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1、合工大电力电子技术4章d3.0“概侯门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor一GTO)在晶闸管问世后不久出现20世纪80年代以来,信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合一一高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件,从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代“典型代表一一门极可关断晶闸管、电力晶体管(GiantTransistor一GTR场效应晶体管(PowerMOSFET)晶体管(Insulated-gateBipolarTrans或IGT3.1“门极可关断晶闷管3.1.1_概述3.1.2GT0的结构之3.1.1“概俭习门极可关断晶闸管(Gate-Tur
2、n-Off“_Thyristor一GT0)*晶闸管的一种派生器件“可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断*GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用3.1.2_GTO的结柄和工作原理一结构:与普通晶闸管的相同点:PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极一和普通晶闸管的不同:GTO是一种多元的功率集成器件,内部包吾数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起D1.15)导通时饱和不深,接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大(3)多元集R缩,使得P3.1.2“_GTO的结构和工作原理乙导通过程:与普通昶闸管一样,只是导通时饱和程度较浅乙羔断过程:强烈正反馈一一门极加负脉冲即从门极抽出电流,则I减小,使/和兄减小,/的减小叉使1和允减小,又进一步减小V,的基极电流-当和f的减小俊ayaoz1时,器件退出饱和而关断、多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快,承受didti8力强33.1.3“_GTO的动态特性井开通过程:与普通晶闸管类似,需经过延迟时间t和上升时间t
