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1、实验报告螺线管磁场的测量霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场
2、下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。本实验采取电放大法，应用霍尔效应对螺线管磁场进行测量。关键词：霍尔效应；霍尔元件；电磁场；磁场 一、实验目的1.了解螺线管磁场产生原理。2.学习霍尔元件用于测量磁场的基本知识。3.学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量霍尔片的UH-IS（霍尔电压与工作电流关系）曲线和UH-IM，B-IM（螺线管磁场分布
3、）曲线。二、实验原理霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。如图所示，磁场B位于Z轴的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X轴正向通以电流IS（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流IS相反的X轴负向运动。由于洛伦兹力fL作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于Y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fE的作用。则电子积
4、累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电势UH。设电子按均一速度v，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛伦兹力为 fL=-evB式中，e为电子电量，v为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。图6-7-1 霍尔效应原理同时，电场作用于电子的力为fE=-eEH=-eUH/l式中，EH为霍尔电场强度，UH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度。 当达到动态平衡时 fL=-fE vB=UHl （6-7-1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的工作电流为 IS=nevld （6-7-2） 由式（6-7-1）和式（6-7-2）可得 UH=E
5、Hl=1neISBd=RHISBd (6-7-3)即霍尔电压UH（A、B间电压）与IS、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数RH=1ne 称为霍尔系数（严格来说，对于半导体材料，在弱磁场下应引入一个修正因子RH=381ne，从而有A=38 ），它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导率=ne的关系，还可以得到 RH=/=p 或 =|RH| （6-7-4）式中，为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。当霍尔元件的材料和厚度确定时，设 KH=RH/d=l/ned （6-7-5）将式（6-7-5）代
6、入式（6-7-3）中得 UH=KHISB （6-7-6）式中，KH称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是mV/（mAT），一般要求KH越大越好。由于金属的电子浓度n很高，所以它的RH或KH都不大，因此不适宜作霍尔元件。此外元件厚度d越薄，KH越高，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d越薄越好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件来说是不希望的。本实验采用的双线圈霍尔片的厚度d为0.2mm，宽度l为2.5mm，长度L为3.5mm。螺线管霍尔片的厚度d为0.2mm，宽度l为1.5mm，长度L为1.5mm。 应当注
7、意：如图所示，当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时，作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量Bcos，此时 UH=KHISBcos 所以一般在使用时应调整元件两平面方位，使UH达到最大，即=0，这时有 UH=KHISB （6-7-7） 由式（6-7-7）可知，当工作电流IS或磁感应强度B，两者之一改变方向时，霍尔电势UH方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电势UH极性不变。 霍尔元件测量磁场的基本电路，如图所示，将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流IS，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势UH的值。 图6-7-2 霍尔
8、元件接线图图6-7-3 测量磁场的基本电路图三、实验仪器DH4512系列霍尔效应实验仪。四、实验内容1.按仪器面板上的文字和符号提示将DH4512型霍尔效应测试仪与DH4512型霍尔效应实验架正确连接，如图所示。（1）将DH4512型霍尔效应测试仪面板右下方的励磁电流IM的直流恒流源输出端（00.5A），接DH4512型霍尔效应实验架上的IM磁场励磁电流的输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。（2）“测试仪”左下方供给霍尔元件工作电流IS的直流恒流源（03mA）输出端，接“实验架”上IS霍尔片工作电流输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连
9、）。（3）“测试仪”UH霍尔电压输入端，接“实验架”中部的UH霍尔电压输出端。2.测量通电螺线管中磁感应强度B的分布。（1）先将IM、IS调零，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV。（2）将霍尔元件置于中心，调节IM=500mA，调节IS=3.00mA，测量相应的UH。（3）将霍尔元件从螺线管中心向边缘移动，每隔5mm选一个点测出相应的UH，填入表6-7-1中。为消除各种副效应引起的误差，每个位置的电压U都按表6-7-1中步骤测量四次。图6-7-4 霍尔元件测量磁场装置线路图五、数据处理与分析UH-X数据记录表如表6-7-1所示。 IS=3.00mA IM=500mA 表6-7-1 UH-X
10、数据记录表X/mmU1/mVU2/mVU3/mVU4/mVUH=U1-U2+U3-U44/mV+IS，+IM+IS，-IM-IS，-IM-IS，+IM05.48-0.030.83-3.612.4956.59-0.061.94-4.703.32107.20-0.672.55-5.323.94157.46-0.932.80-5.574.19207.58-1.052.93-5.704.32257.66-1.123.01-5.774.39307.71-1.173.05-5.824.44357.73-1.183.06-5.844.45407.74-1.203.07-5.854.47457.75-1.21
11、3.08-5.874.48507.78-1.233.11-5.904.51由以上所测UH值，由公式 UH=KHISB得到 B=UHKHIS计算出各点的磁感应强度，并绘B-X图，得出螺线管内B的分布。X/mmUH/mVB/mT02.493.0153.324.02103.944.77154.195.05204.325.23254.395.31304.445.37354.455.38404.475.41454.485.42504.515.46六、实验结论与误差分析1测量工作电流的电流表的测量误差；2.测量霍尔器件厚度d的长度测量仪器的测量误差；3.测量霍尔电压的电压表的测量误差，磁场方向与霍尔器件平
12、面的夹角影响。七、思考题1.列出计算螺线管磁感应强度公式。答：根据毕奥萨伐尔定律，对于长度为2L，匝数为N，半径为R的螺线管离开中心x处的磁感应强度为：B=0nI2x+LR2+x+L2-x-LR2+x-L2其中0=410-7N/A2，为真空磁导率；n=N/2L，为单位长度的匝数。对于“无限长”的螺线管，LR，所以B=nI。2.如已知存在一个干扰磁场，如何采用合理的测试方法，尽量减小干扰磁场对测量结果的影响。 答：作差法不仅不用换向即可测出励磁线圈引起的霍尔电压，而且还能够很好地测量外界环境磁场在霍尔片所在位置处的磁感应强度的大小。应用作差法与电位调零法测量外界周围环境磁场，测出外界环境磁场的大小，即可排除外界环境磁场的影响。
