传感器原理与应用技术ppt课件

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1、第七章 半导体 磁敏传感器,简 介,磁敏式传感器都是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成。 按其结构可分为体型和结型两大类。 体型的有霍尔传感器，其主要材料InSb(锑化铟)、InAs（砷化铟）、Ge（锗）、Si、GaAs等和磁敏电阻InSb、InAs。 结型的有磁敏二极管Ge、Si，磁敏三极管Si,应用范围可分为模拟用途和数字用途。,7.1 霍尔传感器,7.1.1 霍尔效应,7.1 霍尔传感器,7.1.1 霍尔效应,图7-1 霍尔效应,7.1 霍尔传感器,7.1.1 霍尔效应,所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (7-3),设霍尔元件为N

2、型半导体，当它通电流I时 FL = qvB (7-1),当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有 qEH=qvB,故霍尔电场的强度为 EH=vB （7-2）,流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (7-4),所以： UH = BI / nqd,若取 RH = 1 / nq 则,RH被定义为霍尔元件的霍尔系数。显然，霍尔系数由半导体材料的性质决定，它反映材料霍尔效应的强弱。,设,KH即为霍尔元件的灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小. 单位是mV/（mAT）,材料中电子在电场作用下运动速度的大小

3、常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即,所以,而,比较得,或,结论： 如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得, 霍尔电压UH与材料的性质有关。, 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。,另外通常还要对其形状效应修正 UH=RH BIf(L/b)/d, 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。,7.1.2 霍尔元件的构造及测量电路,基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d 越小)，kH 就越大。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。,1 构 造,霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm2mm0.1

4、mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。,2 测量电路,（a）基本测量电路,（b）直流供电输出方式（c）交流供电输出方式,7.1.3 霍尔元件的技术参数,1.额定功耗P0 在环境温度25时，允许通过霍尔元件的电流和电压的乘积。,2.输入电阻Ri和输出电阻RO Ri是指控制电流极之间的电阻值。 R0指霍尔元件电极间的电阻。 Ri 、R0可以在无磁场时用欧姆表等测量。,4.霍尔温度系数 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1时，霍尔电势变化的百分

5、率。,即：,3.不平衡电势U0 在额定控制电流I下，不加磁场时霍尔电极 间的空载霍尔电势。,5.内阻温度系数 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。,即：,6.灵敏度,或：,减小d; 选好的半导体材料,霍尔元件的主要技术参数,7.1.4 霍尔元件的测量误差和补偿,1. 零位误差及补偿方法,图7-4 不等位电势,图7-5 霍尔元件的等效电路,几种常用补偿方法,B,B,B,2. 温度误差及补偿,(1)利用输入回路串联电阻进行补偿,（a）基本电路 （b）等效电路,E,I,UH,R,UHt,Rt(t),R,I,UH,E,Ri(t),元件霍尔系数和输入内阻与温

6、度之间的关系式为：,则霍尔电压随温度变化的关系式为：,由图7-7可知：,对上式求温度的导数，可得增量表达式：,即 ：,由上式可看出，要使温度变化时霍尔电压不变，必须使,当元件的、及内阻Ri0确定后，温度补偿电阻R便可求出。在实际应用中，当霍尔元件选定后，其、值可以从元件参数表中查出，而元件内阻Ri0则可由测量得到。,（2）利用输出回路的负载进行补偿,（a）基本电路 （b）等效电路,霍尔元件的输入采用恒流源，使控制电流稳定不变。即，可以不考虑输入回路的温度影响,在温度影响下，元件输出电阻和电势变为：,此时，RL上的电压为,负载电阻RL上电压随温度变化最小的极值条件为,根据,当负载电阻比霍尔元件输

7、出电阻大得多时，输出电阻变化对霍尔电压输出的影响很小。在这种情况下，只考虑在输入端进行补偿即可。 若采用恒流源，输入电阻随温度变化而引起的控制电流的变化极小，从而减少了输入端的温度影响。,（3）利用恒流源进行补偿,对于温度系数大的半导体材料常使用。 霍尔输出随温度升高而下降，只要能使控制电流随温度升高而上升，就能进行补偿。例如在输入回路串入热敏电阻，当温度上升时其阻值下降，从而 使控制电流上升。,（4）利用热敏电阻进行补偿,（a）输入回路补偿,（b）输出回路补偿,或在输出回路进行补偿。负载RL上的霍尔电势随温度上升而下降的量被热敏电阻 阻值减小所补偿。 实际使用时，热敏电阻最好与霍尔元件封在一

8、起或靠近，使 它们温度变化一致。,（5） 利用补偿电桥进行补偿,调节电位器W1可以消除不等位电势。 电桥由温度系数低的电阻构成，在某一桥臂电阻上并联一热敏电阻。温度变化时，热敏电阻将随温度变化而变化，电桥 的输出电压相应变化， 仔细调节，即可补偿霍 尔电势的变化，使其输 出电压与温度基本无关。,常用霍尔传感器GaAs（砷化镓）和lnSb（锑化铟）介绍:,1.GaAs霍尔传感器的品质 霍尔电压的温度稳定性好 最大的优点是其在恒流工作时温度稳定性好，温度变化10，输出电压变化不超过 -0 .6。 输出线性好 最大误差只有2%(1K与5K高斯霍尔电压的比)。完全可以满足一般的用途。,灵敏度低 与In

9、Sb霍尔传感器相比灵敏度低。大多数InSb霍尔传感器的输出电压较高，但这类传感器在500高斯左右开始达到饱和。 GaAs霍尔传感器的不平衡电压随温度变化较大。 在弱磁场中(10高斯以下)不如InSb霍尔传感器。,2.InSb霍尔传感器的品质 InSb霍尔传感器与GaAs的特性几乎相反。 不平衡电压稳定性好 InSb霍尔传感器在恒压工作时不平衡电压的稳定性很好，噪音也小，在弱磁场中工作可很好地进行S/N的测量。 霍尔电压的温度稳定性不好 在恒流工作时其温度系数为-2%/(最大)，是GaAs的3040倍。,为了改善InSb霍尔传感器的温度特性，采用恒压工作，可以将温度系数降低近10倍。 InSb霍

10、尔传感器的频率特性也不太好(大约在数千赫至数十千赫)。 在理论上GaAs霍尔传感器的频带在兆赫以上，而实际上是达不到的，但无论如何也会有InSb霍尔传感器数十倍以上的带宽。,7.2 集成霍尔传感器,集成霍尔传感器是利用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的霍尔传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限，实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器由于减少了焊点，因此显著地提高了可靠性。此外，它具有体积小、重量轻、功耗低等优点。,7.2.1 开关型集成霍尔传感器,开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。,霍尔开关电路又称霍尔数字电路，由稳压器、

11、霍尔片、差分放大器，施密特触发器和输出级五部分组成。,7.2.2 线性集成霍尔传感器,线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其输出电压与外加磁场成线性比例关系。,一般由霍尔元件、差分放大、射极跟随输出及稳压四部分组成，,霍尔线性集成传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。,7.3.1 磁阻效应 当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象。,当温度恒定时，在磁场中，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。,如果器件只有在电子参与导电的情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为：,7.3 磁敏电阻器,电阻率的相对变化,可以看出 ，在磁感应强度一定时，迁移率

12、越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半导体材料）磁阻效应越明显。,从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。,7.3.2 磁敏电阻的结构,磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。,在恒定磁感应强度下，磁敏电阻的长度与宽度的比越小，电阻率的相对变化越大。,长方形磁阻器件只有在lb的长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），以短路霍尔电势.,图7-13 长方形磁阻器件,图7-14 圆盘形磁阻器件,(a) (b),圆盘形的磁阻最大。故大多做成圆盘结构。,7.3.3 磁阻元件的主要特性,1. 灵敏度特性 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，

13、且受温度的影响较大。磁阻元件的灵敏度特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场 电阻变化率特性曲线的斜率。 在运算时常用RB/R0求得， R0表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，RB为施加0.3T磁感应强度时磁阻元件的电阻值。,图7-15 灵敏度特性,2. 电阻 温度特性,半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。,磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（I区），另一面打毛，设置成高复合区（r区），因为电子空穴对易于在粗糙表面复合而消失。,7.

14、4.1 磁敏二极管的工作原理和主要特性,7.4 磁敏二极管和磁敏三极管,1. 磁敏二极管的结构,图7-17 磁敏二极管结构示意图,（a）结构 （b）符号,2. 磁敏二极管的工作原理,2. 磁敏二极管的工作原理,当磁敏二极管末受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。,当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合速度而减小。,当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向I区

15、偏移，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，电流变大。,利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，于是就实现磁电转换。,（a） （b） （c）,图7-18 磁敏二极管工作原理示意图,（三）磁敏二极管的主要特性,1.磁电特性：在给定的条件下，磁敏二极 管输出的电压变化与外加磁场的关系。,（a）单只使用 （b）互补使用,2.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其电流的关系 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同 例:锗磁敏二极管的伏安特性。,硅磁敏二极管的伏安特性,(a),(b),3.温度特性：在标准测试条件下，输出电 压变化量随温度的变化。 一般比较大。实际使用必须进行温度补偿。 硅管的使用温度是-40C85C，锗管是 -4065C。,图7-23 温度补偿电路,常用的补偿电路:,