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1、行业资讯 （第 十 期 1013-1017） 目 录 1 中国篇 . 3 1.1 产品及技术资讯 . 3 石墨烯能大幅降低蓝光 LED 成本 IBM 已投资 30 亿美元 .3 户外照明电源常见问题与解决方案浅谈 .4 1.2 企业动态 . 6 LED 小间距订单剧 增 利亚德前三季净利预增 100%-130% .6 苹果蓝宝石供应商已退出纳斯达克交易市场 .6 GTAT 与苹果保密协议曝光 恐面临 3 亿罚单 .7 达进东方照明拟折 18%配股集资约 8800 万元 .8 天龙光电困局：重组频频失败 前景渐行渐下 .9 聚飞光电前三季度净利预增 25%-50% .9 华灿光电前三季度净利预增
2、 720%-750% .9 王冬雷主导法制化管理雷士照明 德豪润达发展依旧 . 10 长方照明 2014 年前三季度营收近 7 亿 . 11 蓝宝石供应商 GTAT 再跌 51% 一路下挫成“仙股” . 11 鸿利光电前三季度净利预增增长 40%-60% . 11 鸿利光电 1.7 亿元收购斯迈得 加强白光 LED 封装能力 . 12 1.3 政策趋势 . 12 深度解析台湾 LED 厂抢食“车灯大饼”内幕 . 12 LED 照明海外市场形势分析 . 14 2 美国篇 . 18 2.1 产品及技术资讯 . 18 2.2 企业动态 . 18 LED 芯片商 Illumitex 成功融资 390
3、万美元 . 18 2.3 政策趋势 . 19 3 欧洲篇 . 19 3.1 产品及技术资讯 . 19 3.2 企业动态 . 19 欧司朗牵手 Nanoco 致力提升 LED 照明性能 . 19 3.3 政策趋势 . 19 4 日本篇 . 19 4.1 产品及技术资讯 . 19 4.2 企业动态 . 19 1 中国篇 1.1 产品 及 技术 资讯 石墨烯能大幅降低蓝光 LED 成本 IBM 已投资 30 亿美元 时间： 1015 来源：中国 LED 在线（ http:/ ） 世界上几乎所有的半导体技术研究机构都在尝试制造单层石墨烯 (graphene)，并将其视为优于硅的新一代 IC 材料；不过
4、现在 IBM 的研究人员却发现石墨烯材料的另一种优势能大幅降低采用氮化镓 (GaN)制造的蓝光 LED 成本。 “ 我们在利用碳化硅晶圆片所形成的晶圆尺寸石墨烯上，长出了单晶 GaN 薄膜； ” 自称 “ 发明大师 ” 的 IBM T.J. Watson 研究中心成员 Jeehwan Kim 表示： “ 然后整片 GaN 薄膜被转移到硅基板上，石墨烯则仍留在 SiC 晶圆片上重复使用，再继续长出 GaN 薄膜、转移薄膜的程序。 ” 他指出，比起采用昂贵的 SiC 或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出 GaN 薄膜的传统方式，这种新方法的成本效益要高出许多，而且他们发现以新方法在石墨烯上长出的薄
5、膜质量，高于采用其他基板长出的薄膜 (缺陷密度较低 )。 要长出晶圆尺寸的单层石墨烯薄膜非常具挑战性，为了利用石墨烯制造 IC 半导体组件，专家们在过去尝试了许多不同的方法，可惜只有部分取得成功；目前发现采用 SiC 晶圆片、然后将硅汽化，是最可靠的方法之一。 而 IBM 的 Kim 证实，将 SiC 晶圆片的硅汽化之后，所留下的石墨烯薄膜能稳妥地转移至硅基板上；此外他们也证实，这种方式产出的石墨烯质量， 优于直接在要运用石墨烯的晶圆片上所生长的石墨烯品质。 至于在石墨烯上长出其他薄膜，又为该种材料开辟了一种新应用途径； Kim 将他开发的技术称为 “ 在磊晶石墨烯上生长高质量单晶 GaN 薄膜的直接凡德瓦磊晶法 (direct van der Waals epitaxy)” 。他声称，以这种方式生长的 GaN 薄膜或是其他薄膜，可随意移植到任何一种基板上，支持例如等组件的制造。 由于 Kim 的实验室以上述方法制作的用 GaN 薄膜，是成功重复利用 SiC 晶圆片上的石墨烯长成，他们认为这是可利用石墨烯大幅降低半导体组件制造 成本的全新 方式： “ 我们首度证实能在石墨烯上生长晶圆尺寸的单晶薄膜，而且石墨烯还能重复利用；此外我们的研发成果也为在石墨烯上生长高质量单晶半导体元 件提供了一个通用准则。 ” 将 SiC 晶圆片的硅汽化之后，能剥离出单层石墨烯，并将之转移到任何一种基板
