《芯片测试的几个术语及解释[借鉴]》由会员分享，可在线阅读，更多相关《芯片测试的几个术语及解释[借鉴]（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、CP、FT、WAT CP 是把坏的 Die 挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道 Wafer 的良率。 FT 是把坏的 chip 挑出来；检验封装的良率。 现在对于一般的 wafer 工艺，很多公司多把 CP 给省了；减少成本。 CP 对整片 Wafer 的每个 Die 来测试 而 FT 则对封装好的 Chip 来测试。 CP Pass 才会去封装。然后 FT，确保封装后也 Pass。 WAT 是 Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控 各步工艺是否正常和稳定； CP 是 wafer level 的 chip pr
2、obing，是整个 wafer 工艺，包括 backgrinding 和 backmetal（if need） ，对一些基本器件参数的测试，如 vt（阈值电压） ，Rdson（导通电阻） ，BVdss（源漏 击穿电压） ，Igss（栅源漏电流） ，Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会 很高； FT 是 packaged chip level 的 Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC 或 Device 芯片应用 方面的测试，有些甚至是待机测试； Pass FP 还不够，还需要做 process qual 和 product qual CP 测试对 Me
3、mory 来说还有一个非常重要的作用，那就是通过 MRA 计算出 chip level 的 Repair address，通过 Laser Repair 将 CP 测试中的 Repairable die 修补回来，这样保证了 yield 和 reliability 两方面的提升。 CP 是对 wafer 进行测试，检查 fab 厂制造的工艺水平 FT 是对 package 进行测试，检查封装厂制造的工艺水平 对于测试项来说，有些测试项在 CP 时会进行测试，在 FT 时就不用再次进行测试了，节省 了 FT 测试时间；但是有些测试项必须在 FT 时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要 求） 一
4、般来说，CP 测试的项目比较多，比较全；FT 测的项目比较少，但都是关键项目，条件严 格。但也有很多公司只做 FT 不做 CP（如果 FT 和封装 yield 高的话，CP 就失去意义了） 。 在测试方面，CP 比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT 相对来说简单一点。 还有一点，memory 测试的 CP 会更难，因为要做 redundancy analysis，写程序很麻烦。 CP 在整个制程中算是半成品测试，目的有 2 个，1 个是监控前道工艺良率，另一个是降低 后道成本（避免封装过多的坏芯片） ，其能够测试的项比 FT 要少些。最简单的一个例子， 碰到大电流测试项 CP 肯定
5、是不测的（探针容许的电流有限） ，这项只能在封装后的 FT 测。 不过许多项 CP 测试后 FT 的时候就可以免掉不测了（可以提高效率） ，所以有时会觉得 FT 的测试项比 CP 少很多。 应该说 WAT 的测试项和 CP/FT 是不同的。CP 不是制造（FAB）测的！ 而 CP 的项目是从属于 FT 的（也就是说 CP 测的只会比 FT 少） ，项目完全一样的；不同的是 卡的 SPEC 而已；因为封装都会导致参数漂移，所以 CP 测试 SPEC 收的要比 FT 更紧以确保 最终成品 FT 良率。还有相当多的 DH 把 wafer 做成几个系列通用的 die，在 CP 是通过 trimming
6、 来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案； 所以除非你公司的 wafer 封装成 device 是唯一的，且 WAT 良率在 99%左右，才会盲封的。 据我所知盲封的 DH 很少很少，风险实在太大，不容易受控。 WAT：wafer level 的管芯或结构测试 CP：wafer level 的电路测试含功能 FT：device level 的电路测试含功能 CP=chip probing FT=Final Test CP 一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要 FT 的。不过 bump wafer 是在装上锡球， probing 后就没有 FT FT 是在封装之
7、后，也叫“终测” 。意思是说测试完这道就直接卖去做 application。 CP 用 prober，probe card。FT 是 handler，socket CP 比较常见的是 room temperature=25 度，FT 可能一般就是 75 或 90 度 CP 没有 QA buy-off（质量认证、验收） ，FT 有 CP 两方面 1.监控工艺，所以呢，觉得 probe 实际属于 FAB 范畴 2.控制成本。Financial fate。我们知道 FT 封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分， 所以把次品在 probe 中 reject 掉或者修复，最有利于控制成本 FT: 终测
8、通常是测试项最多的测试了，有些客户还要求 3 温测试，成本也最大。 至于测试项呢， 1.如果测试时间很长，CP 和 FT 又都可以测，像 trim 项，加在 probe 能显著降低时间成 本，当然也要看客户要求。 2.关于大电流测试呢，FT 多些，但是我在 probe 也测过十几安培的功率 mosfet，一个 PAD 上十多个 needle。 3.有些 PAD 会封装到 device 内部，在 FT 是看不到的，所以有些测试项只能在 CP 直接测， 像功率管的 GATE 端漏电流测试 Igss CP 测试主要是挑坏 die，修补 die，然后保证 die 在基本的 spec 内，function well。 FT 测试主要是 package 完成后，保证 die 在严格的 spec 内能够 function。 CP 的难点在于，如何在最短的时间内挑出坏 die，修补 die。 FT 的难点在于，如何在最短的时间内，保证出厂的 Unit 能够完成全部的 Function。
