《半导体器件（二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放）》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体器件（二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放）（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ C ）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ B）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ B ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B ）。A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( B ) 载流
2、子。A.有 B.没有 C.少数 D.多数6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。A减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（ B ）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（ B ）。A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( C )， A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A ）电路。 A.差放 B.正
3、弦 C.数字 D.功率放大0iD/mA-4 uGS/V511、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（D ）。AP沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 =
4、 50，则复合后的b约为（ A ）。A1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( A )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ A ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ） 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区18、稳压二极管稳压时，其工作在( C )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ C ） A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制
5、造大电容 D. 可以增大输入电阻20、测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（ B ）状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定21、FET是（ B ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ B ）。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小23、二极管的电流方程是（ C ）。A B. C. D. 24、FET是（ B ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（ A ）。A.发射结正偏，集电结正偏
6、B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ A ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec27、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ A ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A ）。A.反向偏
7、置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（C）A集电极最大允许功耗 B集电极最大允许电流C集基极反向击穿电压（） D. （）E31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图1所示，设二极管D1，D2，D3 的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（ A ）。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V图133、半导体稳压二极管正常稳压
8、时，应当工作于（ A ）。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的( A )来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流35、场效应管是属于（ A ）控制型器件。 A.电压 B.电流 C.电感 D.电容37、测量某硅BJT 各电极的对地电压值为 ， ，该管子工作在（A ）A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.无法判断38、如图1所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b约为（A ）。V2V1A1500 B.80 C.50 D.30图139、共模抑制
9、比越大，表明电路（ C ）。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 D.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 杂质 半导体和 本征 半导体两大类。41、N沟道场效应管中的载流子是 自由电子 ，P沟道场效应管中的载流子是 空穴 。42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的 N 区、 P 区。43、PN结是靠多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动形成的。44、 PN结中内电场阻止 多子 的扩散，推动 少子 的漂移运动。45、二极管的特性是 单向导电性 ，场效应管是 电压 控制型器件。46、集成运放是多级
10、 直接 耦合放大器。47、 BJT工作在放大区时，其发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 直接 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用（ 差分放大 电路提高放大倍数，中间级一般采用 恒流源 负载，放大管多用 复合管 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。49、BJT是 电流 控制器件，FET是 电压 控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，则此二极管_击穿_；若两次读数都接近零，则此二极管_导通_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_正常_。51、设如图3电路中, D1为
11、硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 截止 状态, D2处于 导通 状态, 输出电压Uo为 0.2 伏。图352、 BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。53、结型场效应管输入回路PN结处于 反偏 状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻 大 。54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 放大区 、饱和区 、 截止区 ；要使三极管工作在放大区必须给发射结加 ，集电结加 。55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位分别为，则此管是 型三极管，材料为 。56、理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性，“虚地”是 的特殊情况。57、二极管最主要的特性是 。58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 反向电流 、 最高工作反向电压 。59、在室温下，某三极管的ICBO=8A，b=70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：IB = 20mA时IC = 1.18mA、IB = 80mA时IC = 4.78mA，该管的b = 。60、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 特性。三、判断题：61、运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。（ X ）62、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X ）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（X
