[分享]LED辞典(专业术语)

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1、分享LED 辞典(专业术语) SMD LEDsurface-mount device LED。表面粘着型 LED。表面粘着型 LED 的出现是在 1980 年初,是因应更小型封装和工厂自动化而生。初期厂商裹足不前,主要因素是表面粘着 LED 最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡回流的步骤。LED 的比热较 IC 低,温度升高时不仅会造成亮度下降,且超过摄氏 100 度时将加速组件的劣化。LED 封装时使用的树脂会吸收水分,这些水分子急速汽化时,会使原封装树脂产生裂缝,影响产品效益。在 1990 年初,HP 和 Siemens Component Group 合作开发长分子键聚合物,作为表面

2、粘着型 LED 配合取放机器的设计,表面粘着型 LED 到此才算正式登场。LEDLight Emitting Diode。发光二极管。LED 为通电时可发光的电子组件,是半导体材料制成的发光组件,材料使用 III- V 族化学元素(如:磷化镓(GaP) 、砷化镓(GaAs)等),发光原理是将电能转换为光,也就是对化合物半导体施加电流,透过电子与电洞的结合,过剩的能量会以光的形式释出,达成发光的效果,属于冷性发光,寿命长达十万小时以上。LED 最大的特点在于:无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快 (约在 10-9 秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产,具高可靠度,容易配合应用上

3、的需要制成极小或数组式的组件,适用范围颇广,如汽车、通讯产业、计算机、交通号志、显示器等。LED 又可以分成上、中、下游。从上游到下游,产品在外观上差距相当大。上游是由磊芯片形成,这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形,厚度相当薄,就像是一个平面金属一样。LED 发光颜色与亮度由磊晶材料决定,且磊晶占 LED 制造成本 70%左右,对 LED 产业极为重要。上游磊晶制程顺序为:单芯片(III-V 族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。中游厂商就是将这些芯片加以切割,形成为上万个晶粒。依照芯片的大小,可以切割为二万到四万个晶粒。这些晶粒长得像沙滩上的沙子一样,通常用特殊胶带固

4、定之后,再送到下游厂商作封装处理。中游晶粒制程顺序为:磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。而,下游封装顺序为:晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。国内主要的 LED 生产厂商有:鼎元、光磊、国联、亿光等企业。红外线发光二极管红外线 Light Emitting Diode。主要以 GaAs 系列材料发展为主,通常以 LPE 液相磊晶法的方法制作,发光波长从 850940 不等。GaP磷化镓。磷化镓,是-族(三五族)元素化合的化合物。 GaP 是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为 LED 主要使用材料之一

5、。GaN氮化镓。氮化镓,是-族元素化合的化合物。 GaN 使 MOVPE 制作技术,可制作高亮度纯蓝光 LED 及纯绿光 LED,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE 虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作 GaN 蓝光 LED 其中仍须相当的专业知识、经验和技巧AlInGaP磷化铝铟镓。AlInGaP 此材料是近年来用在高亮度 LED 之制造上较新的材料,使用 MOVPE 磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司,即美国 HP、日本 Toshiba、台湾联光电。AlGaAs 砷化铝镓。为 GaAs 和 AlAs 的混晶。AlGaAs 适合于制造高亮度红光及红外线 L

6、ED,主要以 LPE 磊晶法量产,但因需制作 AlGaAs 基板,技术难度高。反向粘着型薄芯片 LEDreverse mounting type 薄芯片 LED。此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上,减少 LED 所占的厚度。主要可用作可携式电话按键之背光源。侧面发光直角 LED此种 LED 芯片是从最上层面发光,但可将发光面旋转一个面焊接。侧面发光直角 LED 有超小型和高亮度两种,超小型是用于 LCD 背光源、呼叫器、行动电话;高亮度型是用作汽、机车第三剎车灯和户外显示器。直角表面粘着型 LED 灯泡SIDELED。直角表面粘着型 LED 灯泡不需额外的光学件或反射器,焊接后光线的行径路线可与

7、各电路板平行,使工程人员在设计时有较大的弹性,因而可在设计的后段再加上此产品,而不需事先考虑。产品可应用在自动安全断电开关、背光源和光导管等,用作电话和数据处理系统的指示灯。可见光 LED可见光 Light Emitting Diode。LED(发光二极管)的种类繁多,依发光波长大致分为可见光与不可见光两类。可见光 LED 产品主要包括传统 LED、高亮度 AlGaInP(磷化铝镓铟)红、黄、橘光 LED 及 InGaN(氮化铟镓)蓝、绿光 LED、以及白光LED。其产品以显示用途为主,又以亮度一烛光(1 cd)作为一般 LED 和高亮度 LED 之分界点。一般 LED广泛应用于各种室内显示用

8、途;高亮度 LED 后者则适合于户外显示,如汽车第三煞车灯、户外信息看板和交通号志等。不可见光 LED 不可见光 Light Emitting Diode。LED(发光二极管)的种类繁多,依发光波长大致分为可见光与不可见光两类。不可见光 LED,波长 850至 1550 奈米,其短波长红外光可作为红外线无线通讯使用,如红外线 LED 应用在影印纸张尺寸检知、家电用品遥控器、工厂自动检测、自动门、自动冲水装置控制等;长波长红外光,则应用在中、短距离光纤通讯上,作为光通讯用光源。GaN LED氮化镓发光二极管。GaN LED 是属于直接能隙之半导体材料, 其能隙为 3.4ev, 而 AlN 为 6

9、.3ev, InN 为 2.0ev,将这几种材料做成混晶时,可以将能隙从 2.0ev 连续改变到 6.3ev,因此可以获得从紫外线、紫光、蓝光、绿光到黄光等范围的颜色。目前最成功的 GaN 组件有高亮度蓝光及绿光 LED,因 GaN 高亮度蓝光、绿光 LED 的开发成功,使得户外全彩 LED 显示器及 LED 交通号志得以实现,各种 LED 的应用也更加广泛。以高亮度蓝光 LED 激发萤光物质(phospher)可以产生白光,其低耗电及高寿命的特性,未来有可能取代一般照明用的白炽灯泡,GaN LED 的市场潜力十分雄厚。OLEDOELD。Organic Electro-Luminescence

10、 Display。有机电激发光。透过电流驱动有机薄膜来发光,其发光可为单独的之红色、蓝色、绿色,甚至是全彩。由于 OLED 所使用的有机化合物材料会自行发光,因此不像 LCD 面板后方须要加上背光源,可以大幅降低耗电、简化制程、使面板厚度变薄。OLED 的特点为具有自发光、广视角、响应速度快、低耗电量、对比强、亮度高、厚度薄、可全彩化,及动画显示等,被认为是极具潜力的平面显示技术。国内目前有铼宝、光磊、东元激光、翰立光电等厂商投入。室内用 LED 显示看板 LED 显示看板不管尺寸大小,都是由单一组件的 LED 加以拼装而成,LED 的单一组件,来自下游封装好的点矩阵式的 LED,或是单位模块

11、 Cluster,再由显示看板的厂商将这些单一组件,依照各种不同的需求,组装成各种大型的看板,加上控制电路,然后到各施工地点安装测试。室内用的 LED 显示看板,因观看的距离近,所以要求的分辨率较高,一般是使用点矩阵式模块,因室内的环境较稳定,所以比较不需要做防水防护装置及散热等措施,施工方面比较容易。户外用 LED 显示看板 LED 显示看板不管尺寸大小,都是由单一组件的 LED 加以拼装而成,LED 的单一组件,来自下游封装好的点矩阵式的 LED,或是单位模块 Cluster,由显示看板的厂商将这些单一组件,依照各种不的需求,组装成各种大型的看板,加上控制电路,然后到各施工地点安装测试。户

12、外 LED 看板,观看距离较远,分辨率要求相对的较低,但对亮度、可见度及耐候性的要求都比较高,所以在户外的施工上比较需要考虑散热和防水等问题。大型 LED 显示屏 大型 LED 显示屏需要组合不同的元组件与技术,一家厂商很难完全自产自足,因此外围产业的分工十分重要。大型 LED 显示屏需要的元组件包括:Driver IC、LED Cluster、Power Supply、Cable 及机械框架等;技术方面的需求包括:防静电设计、电力配电规划、驱动线路设计、驱动软件设计、机械结构设计(散热、视角、支撑、遮阳、防潮等考量)以及亮度、色度的测试技术等。UV LED 紫外线二极管UV LED(紫外线发

13、光二极管)照明不仅可净化空气、节约能源,并可望取代现有的萤光灯与白热灯等照明装置,加上过去仅及 405nm 的波长带最近扩大到 200nm,预期应用范围将大幅扩大到杀菌、废水处理、除臭、医疗、皮肤病治疗、辨识伪钞与环境 Sensor 等领域。光通量 (Luminous flux,)单位为:流明 (lumen, lm)由一光源所发射并被人眼感知之所有辐射能称之为光通量。 光强度 (luminous intensity, I )光源在某一方向立体角内之光通量大小。单位:坎德拉 (candela, cd) 照度 (Illuminance, E)单位:勒克斯 (Lux, lx)照度是光通量与被照面之比

14、值。 1 lux 之照度为 1 lumen 之光通量均匀分布在面积为一平方米之区域。 辉度 (Luminance, L)单位:坎德拉每平方米 (cd/)一光源或一被照面之辉度指其单位表面在某一方向上的光强度密度,也可说是人眼所感知此光源或被照面之明亮程度。发光二极管(Light Emitting Diode,简称 LED)?是一种藉外加电压激发电子而放射出光(电能光) 的光电半导体组件。发光现象属半导体中的直接发光 (没有第三质点的介入)。整个发光现象可分为三个过程 (直接发光): 价电带的电子受外来的能量(顺向偏压 ),被激发至导电带,并 同时于价电带遗留一个电洞,形成电子 -电洞对。 受激

15、发的电子于导电带中,与其它质点碰撞(散射) ,损失部份能量,而接近导电带边缘。 一旦导电带边缘的电子于价电带觅得电洞时,电子即从导电带边缘,经由陷阱中心(释放热能) 或发光中心(释放光能),回到价电带与电洞复合,电子 -电洞对消 失。 因为 LED 主要是电子经由发光中心与电洞复合而发光,所以是一种微细的固态光源,不但体积小、寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳,而且能够配合轻、薄和小型化之应用设备的需求,成为日常生活中十分普遍的产品。 利用各种化合物半导体材料及组件结构之变化,设计出不同的 LED。依其发光波长分为可见光、不可见光(红外光、紫外光)。 可见光:有红、橙、黄、绿、蓝、紫等

16、各种颜色,主要以显示用 途为主。又以亮度 1 烛光 (cd) 作为一般亮度和高亮度之分界点。一般亮度 LED 广泛应用于各种室内显示用途;高亮度 LED 则适合于户外显示,如:汽车第三煞车灯、户外信息看板和交通号志 等。 不可见光:短波长红外光可作为红外线无线通讯使用;长波长红外光则使用在中、短距离光纤通讯上,作为光通讯用光源。 使用的材料基本上已大致决定 LED 所释出的波长,其中,适合制作 1000mcd 以上之高亮度 LED 的材料,由长波长而短波长,分别为 AlGaAs(砷化铝镓)、AlGaInP(磷化铝铟镓)及 GaInN(氮化铟镓)等。 AlGaAs(砷化铝镓)适合于制造高亮度红光及红外线 LED,主要以液相磊晶 (LPE)法进行量产,使用双异质接面构造(DH) 为主,但因为须制作 AlGaAs 基板,技术的困难度很高,故投资开发的厂商较 少。 AlGaInP(磷化铝铟镓)适合于高亮度红、橘、黄及黄绿光 LED,主要以金属有机气相磊晶(MOVPE)法

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