《【部编】材料分析方法复习总结(20201115002641)》由会员分享，可在线阅读，更多相关《【部编】材料分析方法复习总结(20201115002641)（10页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1. 已知某原子的光谱项， 能够用能级示意图表示出其光谱支项与 塞曼能级。 原子能级由符号n M LJ 表示，其中n 表示主量子数，即原子层数。M是 J 可能存在的个数， 一般为 2S+1 或 2L+1； L 一般用大写字母S、 P 、D、F、G等表示，分别表示L 的值是 0， 1， 2，3，4； 例如：某原子的一个光谱项为23PJ，即有 n=2， L=1，设 S=1， （故 M=2S+1=3） ，则 J=2，1，0。 当J2时，MJ=0，1，2；J=1时，MJ=0，1；J=0时，MJ 0。23PJ光谱项及其分裂所示。 2. 掌握满带、禁带、价带、导带以及费米能的概念。 满带：能带中的所有能级
2、（能态）都被电子填满； 禁带：原子不同能级分裂的能带之间存在间隙； 价带：与原子基态价电子能级相应的能带称为价带； 导带：与原子激发态能级相应的能带成为导带。 费米能：绝对零度时固体中电子占据的最高能级称为费米能级，其能量称为费米能EF 3能够在给定晶体结构（如简单立方晶胞、面心立方晶胞），在 其中画出 (001), (002), (003) 等晶面，根据干涉指数的定义，回答 由干涉指数表示的晶面上是否一定有原子的分布，为什么？ 画晶面（注意：晶面指数是截距的倒数。） 干涉指数定义为可带有公约数n 的晶面指数 n(hkl), 即为广义的晶面指数。 干涉指数表示的晶面并不一定是晶体中的真实原子面
3、，也就是说干涉指数表示的晶面并不一 定有原子分布。 因为若将干涉指数按比例约分后，最后干涉指数还是还原为晶面指数，所以 只用晶面空间方位来标识晶面。 4. 掌握由倒易矢量性质， 倒易点阵与正点阵关系推导出立方晶系 晶面间距公式的推导过程。 根据(r *HKL)=1/d2HKL，按照矢量点积的公式，可确定 1/d 2HKL=（Ha*+Kb*+Lc* ）(Ha*+Kb*+Lc*) =H 2(a*)2+K2(b*)2+L2(c*)2+2HK(a* ? b*)+2HL(a* ? c*)+2KL(b* ? c*) 又有，(a*) 2=(b*)2=(c*)2=1/a2 ,cos *= cos *= cos
4、 *=0 1/d 2HKL= H 2 +K 2 +L 2 a2 dHKL= a H2+K 2+L2 5. 掌握晶带定理及晶带轴计算方法。 晶体中，与某一晶向 u 平行的所有（HKL ）晶面属于同一晶带，成为u 晶带；其 中u、为晶带轴指数。 晶带定理：Hu+K + L= 0 根据晶带定理，已知某一晶带中任意两个晶面（H1K1L1） 、 （H2K2L2） 得出： u： ：= ( K1L2 K2L1): (L2H2-L2H1): (H1K2-H2K1) 6、掌握辐射的吸收和吸收光谱、辐射的发射和发射光谱概 念，以及特征谱的范围。 辐射的吸收： 辐射通过物质时， 某些频率的辐射被组成物质的粒子选择性
5、的吸收从而使辐射 强度变弱的现象。 吸收光谱：辐射被吸收程度对或 的分布。 辐射的发射： 物质吸收能量后， 产生电磁辐射的现象。辐射的发射， 前提是使物质吸收能量。 发射光谱：发射辐射的强度对或 的分布。 特征谱包括：吸收光谱、发射光谱、拉曼散射光谱和光电子能谱等。 7、 退激发的概念及两种相互竞争的方式（发射特征X 射线 和发射俄歇电子）基本过程，掌握俄歇电子的标识。 退激发： X射线激发固体中原子内层电子使原子电离，原子在发射光电子的同时内层出现空 位，此时原子处于激发态，将发生较外层电子向空位跃迁以降低原子能量的过程，此过程称 为退激发过程。 发射 X射线过程： 原子的退激发以发射X射线
6、的方式进行。原子内层出现空位，较外层电子 向内层辐射跃迁， 发射的辐射就是X射线，其光子频率决定于电子跃迁前和跃迁后的能级差。 发射俄歇电子过程：原子的退激发不是以发射X射线的方式进行， 而是以发射俄歇电子的方 式进行。 8、了解 X 射线的产生过程，连续X 射线谱及特征X 射线 谱的影响因素。 X射线产生过程： 由阴极发射并在管电压（V）作用下向靶材高速运动的电子流为激发源， 向靶材发射辐射。根据射线谱特征分为连续X射线和特征X射线。 连续 X射线：高速运动的电子与靶材相撞得到很大的负加速速度，缠身剧烈变化的电磁场。 极大数量的电子与靶材随机相撞，碰撞过程、 条件和能量千变万化，产生波长不同
7、而且连续 的辐射，即连续X射线。 改变管电压V， 管电流 i 均可影响连续谱。 V增加，0 减小且 I( ) 曲线上移； i 增加，I( ) 上移，但 0 不变；靶材原子序数（Z）增加，也使I( ) 上移，且 0 不变。 特征 X射线： 管电压达到激发电压，使碰撞靶材的电子具有足够的能量，可是靶材原子内层 产生空位，此时较外层电子将向内层跃迁产生辐射，即发射特征X射线。 特征谱线波长只有靶材序数有关，与V（V激发电压）无关。 1 = c( - ) (其中， c、是常数 ) 9. 对比辐射的吸收与X 射线衰减导致的吸收之间的区别。 入射 X射线通过物质，沿着透射方向强度明显下降的现象称为X射线的
8、衰减。该现象是由X 射线和物质发生相互作用，其能量转换或损失的结果。 辐射的吸收是辐射使物质粒子发生从低能级到高能级的能级跃迁，被选择性吸收的辐射光子 能量应为跃迁后与跃迁前两个能级间的能量差。 10、 掌握电子束与材料相互作用后产生的各种特征信号，及对 应的材料分析测试方法。 信号方法或仪器 电子 二次电子SEM 扫描电子显微镜 弹性散射电子LEED 低能电子衍射 RHEED 反射式高能电子衍射 TEM 透射电子衍射 非弹性散射电子EELS 电子能量损失谱 俄歇电子AES 俄歇电子能谱 光子 特征 X射线WDS 波谱 EDS 能谱 X射线的吸收XRF X射线荧光 CL 阴极荧光 元素离子、原
9、子ESD 电子受激解吸 11、 掌握离子溅射的概念，了解如何实现材料纵深成分、形貌 剖析过程。 溅射：能量为E0的入射离子轰击固体时，直接或间接地迫使固体表面许多原子运动，当表 面原子获得足够的动量和能量背离表面运动时，就会引起表面粒子的发射。 离子溅射可用于去除样品表面微观尺度的材料，通过严格控制溅射过程可以一层层的剥蚀样 品。不同形态的溅射粒子间的比率与入射离子的性质和溅射条件有关，也与固体样品本身的 性质和表面状态有关。 用离子溅射配合其他表面分析的方法可以实现材料的纵深成分和形貌 的剖析。 12、电子束照射固体材料时，能够产生的相互作用。 （1）入射电子的散射； （ 2）入射电子对固体
10、的激发； （ 3）受激发粒子在固体中的传播。 13、了解材料现代分析方法的分析检测基本步骤及对应的装置。 分析检测过程：信号发生信号检测信号处理信号读出； 对应的分析仪器有信号发生器、检测器、处理器和读出装置等几个部分组成。 14、掌握材料分析的目的， 如何利用那些信号来实现这些目的。 目的：研究材料的成分、结构、微观形貌与缺陷等，研究材料科学理论基础。 利用电磁辐射及运动的粒子束与物质相互作用，材料特殊的物理性质或电化学性质这些都可 以达到材料分析的目的。 15、 什么是电子显微分析？简述TEM、SEM 和 AES 分析方法 各自的特点及用途。 电子显微分析就是基于电子束与材料的相互作用而建
11、立的材料现代分析方法。 方法或 仪器缩 写 分析原理检测信息样品基本应用 TEM （透射 电镜） 透射和衍射透射电子和衍 射电子 薄膜 和复 型膜 1、 形貌分析； 2、 晶体结构分析； 3、 成分分析（配附件） SEM （扫描 电镜） 电子激发二次电子 ；电子吸收和背散 射电子 二次电子、背 散射电子和吸 收电子 固体 1、 形貌分析； 2、 成分分析； 3、 断裂过程动态研究 4、 结构分析 AES ( 俄歇 电子能 谱) 电子激发俄歇效应俄歇电子固体成分分析（几个原子层内）；点 分析、线分析、面分析，可作深 度剖析 16、 对比名词、术语： 元素定性分析和物相定性分析；元素定量分析和物相
12、定量分析； 晶体结构分析与物相定性分析；微区结构分析与微区形貌观察。 元素定性分析：确定样品中含有何种元素或有哪些元素组成； 元素定量分析：确定样品中各元素的含量； 物相定性分析：确定材料是由哪些相组成； 物相定量分析：确定各个组成相的含量，比如体积分数或质量分数； 晶体结构分析：确定晶态物质内部在原子尺度下的微观结构 微区结构分析：微小区域内的微观结构 微区形貌观察：微小区域内的形貌表征 17、对于给定的分析任务，能够给出合理的一种或者几种分析方 法。 钢液中 Mn 、S、P等元素的测定AES 、XFS 、AAS 、AFS 区别 FeO 、Fe2O3和 Fe3O4XRD 、AES 、XFS
13、、AAS 、AFS 测定 Ag的点阵常数XRD 测定高纯 Y2O3中稀土杂质元素质量分数AES 、 砂金中的含金量AES 、XFS 、AAS 、AFS 黄金制品中含金量的无损测定XFS 几种高聚物组成之混合物的定性分析 和定量分析 IR、UV 、VIS 推断分子式是 C8H10O的化合物之结构UV 、VIS、IR、NMR 、拉曼光谱 某薄膜中极小弥散颗粒的物相测定AES 、XPS 、TEM 验证奥氏体转变为奥氏体的取向关系XRD 淬火钢中残余奥氏体质量分数的测定XRD 镍-鉻合金钢回火脆断口晶界上微量元 素锑的分布研究 SEM 、 淬火钢中孪晶马氏体与位错马氏体的 形貌观察 SEAM 、XRD
14、 固体表面元素定性分析和定量分析SEM 、TEM 、EPMA 某聚合物的价带结构分析UPS 、XPS 某半导体的表面能带结构测定UPS 、XPS 18、 X 射线衍射如何产生及其本质，衍射波的两个基本特征， 能够写出晶面指数表示的布拉格方程表达式，干涉指数表述的布 拉格方程。 X射线照射晶体，电子受迫振动产生相干散射；同一原子内各电子散射波相互干涉形成原子 散射波。 由于晶体内各原子呈周期性有序排列，因此各原子散射波之间也存在固定的位相关 系而出现干涉作用，在某些方向发生衍射。 X射线衍射的本质就是晶体内各原子相干散射波叠加的结果。 衍射波的两个基本特征：衍射方向和强度。 布拉格方程：晶面指数
15、：2 dhkl n sin = 干涉指数：2dHKLsin = 19、 衍射产生的必要条件及其表述方式？ (1) 、布拉格方程：2 dhkl n sin = ； (2) 、衍射矢量方程：S - S 0=R * HKL，(|R*HKL|= dHKL?); (3) 、厄瓦尔德图解：以矢量S0起点（ O）为圆心， |S0| 为半径做球，则三角形的另一个腰即 矢量 S也在球面上，故可能发生反射的晶面的倒易点也一定落在球上。 (4) 、劳埃方程：一维? ?(? - ? ? ) = H 20、掌握简单、体心、面心晶胞的结构因子的计算方法。 结构因子FHKL= f j n j=1 ? 2 i(Hxj+Ky
16、j+Lzj) ,其中 x,y,z分别是原子的坐标。 又有 ? ni = (-1) n 例：面心立方晶胞的F 与|F| 2 值 面心立方晶胞中有四个原子，坐标分别是（0，0，0） ， （1/2 ，1/2 ， 0） ， （ 1/2 ，0，1/2 ）, （0，1/2 ，1/2 ） 。 F=f(? 0 + ? (H+K )i + ? (H+L )i + ?(K+L )i ) = f(1 + (-1 ) H+K + (-1 ) K+L + (-1 ) H+L ) 因此，当H、K、 L 全为奇数或者偶数使，F=4f; 当 H、K、L 为奇偶混合时，F=0 21、了解系统消光概念及衍射的充分必要条件。 因|F| 2=0 使得衍射线消失的现象称为系统消光。 由此可知：衍射产生的充要条件是衍射必要条件+|F|2 0 22、了解各类材料多晶体样品X 射线衍射样品（粉末、脆性固 体、韧性固体）的制备方法。 粉末：粉末样品经过粉碎、研磨、过筛（250325 目）等过程，最后粘接成细圆柱状（直径 0.20.8左右），长度 1015 . 韧性材
