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1、一、填空题（每题 2 分，共 20 分） 实际使用的电源，按其外特性可以分为（ ）和（ ）。 有一种物质，它的导电性介于导体和绝缘体之间，这就是（ ），如硅、锗。 数字工程中，按存取方式分类，常用的存储器有顺序方向存储器，（ ）存 储器，（ ）存储器三种。 电路的功能大致可以分为两类，一类是作为（ ）的传输和转换，如电力电路 ；一类是作为实现（ ）的传递和处理，如信号电路。 如右图所示的电路中，B 点的电位为（ ）V。 测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、+2V、+8V， 则此管的三个电极先后为基极、（ ）极和（ ）极。 存储器的（ ）和（ ）是反映系统性能的两个重要指
2、标。_ 某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V, 接入 3K的负载电阻后输出电 压为 3V,这说明放大电路的输出电阻为（ ）。 将十进制数 18.625 化为二进制数为（ ），化为十六进制数为（ ）。 设输入变量为 A、B、C，判别当三个变量中有奇数个 1 时，函数 F=1, 否则 F=0, 实现它的异或表达式为 F=（ ）。 二、单项选择题（每小题 2 分，共 10 分 ） PN 结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（ ），内电场（ ）。 相反 加强 B. 一致 加强 C. 相反 减弱 D. 一致 减弱 下列电路中，（ ）不是时序电路。 计数器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 译码器
3、3图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（,A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E,右图是下面哪类场效应管的图符？ A. N 沟道耗尽型场效应管 B. P 沟道耗尽型场效应管 C. N 沟道耗尽型 MOS 管 D. P 沟道耗尽型 MOS 管 组合逻辑电路险象的消除方法不包括（ ） 多余项插入法 B. 改变电路结构 C. 加接惯性环节 D. 消除选通脉冲,1,三、分析计算题（共 70 分） 1求图中电路中a、b、c 各点的电位。（其中 E1=5V, E2=10V, R1=2, R2=5 , R3=4,2逻辑电路的输入 A、B 的波形和输出 F 的波形
4、之间的关系如图所示，试列出真 值表，写出函数F 的逻辑关系式，并画出实现此函数的逻辑图,3已知电路如图所示，求电流I。 （其中 E1=12V, E2=24V, E3=4V, R1=6, R2=12, R3=1,R4=3,4由两个电源共同向负载 R 供电的电路如下，已知电源的电动势 E1=E2=110V, 内 阻 r1=10, r2=5,负载两端电压读数为 90V, 试求两电源供电电流 I1、I2， 负载电阻R 以及两电源发出的功率。（电压表内阻的影响忽略不计,5在电路图的输入端i（t）加入如图所示波形，视D 为理想开关，试对应画 出输出o（t）的波形,2,今有一个额定电压 VN=110V, 功
5、率 PN=45W 的电烙铁，要接在 220V 的电源上 工作，为了保证正常工作，试问要串入多大的电阻值？这样连接工作在经济上是 否合理？ 已知电路如图所示，US=18V, RO=4, 求 RL 为何值时，负载获得功率最大， 并求出最大功率,8电路如图所示，设 t0 时，电路已达稳定，在 t=0 时，开关 K 由位置 1 转到 位置 2, 与具有 R1 的电压源E 相接通。 求电容电压c (t)的变化规律，并画出波形,9描述逻辑电路的方称为 F=AB,3,试写出它的真值表，画出逻辑电路图,答案,一、填空题 1电压源 电流源 2半导体 3随机存取 只读 4能量 信号 52 6发射极 集电极 7存储
6、容量 存取时间 81K 910010.101 10ABC 二、选择题 1B 2D 3A 4C 5D 三、分析计算题 1解：在计算时注意电阻元件上是否有电流流过，由于 E2、R2 以及E1 没有构 成回路，所以它们中没有电流流过，各点电位为： Vb=Vbo=E2=10V Vc=Vco=Vcb+Vbo= -5V+10V=15V Va=Vao=Vab+Vbo= -I*R3+Vbo=6V,2解：根据输入输出的波形关系列真值表，如表所示。由此写出函数F 的逻辑 表达式为 F=A+ B 于是，实现F 的逻辑图如图所示,3解：I= (16V +4V)/ (4 +1 +3)=2.5A 4解：因为 I1r1+
7、VAB =E1 所以 I1=( 110-90)/10=2A 因为 I2r2 +VAB =E2 所以 I2= ( 110- 90)/ 5= 4A 因为 I1 +I2= I 所以 I =2+4=6A ，RL=90/6=15 5解：Vo(t)的波形如图所示,6解：串联的电阻 R=269 串联电阻的功率 P=45W 当电烙铁在正常工作时，串入的电阻也消耗功率，并等于 45W, 因此这种工作方,4,式，在电路上是可行的，但从经济上考虑其效率只有 50。 7解：由图可知，当 RL=R0=4时，负载获得最大功率 Pmax=Us2 /4R0=182 / (4*4)=20.25W 8解：因为c (0-)=0V
8、所以c (0+)=0V,9解：F 的真值表和逻辑电路图如下,一、填空题（每题 2 分，共 20 分） 基尔霍夫定律包括（ ）和（ ）两部分。 二极管（ ）导电性，应用范围很广，可用于整流、检波、限幅等。 用二进制异步计数器从零计到十进制数 178，则最大需要（ ）个触发器。 电阻律可以用电阻 R, 电阻材料长度L，横截面积S 表示，表达式为（ ）， 的国际单位是（ ）。 为获得一个电压控制电流源，应选（ ）负反馈电路。 函数 F=,当变量取值情况为（ ）时不会出现冒险现象。 已知某存储器芯片的容量为 32KB, 则它的地址线为（ ）根，数据线为（,5,根。 当电容两端电压不随时间变化时，电容电
9、路中的电流为（ ）。这时直流电 路可视为（ ）。 我国民用交流电的电压有效值是 220V, 频率为（ ），它的最大值为（ ）， 瞬时值表达式（t）=( )。 某存储器具有 8 根地址线和 6 根双向数据线，则该存储器的容量为（ ）。 二、单项选择题（每小题 2 分，共 10 分 ） 1在同相和反相比例运算电路中，（ ）相比例电路的反相输入端为虚地点；（ ） 相比例运算电路中的运放的两个输入端对地电压基本上等于输入电压。 A. 同 同 B. 同 反 C. 反 同 D. 反 反 28 位 DAC 工作在参考电压 Vaf =10V 时，最低的输出电压为（ ）。 A. 5mV B. 10mV C. 2
10、0mV D. 40mV 3N 极反馈移位寄存器的状态数为（ ）。 A. n B. 2n+1 C. 2n D. 2n-1 已知整流二极管的反向击穿电压为 20V, 按通常规定，此二极管的最大整流 电压为（ ）？ A. 20V B. 15V C. 10V D. 5V 用（ ）电路构成模 8 计数器的译码逻辑电路最简。 环形计数器 B. 同步计数器 C. 异步计数器 D. 扭环形计数器 三、分析计算题（共 70 分） 1在下图所示的电路中，求电路的最大输出功率。（RL=8,2已知电路如下图所示，画出其状态转换图,3设A、B、C、D 代表四个二进制数码，且X=8A+4B+2C+D。试写出 1X9 的
11、判断条件,6,4 在图示的电桥电路中，若调节变阻器的滑动触头 C, 使电压表的读数为零， 试求 Rx 值（电压表内阻的影响忽略不计，R=120, R1=R2=20,5图示的是一电阻分压电路，电源电压 V=30V，滑线电阻 R=200，当负载 RL 不接时 Vab=15V, 若电源电压V 保持不变，试问： 当负载 RL 接入后，测得流过 RL 中的电流为 100mA, 这是 Vab 等于多少伏 ？ 若仍需要保持负载 RL 两端电压为 15V, 滑线电阻的活动触头应位于何处（ 即求出 ab 间的电阻值）,若要对余 3 循环码进行传输，为了检测在传输过程中是否有错，在发送端将 形成一位监督码元S。试
12、写出该余 3 循环 BCD 码奇校验位 So 和偶校验位Se 的真 值表。 已知电路如图所示，在开关K 打开的情况下，a、b 两点之间的等效电阻,8纯电阻负载 MOS 倒相器如图所示，已知 NMOS 管的开启电压 VTN=4V，导通电 阻 ROS=500, 输入低电平为 0，高电平为 12V，试求 NMOS 管在高、低电平的作 用下管子的工作状态和相应的输出电压 VO,7,9判断图示电路是时序电路还是组合电路,答案: 一、填空题,m5电,1基尔霍夫电压定律 基尔霍夫电流定律 2单向 384 流串联 6B=C=0 7158 8零 断路 9311V,二、选择题 1C 2D 3C 4B 5A 三、分
13、析计算题 1解：最大的输出功率为 1W。 2 解：设函数 F2=1 时，满足 1X9 的条件，否则 F2=0。 解：Rx=80 5解： (1) Vab=10V (2) Rab=141 6解,8,解：Rab=2.2 解：当 Vi=0 时，Vo=12V, T 截止 Vi=12V 时，Vo=0.57V, T 导通,9解：F 的表达式是： 由F 的表达式看出，输出函数 F 不仅与该时刻的输入A、B 有关，而且还与 D 有 关，而D 又取决于以前时刻的输入值，故此电路是一个时序电路,一、填空题（ 每题 2 分，共 20 分） 电路由能路、（ ）和（ ）三种工作状态。 场效应管按其结构的不同分为（ ）场效
14、应管和（ ）场效应管。 当 P 型半导体和N 型半导体发生接触，在中间部分将产生（ ），会出现一 个由 PN 结自身建立的电场，自建电场的方向由（ ）指向（ ）。 将一个包含有 16384 个基本存储单元的存储电路设计成 8 位为一个字节的 ROM, 该 ROM 有（ ）个地址，有（ ）个数据读出线。 负反馈放大电路的结构由（ ）和（ ）两部分组成。 在直流电路中，直流电源的电动势或电流的（ ）和（ ）保持不变。 有两个电阻，其中一个比另一个电阻值大得多，在串联时，两个电阻中阻值 较（ ）的那个电阻的作用可以忽略。 8测得工作在放大区的晶体三级管三个电极的电位分别为+2.5V, +8V, +2
15、V, 则 此管为（ ）型（ ）管。 9为充分提高负反馈效果，当信号源为高内阻的电流信号源，若要求放大电路 的电压稳定，应选( )负反馈电路。 10十六进制数 9D.12 转换为二进制数为（ ）。 二、单项选择题（每小题 2 分，共 10 分 ） 某仪表放大电路，要求 Ri 大，输出电流稳定，应选（ ）。 电流串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电压串联负反馈,3按存储介质的不同来划分，存储器分为（,9,随机存取存储器 RAM 和只读存储器 ROM 磁存储器和光存储器 半导体存储器、磁存储器和光存储器 半导体存储器和光存储器 4某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,
16、 接入 12K的负载电阻后，输出 电压为 3V,这说明放大电路的输出电阻为（ ） A. 2K B. 3 K C. 4 K D. 10 K 负反馈放大电路产生自激震荡的条件是（ ）。 A. AF= 0 B. AF= 1 C. AF= D. AF= -1 三、分析计算题（共 70 分） 1在下图所示的电路中, R1=6, R2=R5=4, R3=R4=8, E=12V, I1=1A, I2=I3=0.5A, 试求各点电位，并从电位求电压 Vcd。（选择 F 点为参考点,2求下图函数表达式，将其化简为与或表达式,3 已知电路如下图所示, 其中 Vcc=12V, RB=200K?, RE=RL=RS=3K, =40, 求输入电阻 ri 和输出电阻 ro,10,4电路如下图（a）、（b）中，设开关闭合为 1，断开为 0，灯亮为 1，灯灭为 0，试写出灯亮的逻辑表达式,5如下图所示的主从 JK 触发器，加入周期性的时钟脉冲，设 Q 的初始状态为 0， 试画出每个触发器Q 端的波形,6试求图示电路中的 Vab 值,11,7写出如下图所示门电路的逻辑表达式,用两输入端的与非门实现函数： 分析下图所示电
