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1、安徽大学电子信息工程学院 2014 年招收硕士研究生导师资格申请表一、申请人基本信息姓名 柏娜 性别 女 出生日期 1977.01.29 学历 博士 职称 副教授 受聘时间 2011.8 学位 博士 毕业学校 东南大学研究方向超低能耗 SOC、高性能存储器等身体状况 健康拟招生所属二级学科 微电子与固体电子学拟招生所属一级学科 电子科学与技术二、主持或参加科研项目项目名称 项目类别 起止年月 已到帐经费 本人排名高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究二类 2013.1-2015.12 16.8 万 排名第一超低能耗 SRAM 编译器关键技术研究 二类 2012.4-2013.4 50 万 排
2、名第一高 可 靠 超 低 能 耗SRAM 关键技术研究三类 2013.1-2015.1 5 万 排名第一高实时性与高工艺偏差容忍度的超低能耗 SRAM 关键技术研究三类 2011.8-2013.6 1 万 排名第一低 功 耗 高 密 度SRAM 单元建库及编译器设计一类 2011.1-2012.12 408 万技术总负责嵌入式 CPU SRAM编译器设计关键技术研究一类 2010.1-2012.6 1042 万技术总负责三、科研成果（一）论文（级别填写 SCI、 EI）论文题目 发表刊物名称 （年、 卷、 期） 级别A Robust High Density 7T SRAM Bitcell f
3、or Subthreshold Applications Chinese Journal of Electronics, vol.20, pp. 243-246, 2011 SCI A 200 mV Low Leakage Current Subthreshold SRAM Bitcell in 130nm CMOS Process Journal of Semiconductors, vol 33, n6, june 2012 EI A High Robust SRAM Bit-cell under Optimum-Energy Supply Voltage Applied Mechanic
4、s and Materials, vol 121-126, pp. 1332-1337, 2012 EI Ring Oscillator Phase Noise Properties due to PSN with Deterministic Frequency Advanced Materials Research, vol.496, p 527-533, 2012 EI A PVT-Compensation Scheme for Subthreshold SRAM Journal of Convergence Information Technology, volume 7,number
5、17, p124-132, sep 30, 2012 EI Analysis of ADPLL Jitter Due to Power Supply Noise with Deterministic Frequency the Journal of Computational Information Systems（已收录）EI 源刊An ultra Low Supply Voltage Ultra Low Power Subthreshold SRAM Bitcell Design 东南大学学报已收录 EI 源刊A Robust High Density 7T Subthreshold SR
6、AM Bitcell with Partial Dynamic Threshold Voltage Connection Scheme Applied Mechanics and Materials, vol 121-126, pp. 1279-1285, 2012 EI A Robust SRAM Design for Ultra Dynamic Voltage Scalable VLSI System Applied Mechanics and Materials, v 182-183, pp.450-455, 2012, Applied Mechanics and Mechatronic
7、s Automation EI A Circuit for Robustness Enhancement of the Subthreshold SRAM Bitcell in 65nm Technology Advanced Materials Research vols. 542-543, pp.1001-1006 2012 EI Research of High-speed Image and Number s Recognition System Based on FPGA International Journal of Digital Content Technology and
8、its Applications Volume6, Number19, P239-245, October 2012 EI An Offset Reduction Technique for Latch type Sense Amplifier in High Performance and High Density SRAM Advanced Materials Research, v 542-543, p 769-774, 2012 EI A 16Kb SRAM with Programmable Replica Bitlines for Dynamic V oltage Scaling
9、Systems Advanced Materials Research, v 542-543, p 416-422, 2012 EI （二）专著著作名称 出版社名称、出版时间 字 数 （万字）（三）发明专利专利项目名称 专利批准号 本人排名Sub-Threshold Memory Cell Circuit With High Density And High Robustness 日本授权专利100089196 2 Sub-Threshold Memory Cell Circuit With High Density And High Robustness 韩国授权专利1-1-2011-075
10、7870-11 2 Capacity And Density Enhancement Circuit For Sub-Threshold Memory Unit Array 美国授权专利13322114 2 用以增强存储器单元阵列容量和密度的亚阈值敏感放大电路中国授权专利ZL 200910213431.5 1 限漏流的高鲁棒亚阈值存储单元电路 中国授权专利ZL200910213433.4 1 用于亚阈值存储单元阵列的位线漏电流补偿电路中国授权专利ZL200910213432.X 1 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路中国授权专利ZL201010622696.3 1 一种高密度，高鲁棒的亚阈值存储单元电路中国授权专利ZL200910183605.8 2 一种亚阈值存储单元阵列的容量和密度增强电路中国授权专利ZL200910183606.28 2 一种亚阈值锁存器 中国授权专利ZL201010622695.9 2 （四）科研成果奖（奖励类别填写国家级、省部级）成果名称 奖励类别 获奖等级 本人排名四、审核意见学科负责人意见 签字：年 月 日培养单位审核意见负责人签字：（公章）年 月 日研究生院意见 负责人签字： （公章）年 月 日
