《多晶硅生产工艺流程新修订》由会员分享,可在线阅读,更多相关《多晶硅生产工艺流程新修订(3页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、多晶硅生产工艺流程多晶硅生产工艺流程(简介简介) -来自于网络收集 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括,三氯氢硅合成、 四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏,还原,尾气回收,还 有一些小的主项,制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理 等等。 主要反应包括:Si+HCl-SiHCl3+H2(三氯氢硅合成);SiCl4+H2- SiHCl3+HCl(热氢化);SiHCl3+H2-SiCl4+HCl+Si(还原)多晶硅 是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来, 由于各多晶硅生产工厂所用主 辅原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技 术经济指标、产品质量指标、用途、产品检
2、测方法、过程安全等方面 也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶 硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良 西门子法是目前主流的生产方法, 采用此方法生产的多晶硅约占多晶 硅全球总产量的 85。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、 德、日等 7 家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产 量的 90%,它们形成的企业联盟实行技术封锁,严禁技术转让。短 期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下: 这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利 用技术,对环境不产生污染,具有明显的竞争优势。改良西门子工艺 法生产多
3、晶硅所用设备主要有:氯化氢合成炉,三氯氢硅沸腾床加压 合成炉,三氯氢硅水解凝胶处理系统,三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系 统,硅芯炉,节电还原炉,磷检炉,硅棒切断机,腐蚀、清洗、干燥、 包装系统装置,还原尾气干法回收装置;其他包括分析、检测仪器, 控制仪表,热能转换站,压缩空气站,循环水站,变配电站,净化厂 房等。 (1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到 98%并生成工业硅, 其化学反应 SiO2+CSi+CO2 (2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。把工业硅粉碎 并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解 的三氯氢硅(SiHCl3)。 其化学反应 Si+HClSiHCl3+H
4、2 反应温度为 300 度,该反应是放热的。同时形成气态混合物 (2,1,Si13,SiC14,Si)。 (3) 第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯, 需要分解: 过滤硅粉,冷凝 Si13,SiC14,而气态 2,1 返回到反应中或排 放到大气中。然后分解冷凝物 Si13,SiC14,净化三氯氢硅(多级 精馏)。 (4) 净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺, 以高纯的SiHCl3在H2 气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应 SiHCl3+H2Si+HCl。 多晶硅的反应容器为密封的, 用电加热硅池硅棒 (直径 5-10 毫米, 长度 1.5-2 米,数量 80 根),在 1050-1100 度在棒上生长多晶硅, 直径可达到 150-200 毫米。 这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应,并生成多晶硅。剩余部 分同 2,1,Si13,SiC14 从反应容器中分离。这些混合物进行低 温分离,或再利用,或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂 的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该 3 工艺的竞 争力