化为两芯片 提高生产成品率，降低了成本 提高性能,9,低功耗工业级安全芯,硬件 开发工具主板(FPGA开发板) SD转接线 USB数据线 NandFlash子板 AICE仿真器一个 软件 IDE集成环境 开发板USB Driver AICE驱动 IDE License文件,10,低功耗工业级安全芯,11,低功耗工业级安全芯,WIS08SD548安全芯片用户手册 WIS08SD548安全芯片开发工具用户使用手册 WIS08SD548安全芯片编程指南 WIS08SD548安全芯片函数库使用手册 WIS08SD548安全芯片Demo演示程序,12,低
6、功耗工业级安全芯,13,低功耗工业级安全芯,非加解密存储速度 写速度大于6MB/s 读速度大于9MB/s 加解密速度 SM1/SM4模式12k数据加解密速率为5.86MB/s DES/3DES模式 4k数据加解密速率为3.91MB/s,14,低功耗工业级安全芯,SD_APP工程应用开发指南PDF文档 SD_APP工程应用开发指南PPT介绍 SD_APP工程代码 SDC 测试工具使用说明 SDC 测试工具 支持安卓和windows系统,15,低功耗工业级安全芯,16,SDKEY,安全让SDKEY保障！,我会专心把业务做好！,低功耗工业级安全芯,U盘KEY平台,17,低功耗工业级安全芯,支持NFC手机近距离支付功能：智能卡、移动支付终端,18,低功耗工业级安全芯,加解密速度快:最快15MByte/s 方便应用集成:符合异步SRAM接口规范 支持SM1、SM4等加解密功能 支持RSA、ECC（SM2）加解密功能 支持SM3散列算法功能,19,低功耗工业级安全芯,20,低功耗工业级安全芯,
