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如何提高LED芯片发光强度,LED的亮度主要取决于外延方法和外延质量好坏，在芯片制造过程中采取不同的方法也可提高一些光强即提高外量子效率，但是程度有限。现在使用最方泛的方法是进行表面粗化工艺。粗化的原理是增加发光面积。该方法适用于黄，绿，普红，普黄。等GaPa基材的外延片，另外红外LED也可采用该方法。这种方法一般可以提高30%。,另外有一种方法是覆盖一层增透膜。由于发光二极管晶体的折射率比较高，当光线射向晶体表面时，在晶体和空气的交界面上就要产生折射。若假定该晶体的折射率为N1，入射角为1，在空气折射率为N2，折射角为2时，如图29-1：,根据折射定律，可得： NIsin1=N2sin2 (29-1)从式（29-1）知，当2=90时的1称为入射临界的半角用C表示，即 C=arcsinN2/ N1 (29-2)显然当1=C时光线全部被反射向晶体内部，如果在LED晶体与空气之间镀一层中等折射率的介质层可增大临界角C。比如GaP的N1=3.3如果还没有介质层则临界角C=17.7度。覆盖一层N2=1.66的介质层后C可能增大到了30.3度，光强可提高为2.5倍。,
