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1、不问收获，但问耕耘，把最好的资料送给最好的自己！最新电大光伏检测与分析形考作业任务01-04网考试题及答案姓名：XXX时间：20XX年X月X日最新电大光伏检测与分析形考作业任务01-04网考试题及答案 100%通过 考试说明：光伏检测与分析形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。 01任务 01
2、任务_0001 一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。） 1.缓冲剂一般是（）。 A. 强酸强碱 B. 弱酸弱碱C. 弱酸D. 弱碱 2.一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（）的硅单晶。 A. 小于1000cmB. 11000cmC. 大于1000cmD. 以上皆不是 3.目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。 A. 两探针法 B. 四探针法C. 扩展电阻法D. 范德堡法 4.用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。 A. P型B. N型C. PN型D. 以上皆不是 5.半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的
3、半导体元件。 A. 单晶B. 多晶C. 非晶D. 以上皆不是 6.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（）。 A. 大B. 小C. 一样大小D. 未知 7.（）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。 A. 空位B. 位错C. 层错D. 杂质沉淀 8.（）是最简单的点缺陷。 A. 空位B. 填隙原子C. 络合体D. 外来原子 9.三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。 A. 温差电效应B. 整流效应C. 以上二种皆可D. 以上二种皆不可 10.（）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。 A. 点缺陷 B. 线缺陷C. 面缺陷D. 微缺陷二、多项选择题（共
4、 10 道试题，共 30 分。） 1. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）。 A. 冷热探笔法B. 三探针法C. 单探针点接触整流法D. 冷探笔法 2. 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）。 A. 星形结构B. 杂质析出C. 系属结构D.点缺陷 3. 高频光电导衰退法的优点主要有（）。 A. 样品无需切割成一定的几何形状B. 测量时不必制作欧姆电极C. 样品较少受到污染D. 应用广泛 4. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）。 A. 使整个样品加底光照B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射C. 将硅单晶加热到5070D. 将硅单晶加热到6080 5. 半导体中非平衡少子载
5、流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。 A. 太阳能电池的光电转换效率B. 晶体管的放大倍数C. 开关管的开关时间D. 太阳能电池的填充因子 6. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。 A. Sirtl腐蚀液B. Dash腐蚀液C. Wright腐蚀液D. Shimmel腐蚀液 7.直流光电导衰退法的缺点主要有（）。 A. 对样品有几何形状和几何尺寸的要求B. 要求制备符合一定要求的欧姆接触C. 测量下限较高D. 仪器线路比较复杂 8. 高频光电导衰退法的缺点主要有（）。 A. 仪器线路比较复杂B. 干扰比较大C. 测试方法比较简单D. 依靠电容耦合 9. 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（
6、）。 A. 点缺陷B. 位错C. 层错D. 杂质沉淀 10. 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）。 A. 光电导衰退法B. 扩散长度法C. 光磁法D. 光脉冲法三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。） 1. 漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。 A. 错误B. 正确 2. 半导体的陷阱中心数量是变化的。 A. 错误B. 正确 3. 硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。 A. 错误B. 正确 4. 用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。 A. 错误B. 正确 5. 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。 A. 错误B. 正确 6
7、. 测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。 A. 错误B. 正确 7. 用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以4050为宜。 A. 错误B. 正确 8. 被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。 A. 错误B. 正确 9. 半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。 A. 错误B. 正确 10. 当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。 A. 错误B. 正确四、连线题（共 10 道试题，共 30 分。） 1. 将下列不同电阻率的测量电流范围一
8、一对应。（1）样品电阻率>1000 A.样品电流1 （2）样品电阻率301000B.样品电流0.1 （3）样品电阻率130 C.0.01 （1）C （2）B （3）A 2. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HCLA.冰醋酸 （2）HAc B.36% （3）H2O2 C.30% （1）B （2）A （3）C 3. （1）A （2）B （3）C 4. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。（1）宏观缺陷 A.杂质沉淀 （2）微观缺陷B.星形结构 （3）表面机械损伤C.加工损伤 （1）B （2）A （3）C 5. 将下列微观缺陷种类与说法一一对应。（1）空位 A.晶格点阵上
9、的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面 （2）填隙原子B.占据晶格空隙处的多余原子 （3）络合体 C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体 （1）A （2）B （3）C6. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。（1）Shimmle腐蚀液 A.1015min （2）Wright腐蚀液 B.20 min以上 （3）Sirtl腐蚀液C.5min （1）C （2）B （3）A 7. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。（1）样品电阻率0.01A.样品电流100 （2）样品电阻率0.011B.样品电流10 （3）样品电阻率130C.1 （1）A （2）B （3）C 8. 将下
10、列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。（1）Sirtl腐蚀液A.1015min （2）Dash腐蚀液 B.20 min以上 （3）Secco腐蚀液 C.116h （1）A （2）B （3）C 9. 将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可 （1）冷热探笔法 A.10-4104cm （2）整流法 B.11000cm （3）两探针法 C.1000cm以下 （1）冷热探笔法 C （2）整流法 B （3）两探针法 A 10. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HFA.70% （2）HNO3B.49% （3）H2O2C.30% （1）B （2）A （3）C0
11、2任务 02任务_0001 一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。） 1. 样品制备中选择样品厚度的原则是使吸收峰处的透射率为（）。 A. 10%-70%B. 10%-80%C. 20%-70% D. 20%-80% 2.直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（）。A. 较高B. 相同C. 较低 D. 无法判断 3. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（）。 A. B. C. D.4. K系辐射线可以细分为 及 ，他们辐射的强度比约为（）。A. 1：1 B. 2:1C. 3:1D. 4:1 5. X射线剂量用伦琴表示，符号用r,根据国际放射学会议规定，普通人的安全剂量应为每周不超
12、过（）r。 A. 0.2B. 0.3 C. 0.4 D. 0.5 6. 晶面间距可用字母d表示，以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距（）。 A.B. C. D.7. 抛光时，抛光液HF与体积比为（）。 A. 1:1B. 1:2 C. 1:4D. 1:6 8. 红外线通过样品时，对于硅单晶反射率R为（）。 A. 10% B. 20%C. 30%D. 40% 9. X射线在医疗诊断方面得到广泛应用，主要是依赖其（）。 A. 感光作用B. 电离作用C. 穿透性强D. 衍射作用 10.参比样品应不含有被测杂质，一般要求氧和碳原子含量在（）以下。 A. B. C. D.二、多项选择题（共 10 道试题，共
13、 30 分。） 1. 抛光时对于样品表面有（）要求。 A. 无划道B. 无浅坑C. 无氧化D. 无沟道 2. 以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。 A. 单晶材料制备B. 单晶片的制备C. 器件的制作D. 管芯划片方向 3. A. B. C. D.4. X射线的衍射法精确度高，它受以下（）因素影响。 A. X射线束的发散性B. X射线束准直性C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度D. 天气温度 5. 布喇格定律成立需满足以下（）条件。 A. B. 入射角等于反射角C. 入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧D.6. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（）现象。A. 反射
14、B. 折射C. 吸收D. 透过 7. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（）。 A. 光点定向仪B. 光源C. 光屏D. X光 8. X射线主要有以下（）性质。 A. 感光作用B. 荧光作用C. 电离作用D. 衍射作用 9. X射线定向仪主要有以下（）部分组成。 A. X射线发生部分B. X射线检测部分C. 样品台D. 转角测量部分 10. 样品加工主要包括以下（）步骤。 A. 取样B. 研磨C. 抛光D. 连接电脑测试系统三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。） 1. X射线是一种电磁波，与可见光相同，但波长要长得多。 A. 错误B. 正确 2. 晶向偏离度是指晶体生长方向偏离晶轴的角度。 A. 错误B. 正确 3. 激光照射和中子轰击等可以产生X射线。 A. 错误B. 正确
